Современная электроника 05-2021

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ существенное различие в массах, для Рис. 4. Схема волноводно-резонансного устройства формирования нитевидных рентгеновских достижения скоростей, необходимых пучков наноразмерной ширины и повышенной радиационной плотности: 1 – регулировочные для ионизации атомов, протоны в срав- головки, 2 – установочная плита, 3 – пружины, 4 – микровинты, 5 – держатель волновода- нении с электронами должны иметь резонатора в кварцевых рефлекторах, 6 – кварцевые рефлекторы, 7 – титановые полоски существенно большую энергию. Экс- периментальный опыт показывает, что Рис. 5. Сечения возбуждения характеристической рентгено-флюоресценции потоками Мо и Ag для устойчивого возбуждения рентге- излучений, сформированных ПРВР (а), протонными пучками разных энергий [18] (б) и потоками новской эмиссии электронным пучком электронов с энергиями 10, 15 и 20 кэВ [19] (в) требуются энергии более 10 кэВ [19], в то время как использование пучков линия показывает экстремально высо- ченное энергией 10 кэВ. В то же время протонов ориентируется на энергети- кую интенсивность. Линии SrKα, SrKβ измерения, выполненные с большей ческий диапазон более 1 МэВ [18]. Более не представлены, поскольку по своим энергетической ценой канала, показа- высокое сечение возбуждения рентге- энергиям они не входили в измери- ли практическое отсутствие этих линий но-флюоресценции ионными пучка- тельное энергетическое окно, ограни- в спектре. В представленном на рисун- ми по сравнению с использованием рентгеновского и гамма-возбуждения в области низких энергий даёт основа- ние рассчитывать на более эффектив- ную диагностику содержания в мате- риале лёгких элементов, а также на использование в аналитических целях выхода рентгено-флюоресценции L и M линий тяжёлых элементов. Это отчётливо демонстрирует рисунок 6, на котором приведены спектры выхо- да характеристической рентгеновской флюоресценции, полученные для поли- кристаллического перовскита SrTiO3 методом РФА ПВО с использованием ПРВР и в рамках PIXE-спектрометрии с применением возбуждения протонным пучком. На врезке представлена геоме- трия рентгено-флюоресцентных изме- рений и РОР-спектр исследованного объекта. Спектр, полученный в усло- виях РФА ПВО измерений, демонстри- рует интенсивные линии SrKα и SrKβ и достаточно интенсивные линии желе- за и тантала. В то же время линия SrLα представлена в спектре едва замет- ным максимумом. В PIXE-спектре эта Выход флюоресценции при возбуждении рентгеном (имп)Выход Выход флюоресценции при возбуждении рентгеном (имп)флюоресценции Выход рентгеновской флюоресценции Рис. 6. Спектры РФА ПВО (а) и PIXE (б), полученные для поликристаллического образца SrTiO . На врезке представлена геометрия измерений 3 и РОР-спектр изучаемого объекта. Для РФА ПВО-спектра цена канала – 20 эВ/канал, для PIXE – 10 эВ/канал СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 49

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ Выход ченной для исследований материалов флюоресценции методами РОР-спектрометрии и рент- гено-флюоресцентной эмиссии при Рис. 7. Схематическое изображение экспериментальной вакуумной камеры ионно-пучкового ионном возбуждении. Камера осна- комплекса «Сокол-3», предназначенной для выполнения РОР и PIXE измерений (а) и волноводно- щена вакуумным гониометром с изо- резонансного устройства, позволяющего адаптировать PIXE-спектрометрию для элементного лированным держателем исследуемой анализа поверхности материалов (б) мишени, двумя детекторами, реги- стрирующими рассеянные мишенью ке спектре не наблюдается линий TaLα, по лёгким элементам характеризуются ионы, и полупроводниковым счётчи- TaLβ, но отчётливо видна линия TaMα. повышенной погрешностью. При этом ком для детектирования выхода воз- Кроме того, спектр показывает присут- PIXE-измерения позволяют с высокой буждаемой ионным пучком рентге- ствие в образце малых концентраций чувствительностью оценить содержа- но-флюоресценции. В стандартной иттрия и кальция. Линии TiKα, TiKβ на ние в материале лёгких элементов. геометрии PIXE-измерений рентге- обоих спектрах демонстрируют доста- новский детектор регистрирует рент- точно высокую интенсивность. В отличие от РФА ПВО исследова- гено-флюоресцентный выход, форми- ний, получение данных по резерфор- руемый поверхностным слоем мишени, Представленные на рисунке 6 рент- довскому обратному рассеянию, совме- толщина которого определяется глуби- гено-флюоресцентные спектры доста- щённых с рентгеновской эмиссией при ной проникновения ионного пучка в точно хорошо дополняют друг друга. ионном возбуждении, как и диагности- материал мишени. При энергии прото- Однако для количественной интер- ка материалов с помощью электронно- нов порядка 1 МэВ эта глубина состав- претации экспериментальных дан- го микрозондирования, требует нали- ляет 5-15 мкм в зависимости от плот- ных годится лишь спектр РФА ПВО, чия вакуумной атмосферы. В качестве ности материала мишени. При такой поскольку он не подвержен влиянию примера на рисунке 7а показана схе- толщине слоя, формирующего выход матричного эффекта. В то же время ма вакуумной камеры ионно-пучко- рентгено-флюоресценции, приня- получаемые методом РФА ПВО данные вого комплекса «Сокол-3», предназна- то считать, что полученные данные отражают усреднённый элементный состав объёма мишени. В то же время было бы крайне заманчиво использо- вать весьма высокую чувствительность этого метода при элементной диагно- стике лёгких элементов для анализа тонкого поверхностного слоя мате- риала, необходимого при последова- тельном применении средств анали- тического тестирования планарных многослойных структур после выпол- Выход рентгеновской флюоресценции (имп) Выход рентгеновской флюоресценции (имп) Рис. 8. Спектры рентгеновской флюоресценции для тканевой основы с поверхностным слоем Cu толщиной 52 нм, полученные в условиях применения стандартной PIXE-геометрии (а) и в модифицированных условиях с применением устройства, показанного на рисунке 7б. Энергетическая цена канала – 10 эВ/канал 50 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ нения каждой технологической опе- Выход рентгеновской флюоресценции (имп) рации. Экспериментальные исследо- Выход рентгеновской флюоресценции (имп) вания показали, что эта задача может быть решена путём включения ПРВР Рис. 9. PIXE-спектры, полученные для многоэлементного геологического образца специальной конструкции в измери- тельную схему PIXE-спектрометра. Схе- Na Zr Si Al P O C в условиях стандартной геометрии (а) и с применением модифицирующего матическое изображение такой струк- 2 1.3 1.4 0.1 1 12 2 туры показано на рисунке 7б. устройства, изображенного на рисунке 7б. Энергетическая цена канала 10 эВ/канал Устройство, схема которого представ- лена на этом рисунке, позволяет ион- 52 нм, зарегистрированный в стандарт- но уверенно утверждать, что наличие ному пучку проникать в тестируемую ной PIXE-геометрии. В его правой части в спектре характеристических линий мишень через отверстие диска (рефлек- представлен спектр рентгеновской атомов титана является прямым тестом тора), расположенного поверх мише- флюоресценции образца той же ткани, на участие материала ткани в форми- ни на расстоянии от её поверхности, зарегистрированный в условиях про- ровании выхода характеристической составляющем порядка 100 нм. Такое тонного возбуждения с применением рентгено-флюоресценции. Поскольку расстояние достигается путём нане- волноводно-резонансного устройства, в спектре, показанном на рисунке 8б сения на внутреннюю полированную показанного на рисунке 7б. На врезках этих линий нет, можно быть уверен- поверхность рефлектора титановых показаны реальные геометрии измере- ным, что использование устройства, полосок необходимой толщины. Про- ний и РОР-спектр этого образца. показанного на рисунке 7б, действи- никший через отверстие в рефлекто- тельно позволяет фиксировать рентге- ре ионный поток возбуждает объёмную Сравнение представленных на рисун- но-флюоресцентный спектр, соответ- характеристическую рентгеновскую ке 8 рентгено-флюоресцентных спек- ствующий тонкому поверхностному флюоресценцию в мишени. Выход тров позволяет фиксировать наличие слою продиагностированного образ- рентгеновской флюоресценции не на них обоих интенсивных линий ца. Полученный спектр показывает, имеет выделенного направления. В то CuKα, CuKβ и CuLα, что вполне зако- что плёночное покрытие содержит в же время часть этого выхода, возбуж- номерно, если сопоставить эти спек- качестве примесей атомы Fe, Ca, Al, Mg дённого в тонком поверхностном слое тры с РОР- спектром исследованно- и Ni. К сожалению, вследствие влияния мишени, испытывает полное внешнее го образца. Кроме того, на спектре, матричного фактора, по этому спек- отражение от поверхности рефлек- полученном в стандартных условиях, тру может быть дано лишь оценочное тора, покрывающего мишень. Малая наблюдаются интенсивные линии TiKα суждение об их концентрации. Срав- величина воздушного зазора между и TiKβ. Эти линии отсутствуют на спек- нение со спектром, полученным мето- поверхностями мишени и рефлекто- тре, полученном в модифицирован- дом РФА ПВО-спектроскопии, пока- ра, которая не превышает половины ных условиях. Более того, эти линии зало, что атомы Fe и Ca содержатся в длины когерентности для подавляю- отсутствовали и на РФА ПВО-спектре покрытии в количестве 1% ат., а ато- щего большинства характеристических этого образца, а стандартные РФА- мы Al, Mg и Ni присутствуют в коли- излучений атомов, позволяет рассма- исследования ткани этого образца без честве менее 10-5% ат. Таким образом, тривать этот воздушный промежуток металлического покрытия регистри- можно констатировать, что включение как плоский протяжённый щелевой ровали их наличие. Аппроксимация устройства, показанного на рисунке 7б, зазор, соответствующий плоскому спектра резерфордовского обратно- в спектрометрическую схему протон- рентгеновскому волноводу-резонато- го рассеяния показала, что ткань в ного (ионного) возбуждения рентге- ру. В результате на выходе такого сво- основном состоит из атомов углерода новской эмиссии приводит к появле- еобразного ПРВР формируется рент- и, вероятно, водорода, который непо- нию нового метода ионно-пучковой геновский поток, соответствующий средственно не фиксируется в спек- диагностики элементного состава тон- выходу рентгено-флюоресценции из тре, и в которой в качестве основной кого поверхностного слоя исследуемо- тонкого поверхностного слоя мише- примеси присутствует титан в количе- го объекта, это может быть полезно для ни, равный толщине слоя, определяе- стве около 2% ат. Таким образом, мож- мой глубиной проникновения излуче- ний этих характеристических линий. Толщина этого слоя оказывается чуть больше, чем в методе РФА ПВО, но, как правило, не превышает 15 нм. Приме- нение подобной модификации PIXE- измерений действительно показало, что использование ПРВР позволяет исключить из регистрируемого рент- гено-флюоресцентного спектра вклад объёмной составляющей. Этот факт наглядно демонстрируется на рисун- ке 8. В левой части рисунка показан спектр рентгеновской флюоресцен- ции образца ткани с поверхностной металлизацией слоем меди толщиной СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 51

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ Рис. 10. Предлагаемая схема электронного подобной модификации метода элек- ется их способность формировать микрозондирования материалов с применением тронного микрозондового анализа потоки характеристического рентге- модифицирующего устройства, изображённого материалов. На рисунке 10 показана новского излучения наноразмерной на рисунке 7б схема возможной модификации дан- ширины в интервале 7…200 нм. При ного метода путём включения в экс- этом существенно, что ПРВР может развития концепции последовательно- периментальную схему электронно- формировать потоки как предельно го применения средств аналитического го микрозонда модифицирующего мягкого характеристического рентге- тестирования планарных многослой- устройства, моделирующего конструк- новского излучения (например, AlKα, ных структур после выполнения каж- цию плоского рентгеновского волно- E0=1,5 кэВ), так и максимально жёсткой дой технологической операции. вода-резонатора. характеристической радиации (напри- мер, U238Kα, E0=98,5 кэВ). Другим, может Изучение особенностей и возмож- В предлагаемой конструкции сфоку- быть не менее важным свойством, явля- ностей нового аналитического метода сированный пучок электронов через ется его высокая радиационно-транс- показало, что его применение позво- отверстие в дисковом рефлекторе портная эффективность, выражающа- ляет существенно снизить величи- попадает в исследуемую мишень. Рас- яся в том, что поток рентгеновского ну вклада фоновой составляющей стояние между её поверхностью и вну- излучения, захваченный в щелевой в регистрируемом спектре рентге- тренней полированной поверхностью зазор ПРВР, распространяется в дан- новской флюоресценции матери- дискового рефлектора устанавливается ном зазоре практически без ослабле- альных объектов. На рисунке 9 пока- на уровне 100 нм путём нанесения на ния. Ещё одной существенной особен- заны рентгено-флюоресцентные края диска тонкоплёночных титановых ностью волновода-резонатора является спектры многокомпонентного мине- покрытий. Как и в случае ионно-пучко- его способность значительно повы- рала, зарегистрированные в стан- вого возбуждения, выход характеристи- шать радиационную плотность пото- дартных условиях PIXE-измерений ческой рентгено-флюоресценции из ка характеристического излучения в и с использованием нового аналити- поверхностного слоя мишени испы- щелевом зазоре по сравнению с плот- ческого метода. Сравнение спектров тает полное внешнее отражение от ностью радиации в потоке, свобод- показывает, что применение нового поверхности рефлектора и будет захва- но распространяющемся от источни- метода вызывает резкое уменьшение чен плоским протяжённым воздушным ка. Это его свойство связано с тем, что интенсивности фоновой составляю- зазором, образованным поверхностью ширина щелевого зазора ПРВР, как пра- щей, а это позволяет утверждать, что мишени и внутренней поверхностью вило, на несколько порядков меньше применение данного метода снижает рефлектора. Поскольку выбранная ширины проекции фокуса источника пределы обнаружения не менее чем ширина этого зазора меньше половины первичного излучения. на два порядка. Представляется инте- длины когерентности характеристиче- ресным наблюдаемая заметная разни- ских линий большинства атомов табли- Резюмируя проведённые и описан- ца в относительных интенсивностях цы Менделеева, этот зазор, являющийся ные в настоящей статье исследования, характеристических линий. И в том, и оригинальным элементом конструк- можно сказать, что наиболее очевид- в другом случаях она заметно отлича- ции ПРВР, и доставит поток, соответ- ными направлениями применения ется от соотношения интенсивностей, ствующий выходу характеристической ПРВР на сегодняшний день являются соответствующих реальному составу рентгено-флюоресценции, из тонкого нанодифрактометрический и нано- минерала. Наблюдаемая разница обу- поверхностного слоя до рентгеновско- спектрометрический аналитические словлена разным влиянием матрично- го детектора. аспекты. Некоторым ограничением го фактора на формирование выхода их применения является относитель- характеристической рентгено-флюо- Предлагаемая к разработке поверх- но высокая расходимость потока, фор- ресценции. В то же время наблюдае- ностно-диагностическая аналитиче- мируемого на его выходе (Δϕ≈0,1°), и мые интенсивности характеристиче- ская технология по своим возмож- его относительно низкая интегральная ских линий более чем на два порядка ностям будет близка к возможностям интенсивность. Исследования послед- превосходят их интенсивности в РФА рентгено-флюоресцентного анализа них лет показали, что имеются надёж- ПВО-спектре. поверхности при ионном возбужде- ные средства для преодоления этих нии (PIXE-TXRF). Единственным ожи- недостатков. Уменьшение расходимо- Следует отметить, что аналогичные даемым отличием метода электрон- сти потока при сохранении его инте- результаты могут быть достигнуты при ного возбуждения будет несколько гральной интенсивности может быть повышенная интенсивность фоновой осуществлено (чему имеется экспери- составляющей, поскольку, в отличие от ментальное подтверждение) за счёт ионных потоков, взаимодействие элек- применения так называемого состав- тронов с материалом характеризуется ного волновода-резонатора, исполь- более высоким значением выхода тор- зующего явление углового туннели- мозного излучения. рования потока характеристического излучения. Применяя такую разра- Перспективы развития и ботку, можно добиться расходимости практика внедрения методов потока на уровне 0,001°, что сопостави- РФА ПВО на основе ПРВР мо с расходимостью потока на выходе в российской электронной монохроматических устройств высо- промышленности кого разрешения. В то же время в отли- чие от рентгеновской оптики, разра- Важнейшим из уникальных качеств плоских волноводов-резонаторов явля- 52 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ботанной на основе монохроматоров, ют методы значительного (не менее гические методики, а также создан оптические устройства, созданные на чем на два порядка) повышения инте- целый ряд оригинальных техниче- базе составных волноводов-резона- гральной интенсивности потока, фор- ских устройств (включая сканнеры, торов, будут обладать существенно мируемого ПРВР при сохранении его рентгено-литографию и т.п.), а также большей радиационной светосилой и наноразмерной ширины и угловой прецизионных аналитических изме- характеризоваться пучками нанораз- расходимости на уровне 0,001°. Такие рительных приборов. мерной ширины. Малая расходимость потоки можно с успехом использовать формируемых потоков позволит их в рентгеновской дифрактометрии для Заключение использовать для аналитической нано- структурного и фазового наноанали- диагностики на практически удобных за, а также для прецизионной рефлек- Рынок упомянутых в статье аналити- дистанциях от заднего среза волново- тометрии. В случае использования ческих приборов (спектрометров, ска- дов-резонаторов с сохранением глав- источников жёсткого рентгеновско- неров, томографов и средств рентге- ного достоинства ПРВР – наноразмер- го излучения (вольфрамовый или нолитографии и т.п.), которые могут ной ширины пучков рентгеновского урановый анод) применение волно- быть построены на базе ПРВР, в пол- излучения. водов-резонаторов позволит прово- ной мере зависит от того, по какому дить работы по нанодефектоскопии пути пойдёт страна: по пути дальней- Наиболее ярким примером воз- самых различных технических объек- шей деиндустриализации и уничтоже- можного практического примене- тов. Кроме того, такие потоки могут ния полупроводниковой промышлен- ния волноводов-резонаторов является, быть использованы даже для скорост- ности либо по пути технологического конечно, их использование в качестве ной таможенной сканирующей диа- развития и информационного обще- формирователей потоков возбужде- гностики багажа и ручной клади. ства, технической основой которого ния для рентгено-флюоресцентного как раз и является полупроводнико- анализа при полном внешнем отраже- Как брегговские, так и ПВО волново- вая индустрия. нии этого потока от анализируемой ды-резонаторы найдут широкое при- поверхности. В отличие от стандарт- менение в микро- и наноэлектрони- К сожалению, пока понимания важ- ного метода рентгено-флюоресцент- ке для осуществления субмикронной ности этой проблемы ни у Правитель- ного анализа метод РФА ПВО характе- литографии. Причём если реализо- ства, ни у департамента радиоэлектрон- ризует элементный состав тончайшего ванные к настоящему времени ПРВР ной промышленности Минпромторга приповерхностного слоя анализиру- способны создавать только нитевид- РФ нет. Соответственно, ни рынка рент- емой мишени толщиной 3…5 нм, не ные потоки наноразмерной ширины, генолитографии, ни рынка измери- нуждается во введении матричных то сейчас имеются все предпосылки тельных РФА-приборов в стране не поправок и отличается крайне низ- к созданию волноводов-резонаторов будет, потому что подобные проекты ким вкладом фоновой составляющей. специальных конструкций, формиру- могут выполняться только «под заказ» и Являясь инструментальным недеструк- ющих поток точечного наноразмер- гарантии Правительства, причём толь- тивным методом, РФА ПВО по чувстви- ного сечения и сверхвысокой радиа- ко в том случае, если к Правительству тельности и пределам обнаружения ционной плотности. Такие устройства придёт понимание существующей про- сравним с масс-спектроскопическими будут востребованы для разработки блематики. и атомно-абсорбционными метода- рентгеновских наномикроскопов и ми элементного анализа. При этом структурно-элементных томографов А пока в России путь от технологии включение волноводно-резонансных с наноразмерным пространственным (какой бы перспективной и востре- формирователей в рентгено-оптиче- разрешением. Такие устройства можно бованной она ни была) до промыш- скую схему РФА ПВО-спектрометров будет также использовать для прове- ленного измерительного прибора – способно не менее чем на два поряд- дения локальной ионизации органи- это как дорога от Земли до Луны. И ка повысить чувствительность мето- ческих и неорганических структур и проходить его по всем мыслимым и да и снизить пределы обнаружения. создания структур с системой поверх- немыслимым инстанциям вынуждены Более того, стоимость подобного ностных и объёмных квантовых точек. именно разработчики. Опыт показал, спектрометра окажется не менее чем что «Росатом» данная тематика вооб- на порядок ниже стоимости РФА ПВО- Импульсное локальное рентгенов- ще не интересует. Министерство нау- спектрометров, выпускаемых зару- ское возбуждение в процессе обычно- ки и высшего образования просто бежными производителями на осно- го и эпитаксиального осаждения позво- отправило разработчиков по фондам, ве стандартных рентгенооптических лит создать условия для приготовления «обнадёжив», что «на данный момент схем. Обычная РФА-спектроскопия в объёмных интеллектуальных структур. в России существует 122 фонда, спе- условиях использования волновод- В плане рентгеновских исследований циализирующихся на всех основных но-резонансных устройств также ПРВР явится основой для развития все- отраслях науки, а реестр фондов под- окажется в существенном выигры- возможных направлений рентгенов- держки научной, научно-технической, ше, поскольку в этом случае ожида- ской нанофотоники. инновационной деятельности ото- ется высочайшее пространственное бражён на сайте http:\\\\funds.riep.ru разрешение анализа вплоть до нано- Наличие совокупности перечислен- и предоставляет возможность выбо- размерного масштаба. При этом важ- ных выше уникальных свойств позво- ра подходящего фонда по заданным но отметить, что такая спектроскопия ляет утверждать, что волновод-резо- параметрам…». сохранит необходимое быстродей- натор является базовым устройством ствие, поскольку наши последние для создания и развития рентгенов- Конечная же инстанция – департа- разработки показали, что существу- ской нанофотоники, и на его основе мент радиоэлектронной промышлен- могут быть разработаны и усовершен- ности Минпромторга России – рассмо- ствованы аналитические и техноло- трела предложение авторов и от имени Правительства Российской Федерации СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 53

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ констатировала: «Считаем, что предло- 5. Surface analysis – the principal techniques 14. Y. Yoneda, T. Horinchi. Optical flats for use жения авторов требуют дополнитель- / Eds. by J.C. Vickerman, I.S. Gilmore. in X-ray spectrochemical microanalysis // ной проработки и полагаем государ- Chichester: Wiley. 2009. 666 p. Review of scientific instruments, v42. 1971. ственное финансирование подобных pp. 1069-1070. проектов в настоящее время нецелесо- 6. Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, И.С. Таш- образным». Как говорится, коммента- лыков. Неразрушающий анализ поверх- 15. V.K. Egorov, E.V. Egorov. High effective рии здесь излишни. ности твердых тел ионными пучками. TXRF spectrometry with waveguide- Минск: изд. Университетское. 1987. 256 resonance device application // Aspects Благодарности с. in Min.&Min. science. V2(4). 2018. Р. 1-23. Авторы выражают благодарность за 7. M. Nastasi, J.W. Mayer, Y. Wang. Ion beam 16. V.K. Egorov, E.V. Egorov. Peculiarities of the интерес и помощь в работе профессо- analysis, fundaments and application. Voca planar waveguide-resonator application for ру Б.А. Калину и д.т.н, доценту М.С. Афа- Raton: CRC Press. 2015. 434 p. TXRF spectrometry (Review) // Advances in насьеву. Работа выполнена в рамках x-ray Chem. Anal. (Japan). V44. 2013. Р. 21-40. государственного задания № 075-00355- 8. W.K. Chu, J.M. Mayer, M.A. Nicolet. 21-00 и при частичной поддержке РФФИ, Backscattering spectrometry. New York: 17. V.K. Egorov, E.V. Egorov. Planar waveguide- проект №19-07-00271. Academic Press. 1978. 384 p. resonator: a new device for X-ray optics // x-ray spectrometry. V33. 2004. Р. 360-371. Литература 9. S.A.E. Johanson, J.L. Campbell. A novel techniques for element analysis. New York: 18. V.K. Egorov, E.V. Egorov. TXRF 1. К.А. Валиев. Физика субмикронной лито- Wiley. 1988. 347 p. spectrometry in condition of planar графии. М.: Наука. 1990. 528 с. X-ray waveguide-resonator application 10. Н.Ф. Лосев. Количественный рентгено- / In book 21st Century Nanoscience – A 2. D.P. Woodruff, T.A. Delchar. Modern спектральный флюоресцентный анализ. Handbook: Advances analytic methods and techniques of surface science. Cambridge: М.: Наука. 1969. 336 стр. instrumentation (Volume 3), Chapter 16. Cambridge Univ. Press. 1994. 586 p. Boca Raton: CRC Press. 2021. Р16.1-16.23. 11. E.P. Bertin. Principles and practice of X-ray 3. В.И. Нефёдов, В.Т. Черепин. Физические spectrometric analysis. New York: Plenum 19. T.A. Cahill. Proton microprobs and методы исследования поверхности твёр- press. 1975. 1079 p. particle induced X-ray analytical дых тел. М.: Наука. 1983. 295 с. system // Annual review of nuclear and 12. R. Klockenkamper. Total reflection X-ray particle science. V30. 1980. Р. 211-256. 4. Methods of surface analysis / Ed. by A.W. fluorescence analysis. New York: Wiley. Czanderna. Amsterdam: Elsevier. 2012. 1997. 245 p. 20. Electron probe quantitation / Eds. by K.F.J. 496 p. Heinrich, D.F. Newbury. New York: Plenum 13. Handbook of X-ray spectrometry / Eds. by R. Press. 1991. 400 p Van Grieken, A.A. Markowicz. 2nd Edition. New York: Dekker. 2009. 666 p. Реклама ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР WWW.PROSOFT.RU 54 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ НОВОСТИ МИРА РОСТЕЛЕКОМ СОЗДАЛ КОМАНДУ серьёзными трудностями – софт, необходи- ции. Важно отметить, что абсолютно все сер- ДЛЯ МИГРАЦИИ ПО мый для ведения бизнеса, банально не рабо- веры уже оборудованы аппаратно-программ- тает на российской платформе. Программ- ным модулем доверительной загрузки, плюс НА РОССИЙСКИЕ ПРОЦЕССОРЫ ное обеспечение нужно дорабатывать или имеются сертификаты от ФСТЭК и ФСБ – переписывать заново, но специалистов, ко- благодаря этому можно создавать решения «ЭЛЬБРУС» торые способны это сделать, недостаточно. для инфраструктур любого класса доступа. Сотрудники «Ростелекома» официально Именно для того, чтобы решить эту про- Кроме того, если компания заинтересова- сообщили о создании нового центра компе- блему, в «Ростелекоме» создали новый лась в тестировании необходимого софта, тенций, который будет заниматься разработ- центр компетенций, где есть всё необходи- она может отправить перечень ПО в новый кой нового программного обеспечения и ми- мое оборудование для разработки и тести- центр, чтобы специалисты «Ростелекома» грацией уже существующего софта для сер- рования ПО на основе полноценных сер- установили программное обеспечение, про- верного оборудования, собранного на основе веров. На данной аппаратной платформе тестировали его и дали рекомендации по процессоров с архитектурой «Эльбрус-2000». установлена операционная система «Эль- дальнейшим действиям. При необходимо- Благодаря труду данных специалистов, рос- брус» для стандартных задач и Astra Linux сти эти же разработчики могут создать но- сийским организациям будет куда проще бес- Special Edition для тех систем, которые тре- вое ПО под определённые задачи компании. шовно перейти на отечественные разработ- буют ограничения при обработке информа- ки, перенеся весь свой софт на «Эльбрусы» в trashbox.ru обозримом будущем. При этом разработчики обещают минимальное влияние данного пере- хода на бизнес-возможности пользователей. Данная потребность в миграции ПО воз- никла на фоне растущей необходимости рос- сийским компаниям стать независимыми от иностранных решений и разработок, перей- дя на отечественное аппаратное и программ- ное обеспечение. Но, к сожалению, при по- пытке перейти на российские процессоры и системы компании сталкиваются с довольно МОСКВА САНКТ-ПЕТЕРБУРГ ЕКАТЕРИНБУРГ (495) 234-0636 (812) 448-0444 [email protected] [email protected] (343) 356-5111 (912) 620-8050 [email protected] [email protected] СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 55

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ Результаты измерений диэлектрических свойств нанокомпозитных сегнетоэлектрических плёнок в СВЧ-диапазоне Андрей Фирсенков, Игорь Мироненко, Аркадий Иванов го электрического поля напряжённо- (ОАО «Завод Магнетон», СПбГЭТУ «ЛЭТИ») стью 1,5…3 кВ/мм. В статье рассматриваются методы измерения в СВЧ-диапазоне свойств Для определения электрофизических многослойных нанокомпозитных сегнетоэлектрических плёнок параметров МНСЭП-структур – диэлек- на основе твёрдых растворов бария-стронция (BSTO). трической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь – могут В настоящее время в электронной ков, которые обладают рядом преиму- быть применены резонансные методы, индустрии применяются сегнетоэ- ществ по отношению к устройствам, которые позволяют с высокой точно- лектрики (СЭ) на основе титанатов, изготовленным на полупроводни- стью охарактеризовать их свойства в цирконатов и танталатов [1]. В СВЧ- ках и ферритах, продолжаются уже широком диапазоне частот. Одним из электронике широко используют- на протяжении 30 лет. Интерес раз- методов, используемых для определе- ся твёрдые растворы бария-стронция работчиков к СВЧ-устройствам на осно- ния параметров МНСЭП по измерен- BaxSr1-xTiO3– (BSTO), обладающие высо- ве СЭ в последние годы возрос в связи ной резонансной частоте и нагружен- ким значением диэлектрической про- с фундаментальными исследованиями ной добротности, является измерение ницаемости (ε), значительной нели- и полученными результатами, а имен- в объёмном резонаторе. В этом случае нейностью и относительно малым но с возможностью получения СЭП с структура «МНСЭП – диэлектрическая значением тангенса угла диэлектриче- температурно стабильными характери- подложка» будет включена в объёмный ских потерь (tgδ) по сравнению с дру- стиками, что ранее являлось сдержива- резонатор частично, как изображено гими СЭ-материалами. Возможность ющим фактором их промышленного на рис. 1а. Очевидно, что характери- добавления в твёрдый раствор BSTO применения. Наиболее изученными в стики МНСЭП (ε и tgδ) должны оказы- примесей, таких как Mn, Mg и др. [1], СВЧ-диапазоне являются многослой- вать заметное влияние на резонанс- позволяет варьировать электрофизиче- ные нанокомпозитные СЭП (МНСЭП) ную частоту и добротность резонатора. ские характеристики СЭ-плёнок. Отли- [2, 3] на основе твёрдых растворов BSTO В противном случае может возникнуть чительным преимуществом сегнето- с разной концентрацией бария в каж- большая погрешность их измерения и электрических плёнок (СЭП) является дом из нанослоёв, относительная диэ- определения. С другой стороны, кон- возможность их применения в эле- лектрическая проницаемость которых, струкция резонатора, способ его воз- ментах ЭКБ и функциональных моду- по отношению к полю СВЧ, изменяется буждения и возможность выбора связи лях в интегральном исполнении, что, более чем в 2 раза при подаче внешне- резонатора с возбуждающим объёмом в свою очередь, исключает применение должны быть просты и надёжны. дополнительных сборочно-монтажных б и настроечных операций. Интеграль- Диэлектрический образец с МНСЭП ный поход в сочетании с микроэлек- устанавливается вдоль узкой стенки тронной технологией и относитель- отрезка волновода (см. рис. 1б), а зам- но низкая стоимость материалов могут кнутый объём резонатора образует- обеспечить значительные преимуще- ся за счёт тонких металлических пла- ства электрически перестраиваемых стин, прикладываемых к его боковым устройств на основе сегнетоэлектри- поверхностям (см рис. 1в). Возбужде- ческих плёночных структур в услови- ние резонатора выполняется через кру- ях серийного производства. глые отверстия связи, сделанные в тон- ких металлических пластинах, диаметр Разработка и макетирование СВЧ- отверстий рассчитывается с учётом устройств на основе сегнетоэлектри- обеспечения их минимальной реак- тивности, чтобы уменьшить влияние Отверстие связи на значение измеряемой резонансной МНСЭП частоты, что в конечном итоге снизит Подложка погрешность в определении диэлектри- ческих свойств МНСЭП. ав Измерение параметров плёнок про- Рис. 1. Объёмный прямоугольный резонатор: эскиз конструкции (а), резонатор с установленной водилось на векторном анализаторе вдоль узкой стенки диэлектрической структурой (б), резонатор с элементами связи (в) цепей фирмы Agilent. На рис. 2 изо- бражена резонансная характеристи- ка пустого объёмного резонатора раз- мером 7,10×3,40×5,05 мм. Расчётное 56 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ Рис. 2. Резонансная характеристика пустого объёмного резонатора Рис. 3. Резонансная характеристика объёмного резонатора с МСНЭП значение собственной резонансной 1080 0,0122 частоты основного типа колебания резонатора с такими геометрически- 0,0120 ми размерами равно 36,424 ГГц, резуль- 1070 тат измерения его частоты на вектор- ном анализаторе показывает значение 0,0118 36,449 ГГц. Отличие расчётного значе- ния частоты от измеренного составля- 1060 0,0116 ет менее 0,07%. Измеренная нагружен- ε tgδ ная добротность резонатора Q имеет величину более 4000. Таким образом, 1050 0,0114 полученные данные гарантируют высо- 0,0112 кую точность определения характери- 1040 0,0110 стик (εэфф и tgδ) измеряемых структур используемым резонансным методом. 1030 0,0108 Расчёты характеристик МНСЭП по -60 -40 -20 0 20 40 60 80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 экспериментальным значениям резо- нансной частоты и добротности резо- аб натора были выполнены на базе элек- тродинамических моделей, подробно Рис. 4. Зависимость свойств МНСЭП от температуры: диэлектрическая проницаемость (а) описанных в [4]. Точность определения и тангенс угла диэлектрических потерь (б) диэлектрической проницаемости сег- нетоэлектрической плёнки в объёмном ной по технологическому процессу Измерение диэлектрической прони- резонаторе тем выше, чем выше коэф- JF-2. Источником погрешности в опре- цаемости и тангенса угла диэлектри- фициент включения плёнки. Поэтому делении ε и tgδ МНСЭП являются толь- ческих потерь МНСЭП-плёнки можно необходимо подбирать оптимальное ко инструментальные погрешности, выполнить, используя полуволновой заполнение резонатора. так как расчёт ε и tgδ принципиально резонатор (см. рис. 5а), образован- точен [4]. В таблице 1 показаны резуль- ный щелевой или многощелевой лини- На рис. 3 представлена резонансная таты измерений резонансной частоты ей на слоистой диэлектрической под- характеристика измеряемой структу- и добротности объёмного резонатора ложке (1), установленный в разборный ры с многослойной СЭП, изготовлен- с диэлектрическим заполнением для прямоугольный волновод (2). На рис. 5б различных диэлектрических струк- тур с МНСЭП, произведённых в разных 12 технологических режимах, и даны чис- ленные результаты расчётов их пара- а метров. Типовые зависимости диэлектриче- ской проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь от темпера- туры показаны на рис. 4. Таблица 1. Расчётные значения ε и Qрас Таблица 2. Расчётные параметры ε и tgδ МНСЭП по измеренным величинам f и Q МНСЭП по результатам измерений щелевых полуволновых резонаторов изм изм в объёмном резонаторе № образца f , ГГц Q Q ε Образец Четырёхщелевой Щелевой резонатор изм изм рас из серии резонатор HF-1 34,556 FF-4 34,588 681 90 1272 HF-1 tgδ ε EF-2 34,712 694 FF-4 0,01110 1276 DF-1 34,800 775 90 1251 EF-2 0,01114 1243 tgδ ε б CF-3 34,975 805 DF-1 0,01112 1060 0,01107 1267 BF-2 35,482 883 91 1167 CF-3 0,01152 1121 0,01101 1247 Рис. 5. Волноводная измерительная ячейка: 977 0,01250 988 0,01085 1058 эскиз конструкции с многощелевым 87 1105 0,01151 1108 резонатором на МНСЭП (а) и фотографии 0,01243 977 собранной ячейки (б) 79 973 34,2 513 СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 57

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ имеет низкую температурную зависи- мость своих параметров и может стать основой для построения устройств с электрически перестраиваемыми АЧХ и ФЧХ, работающих в миллиметровом диапазоне длин волн. Рис. 6. Частотная зависимость коэффициента передачи S21 полуволнового четырёхщелевого Литература планарного резонатора с МНСЭП 1. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. представлена фотография собранной расчётные ε и tgδ МНСЭП, полученные Интегрированные сегнетоэлектрические измерительной ячейки. Расчёт параме- по результатам измерений частотных устройства. Монография / Под ред. чл.- тров полуволнового щелевого резона- параметров щелевых полуволновых корр. РАН А.С. Сигова. – М.: Энергоатом- тора подробно описан в работе [4]. резонаторов. издат, 2011. – 175 с. ил. Измеренная резонансная характе- Таким образом, полученные экспе- 2. Щелевая линия [Текст]: пат. 2443042 Рос. ристика многощелевого резонатора риментальные результаты показыва- Федерация: МПК H01P 3/08 / Миронен- с МНСЭП, выполненного по техноло- ют, что структура «диэлектрическая ко И.Г., Иванов А.А., Карманенко С.Ф., гическому процессу CF-3, изображе- подложка – МНСЭП» является высоко- Семенов А.А., Белявский П.Ю. ;заявл. на на рис. 6. В таблице 2 представлены добротной на сверхвысоких частотах, 19.11.2010; опубл. 20.02.2012. 3. В.М. Балашов, И.Г. Мироненко, А.А. Ива- нов, А.И. Фирсенков, Д.В. Велькин, О.В. Яковлев, Н.А. Емельянов, Техноло- гия и диэлектрические свойства много- слойных нанокомпозитных сегнетоэлек- трических плёнок Вопросы Радиоэлек- троники, сер. РЛТ, 2018, январь, выпуск 1. 4. Иванов А.А., Мироненко, И.Г., Карманен- ко С.Ф., Семёнов А.А., Назаров И.А. Сегне- тоэлектрические пленки и устройства на сверх- и крайне высоких частотах. – СПб.: Элмор, 2007. – 162 с., тираж 90 экз. ĽĹĻŁĿijĿļľĿijıŐ ŎļĶĻŃŁĿľĹĻı INWAVE.RU MWA-400 +7 (495) 137-5335 őŞőŜřŘőţşšŢŠŖśţšőřŢřŔŞőŜşœ ĵřőŠőŘşŞšőŒşŨřŦ ŨőŢţşţ łŕŖŜőŞşœŁşŢŢřř śĴŧĴĴŧ ŅőŘşœŬŚũŤŝ ŕIJŞĴŧ ŀşŜşŢőőŞőŜřŘő ŢŠŖśţšőšŖőŜŭŞşŔş œšŖŝŖŞřřŘőŠřŢř ĽĴŧ ňŤœŢţœřţŖŜŭŞşŢţŭ ŠšřǺС ŕIJŝĴŧ ĽřŞřŝőŜŭŞőŰŠşŜşŢő šőŘšŖũŖŞřŰ Ĵŧ ĻşŞţšşŜŭŞşřŘŝŖšřţŖŜŭŞşŖşŒşšŤŕşœőŞřŖРеклама 58 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021



СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ О Дне радио и о предложении изменить его статус «Прошлое – лучший пророк для будущего» Дж. Байрон Владимир Бартенев ([email protected]) Почему такого вопроса нет и в про- грамме школьного ЕГЭ? То же самое Вот уже второй год подряд юбилейные даты в истории отечественной относится и ко Дню радио. Этот празд- радиотехники напоминают нам о больших свершениях нашего великого ник не нашёл отражения в законода- соотечественника, профессора Александра Степановича Попова. тельных актах современной России, Прошлый год был отмечен 125-летием первой в мире демонстрации и как профессиональный праздник, А. С. Поповым беспроводной связи [1], а нынешний год – 125-летием установленный в СССР, утратил своё первой в мире передачи радиограммы [2]. историческое значение и официаль- но не отмечается на государственном Казалось бы, смена политического и передачи первой в мире радиограммы уровне в наши дни. Но даже прини- общественного строя в нашей стране (см. рис. 1). К сожалению, эти истори- мая во внимание, что отмены совет- 30 лет назад, прекращение холодной ческие даты не нашли своего отраже- ского Указа Президиума Верховного войны и идеологического противо- ния ни в новостях, ни в комментари- Совета СССР от 1 октября 1980 года № стояния двух мировых систем должны ях обозревателей радио и телевиде- 3018-Х о профессиональном праздни- были изменить отношение к истори- ния. Кто-то скажет, что нет основания ке 7 мая в рамках проведённой в 2020 ческой правде как с той, так и с дру- считать факт первенства изобретения году регуляторной гильотины не про- гой стороны. Однако этого не произо- А. С. Поповым радио неоспоримым, и изошло, будет справедливым повысить шло. Как и прежде, за рубежом история поэтому на государственном уровне статус этой исторической даты и вне- ХХ века однобока и эклектична. Да и у эти исторические даты не были отмече- сти дату 7 мая в статью 1.1 Федераль- нас в стране (особенно в Интернете) ны. Но такая точка зрения может быть ного закона РФ № 32-ФЗ о памятных появились публикации новоявлен- только у манкуртов, не знающих сво- датах России. Именно с такой иници- ных российских историков, искажа- его исторического прошлого, лишён- ативой автор обратился к Президен- ющие историю и вносящие сумяти- ных исторической памяти. Каждый год ту В. В. Путину в ходе прямой линии в цу и раскол в российское общество. на первой лекции по курсу «История 2019 году. Ответ был получен из Адми- И всё это не встречает никакого про- радиотехники» [3] в РТУ (МИРЭА) автор нистрации Президента с такой форму- тиводействия властных структур. И что задаёт вопрос: «Кто изобрёл радио?» лировкой (цитата фрагмента письма): ещё хуже, официальная позиция сво- В ответ произносятся разные ино- дится к сохранению гробового молча- странные фамилии, но никто не вспо- «Для установления памятного дня ния и отсутствию реакции на истори- минает А. С. Попова. В чём причина? «День радио» необходимо руковод- ческие события и факты из прошлого ствоваться Указом Президента Рос- нашей Родины. Так произошло с дву- мя юбилейными датами в истории оте- чественной радиотехники. Это прежде всего 125-летие состоявшейся 7 мая 1895 года первой в мире демонстра- ции А. С. Поповым беспроводной свя- зи и состоявшейся 24 марта 1896 года Рис. 1. Прибор А. С. Попова для обнаружения Рис. 2. Постановление о празднике «День Радио» НТОРЭС им. А. С. Попова и регистрирования электрических колебаний (из коллекции Политехнического музея) WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 60

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ сийской Федерации от 31 июля 2013 г. Рис. 3. Экспертное заключение РАН Недавно, 12 апреля, был торжествен- № 659 «О порядке установления в Рос- но отмечен 60-летний юбилей первого сийской Федерации памятных дней и сигналов, то есть, по существу, про- в мире полёта в космос нашего соотече- профессиональных праздников» (вме- изводить передачу информации без ственника Юрия Гагарина. В Советском сте с «Правилами установления в Рос- проводов. Вот как выглядит эксперт- Союзе праздник под названием «День сийской Федерации памятных дней») ное заключение РАН (см. рис. 3). Затем космонавтики» был установлен указом (далее – Правила), согласно которо- собранные документы были отправле- Президиума Верховного Совета СССР му обращения федеральных органов ны в правительство РФ. Однако адми- от 9 апреля 1962 года. Однако в Россий- исполнительной власти, органов госу- нистрация Правительства их перена- ской Федерации День космонавтики дарственной власти субъектов Россий- правила в Министерство культуры, уже отмечается в новом статусе в соот- ской Федерации, общероссийских Министерство соцразвития и в Мини- ветствии со статьёй 1.1 Федерального общественных объединений и рели- стерство цифрового развития, связи и закона от 13 марта 1995 года № 32-ФЗ гиозных организаций с предложения- массовых коммуникаций Российской «О памятных датах России». Возника- ми об установлении в Российской Феде- Федерации. Только из Минцифры был ет вопрос: разве историческое событие, рации памятных дней направляются получен обнадёживающий ответ, при- произошедшее 7 мая 1895 года, когда в Правительство Российской Федера- ведённый на рис. 4. А. С. Попов впервые в мире осуществил ции. В случае принятия положительно- передачу информации по радио, менее го решения проект соответствующего Теперь вся надежда на директора значимо и не заслуживает изменения указа Президента Российской Федера- Департамента государственной поли- статуса и внесения Дня радио 7 мая в ции представляется на рассмотрение тики в сфере связи Минцифры РФ статью 1.1 Федерального закона РФ главы государства». А. Н. Канцурова и вице-президента РАН, № 32-ФЗ о «Памятных датах России»? академика РАН Н. А. Макарова, письмо Автор неслучайно выделил обще- которого мы также приводим здесь российские общественные органи- (см. рис. 5). зации, которые имеют право обра- щаться с подобными предложениями в Правительство РФ. Такой общерос- сийской общественной организаци- ей-инициатором обращения стало старейшее Российское научно-тех- ническое общество радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова. В ответ на запрос в общество радио- техники, электроники и связи автором было получено Постановление Прези- диума этого общества, возглавляемо- го академиком РАН Ю. В. Гуляевым, в котором говорится о поддержке чле- нами Президиума этой инициативы (см. рис. 2). Следует выразить благо- дарность за это всем членам Прези- диума и в первую очередь президенту Президиума РНТОРЭС им. А. С. Попова академику РАН, члену Президиу- ма РАН, Гуляеву Юрию Васильеви- чу и вице-президенту РНТОРЭС им. А. С. Попова Самсонову Геннадию Андреевичу. Сразу же после возложе- ния на автора ответственного задания по координации работы он направил запрос в РАН с просьбой подготовить экспертное заключение о состоявшем- ся 7 мая 1895 года заседании Физи- ческого отделения РФХО, на котором А. С. Попов выступил с докладом «Об отношении металлических порошков к электрическим колебаниям», в кото- ром изложил результаты проведённых им исследований и продемонстриро- вал способность изобретённого им прибора принимать последователь- ность коротких и продолжительных СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 61

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ Рис. 4. Ответ Министерства цифрового развития, связи и массовых Рис. 5. Письмо вице-президента РАН, академика РАН Н.А. Макарова коммуникаций РФ ЛИТЕРАТУРА 1. Бартенев В.Г. День Великой Победы и день Радио / Современная электроника. № 5. 2020. 2. Бартенев В.Г. О первой в мире радиограмме, переданной в Рос- сии 125 лет назад / Современная электроника. № 3. 2021. 3. Бартенев В.Г. «Россия – родина Радио», М. «Горячая линия теле- ком» 2016. 62 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ НОВОСТИ МИРА РАЗРАБОТАН ДЕШЁВЫЙ наук, руководитель лаборатории «Тера- а также в системах оплаты с помощью био- герцовая биомедицина», доцент-исследо- метрических данных. ПЛЕНОЧНЫЙ ДЕТЕКТОР ватель факультета энергетики и экотехно- ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ логий Санкт-Петербургского национального За 6 лет NtechLab выросла в компанию исследовательского университета инфор- с более чем сотней сотрудников, сохранив Учёные из Санкт-Петербурга созда- мационных технологий, механики и оптики. при этом гибкость управления и нестан- ли дешёвый, высокочувствительный и бы- дартность инженерных решений. Одним стродействующий терагерцовый детек- Для своего эксперимента авторы создали из главных направлений работы компа- тор на основе термоэлектрических плёнок. тонкие термоэлектрические пленки на ос- нии является международное развитие: В перспективе изобретение будет широко ис- нове висмута (Bi) с разной концентрацией открываются зарубежные офисы, растёт пользоваться в медицине, в сфере обороны, сурьмы (Sb), а затем исследовали их под сеть партнёров. «Признание превосход- например, для обнаружения скрытого ору- воздействием терагерцового излучения. ства российских технологий на престиж- жия, и в других практических областях. Ста- Поглощение терагерцового излучения ма- ном международном конкурсе позволит тья была опубликована в журнале Photonics териалом приводило к увеличению кон- кратно увеличить темпы роста зарубеж- при поддержке Президентской программы центрации носителей заряда и изменению ной выручки компании», – рассказал пред- Российского научного фонда (РНФ). напряжения между контактами на термоэ- седатель совета директоров NtechLab, ди- лектрической плёнке, которое регистриро- ректор по особым поручениям «Ростеха» Терагерцовое излучение имеет широ- вали вольтметром. Для усиления терагер- Василий Бровко. кий спектр практических применений – от цового отклика в плёнке с помощью лазер- биомедицины до систем безопасности. Оно ной гравировки предварительно вырезалась В рамках FRVT оценивалось более 100 обладает уникальной способностью прони- специальная поверхность в виде крестоо- алгоритмов от разработчиков из большого кать во многие материалы и получать их бразных резонаторов. количества стран, включая Китай, США и особенный «спектральный портрет» через Израиль. Тестирование FRVT проводилось упаковку, например, бумагу или пластик, Настоящая разработка – многообещаю- по нескольким базам фото. При подведе- что позволяет находить вредные или запре- щая, компактная и недорогая альтернати- нии итогов учитывались точность и скорость щенные вещества в почтовых конвертах, ва существующим датчикам. Полученный поиска, а также адаптируемость алгорит- а также контрабанду в багаже. Кроме того, терагерцовый детектор действует доволь- ма к последующим изменениям. Алгоритм в отличие от рентгеновского, терагерцовое но быстро: время отклика меньше десяти NtechLab стал номером один в работе с ба- излучение не ионизирующее, а значит не миллионных долей секунды. Также его лег- зами VISA, VISABORDER и BORDER, в ко- наносит вреда тканям организма. Это де- ко настроить под нужную частоту обнару- торых содержатся изображения, идентич- лает его перспективным для медицинской жения, поэтому он может использоваться ные по качеству фотографиям, снятым при диагностики, в том числе и для поиска ра- для разных диапазонов. Это окажется по- пересечении границы и из визовых разре- ковых опухолей. Также исследования пока- лезным для устройств беспроводной связи шений. По результатам работы с этими ба- зывают, что с использованием терагерцо- нового поколения, которые основаны на пе- зами NtechLab показала лучшие результа- вых волн может вырасти скорость переда- редаче терагерцовых сигналов. ты за всю историю конкурса NIST. Кроме чи данных в Wi-Fi-системах. того, NtechLab вошла в тройку по резуль- scientificrussia.ru тативности распознавания лиц в медицин- Однако сегодня этот диапазон остаёт- ских масках. ся недостаточно изученным, а хороших АЛГОРИТМ РАСПОЗНАВАНИЯ ЛИЦ устройств, которые бы работали в нём, поч- NTECHLAB ПРИЗНАН ЛУЧШИМ «Для получения этого выдающегося ре- ти нет. Особенно трудно создать приборы, зультата инженеры NtechLab использовали которые показывали бы хорошую чувстви- В МИРЕ инновационные подходы к обучению ней- тельность в обычных условиях: на высоко- Компания NtechLab, один из мировых ли- ронных сетей, а также новые алгоритмы об- частотную область терагерцового излучения работки и подготовки данных для машин- приходится и тепловое излучение предме- деров в области биометрических техноло- ного обучения. Результаты этих наработок тов комнатной температуры, из-за чего одно гий, победила в конкурсе алгоритмов рас- уже используются в продуктах NtechLab и очень сложно отделить от другого. познавания лиц Face Recognition Vendor Test послужат повышению комфорта и безопас- (FRVT) Национального института стандар- ности жителей «умных городов» по всему «Существующие детекторы основаны на тов и технологий Министерства торговли миру», – отметил основатель NtechLab, гла- измерении теплового возбуждения поверх- США (NIST). Алгоритм NtechLab признан ва лаборатории нейронных сетей компании ности. Несмотря на многие недавние дости- американским институтом лучшим в мире Артём Кухаренко. жения в области технологии терагерцовых по результатам проведения 7 независимых датчиков, самые быстрые из них имеют низ- тестов, по 3 из них поставлен рекорд за всю Industry Hunter кую чувствительность, а самые чувствитель- историю проведения испытаний. ные, как правило, медленные. Одна из ос- новных задач этого исследования – поиск Тестирование FRVT от NIST является новых термоэлектрических материалов с единственным общепризнанным мировым высокой чувствительностью к терагерцо- соревнованием алгоритмов распознава- вому излучению при комнатной темпера- ния лиц. Оно соответствует сценарию под- туре. Тогда не придется использовать до- тверждения личности человека по фото- рогое и сложное охлаждающее оборудова- графии. Данный сценарий используется в ние», – объясняет руководитель по гранту широком спектре гражданских, правоохра- РНФ Михаил Ходзицкий, один из авторов нительных и национальных программ без- статьи, кандидат физико-математических опасности, включая проверку фото на ви- зовых документах и при выдаче паспортов, СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 63

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху? Александр Гордеев (г. Ульяновск) Идеология развития отечественной электроники должна быть инноваци- В статье рассматривается вопрос конкурентоспособности отечественной онной. Это не имеет ничего общего с микроэлектронной промышленности в посткремниевую эпоху. лексиконом первого десятилетия теку- Приводятся примеры перспективных отечественных разработок щего века («инновационные мосты», в области материалов для терагерцовой электроники. «лифты», «рельсы», «инкубаторы» и т.д.). Этот период прошёл. Инновация – это Введение Если так «российский закон Мура» не копирование западных технологий, будет работать, то в условиях мировой не плагиат идей, допустим в нелиней- Как известно, Минпромторгом в терагерцовой цифровой экономики к ной электромагнитной оптике, и не 2015 году был утверждён «План меро- 2030 году в России придётся выпол- намерение «тащить» в наноэлектронику приятий по импортозамещению в нять информационно-технологиче- Евклидову размерность – 65 нм, 22 нм радиоэлектронной промышленности ские, финансовые операции, операции (мы же не называем 65 мкм микроэ- Российской Федерации» (приказ № 662 с искусственным интеллектом «на счё- лектроникой). Инновация – это когда от 31марта 2015 года) (так называемая тах». Не спасёт ситуацию и выделение 2D-дрейфовый канал имеет уже размер- «Программа импортозамещения»). госсредств на 22-нанометровую техно- ность порядка субнанометра, т.е. нахо- логию в размере около $1,0 млрд. Под дится хотя бы на уровне постоянной Программой импортозамещения, в что их выделять? Ведь мировое массо- решётки GaAs (0,56 нм). Это уже другое частности, предусматривалось резкое вое рыночное производство, начиная с дело. Или приборостроение, основан- увеличение доли отечественных про- TSMC и заканчивая компаниями Бель- ное на изменении энергии межатом- дуктов ЭКБ на внутреннем и внешнем гии, Китая и др., в основном работает ного пространства, допустим того же рынках, достижение в 2018 году тех- в диапазоне 5–14 нм. Напомним дав- GaAs, где величина «твёрдого вакуума» нологического проектного уровня нее заявление (2015 года) специалистов достигает 34% всего объёма кристал- 28 нм в цифровых системах, сокра- компании IBM, касающееся 7-наноме- ла. Или создание систем на основе уже щение отставания от ведущих фирм трового техпроцесса: «…нынешние про- открытой в России сверхпроводимости мира, таких как TSMC, Samsung, Intel, грессивные 14-нанометровые чипы на гетероструктурах по патентуемой IBM, до 5…8 лет. будут казаться рядом с 7-нанометровы- отечественной технологии на основе ми устаревшими, медленными и горя- деформации запрещённой зоны полу- На решение этих задач были выде- чими «динозаврами». Тогда какими же проводника в диапазоне температур лены огромные ресурсы, неоднократ- по сравнению с ними будут 22-нано- –60…+125°С (до миллионных долей kT). но докладывалось о том, что «мы идём метровые чипы? Правда, необходи- Или динамическая сверхпроводимость с опережением выполнения програм- мо отметить, что спецстойкие CMOS- на плазменных частотах орбитальных мы импортозамещения по ЭКБ». приборы не могут быть выполнены электронов в AIIIBIV с «обнулением» в на 14 или 22 нанометрах. Но умест- решётке кулоновских, лоренцовых и Всё было хорошо, пока в декабре но отметить, что для мелкосерийных джоулевых сил сопротивления прово- 2019 года на конференции «Электро- партий радиационно стойких CMOS в димости (εε0E = μμ0H = 0), т.е. «обнуле- ника в России: будущее отрасли» вице- России имеются как минимум два лито- ние» фундаментальных уравнений по премьер Ю.И. Борисов не поставил всех графа с разрешением до 10 нм. Следо- Максвеллу. Или создание нестандарт- на место, заявив: вательно, абсолютно необходима новая ного СВЧ HBT-транзистора, который в национальная идеологическая плат- схеме с общей базой имеет коэффици- «Сегодня просто глупо говорить, что форма, которая, вероятно, находится ент усиления 100, а не как в классиче- в России существует серьёзное серий- в разработке в Правительстве РФ. ской физике ≤1. Или разработка «опти- ное микроэлектронное производство. ческого трансформатора», на вход Мы даже не присутствуем в мировой Идеология и правовая политика которого подаётся волна λ = 1,0 мкм, статистике». а выходят «на выходных оптических Подлинная, не рекламно-мифиче- обмотках» две по 1,5 мкм с некоторым Нужно констатировать, что и закон ская (до 100 нм) наноэлектроника с сдвигом. Можно построить когерент- Мура тоже сработал, правда в отри- проектными нормами 0,1…10 нм тре- ное излучение на основе рекомбина- цательно-показательную сторону, на бует огромных финансовых вложений. ции дырки зона – энергоуровни с плот- фоне того, что компания TSMC вот Для того чтобы приблизиться к техно- ностью потока квантов, предположим, уже год как освоила 5-нанометровую логическому уровню TSMC или IBM, ≈5×1016см-3. Или из ячейки 10×10×10 нм полевую технологию и разработала необходимо вкладывать в те же наши излучить всего-навсего два фотона цифровые чипы по технологии GAA флагманские зеленоградские площад- («дырочный» и «электронный») одно- (gate-all-around) (кольцевой затвор) с ки до $30 млрд ежегодно. Таких средств временно, разве это не вписывается размерностью 3 нм. у государства нет. В таком случае необ- в архитектуру холодных оптических ходимо искать другие резервы. И вот 06.05.21 была опубликована информация о том, что компания IBM (США) продемонстрировала цифро- вой чип с проектной нормой 2,0 нм (!) и плотностью транзисторов до 50 мил- лиардов/чип. 64 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ микропроцессоров с встроенным ОЗУ, «рисуются под конкретного производи- GaN эпитаксиальных структур [9] для да ещё с тактовой частотой петабиты/с? теля», а другие предприятия при этом электроники с рабочей температурой Или создать динамическую память на «задвигаются на периферию» и не име- приборов до +600°С, или 3С-SiC, или основе перехода электрона с p-уровня ют шанса на успех. «Такую сомнитель- будущих GeC толстых эпитаксиальных на s-уровень и обратно (собственно- ную практику прошу прекратить, пре- структур (карбид германия) с потенци- зонно-атомная электроника). сечь», – сказал Путин. «Получать заказы ально уникальными свойствами. должен не тот, кто ближе к распоряди- На базе вышесказанного автор под- телям средств, а тот, кто даёт лучшие Или наши LPE GaAs структуры с рабо- водит читателя к главному: понятие предложения и по качеству, и по цене, чей температурой чипов свыше 300°С, «инновация» – это государственная и по надёжности», – подчеркнул пре- или перспективные LPE GaP кристаллы категория, основанная не на звани- зидент. с рабочей температурой до 500°С, или ях, а на идеях гениальных учёных, AlN толстые бездефектные кристаллы талантливых разработчиков. Сколь- На основании вышесказанного необ- для фотоники и фононики, способные ко Нобелевских премий мы получили ходимо принять волевое и политиче- обеспечить работу будущих фотон- за исследования и разработки в пост- ское решение о запрете проведения ных и фононных компьютеров при советские годы в области физики? НИОКР аналогов и выставлять на тор- 800…1000°С. Или AIVBIV сверхпроводя- Ни одной. Ж. И. Алфёров получил Нобе- ги только разработки в области элек- щие кристаллы при «комнате» («ком- левскую премию в 2010 году за рабо- троники, опережающие мировой уро- натные куперовские пары») в диапа- ты 1960…1980-х годов. И всё. А сколько вень на 3–5 лет, и никак иначе, и только зоне температур –60…+125°С. Это же у нас академических НИИ, «насыщен- в этом случае можно построить совре- феноменально! ОЗУ – это, грубо говоря, ных» академиками, докторами наук, менную терагерцовую цифровую эко- τ = RC, а если R→0? То чему рав- профессорами? номику к 2030 году. Если работать на тактовая частота суперкомпью- по-старому (когда нет даже следов при- тера на комнатной сверхпроводи- Итак, инновация – это проявление сутствия российской электроники на мости? Или объёмно-акустические наднациональной гениальности, гене- мировом рынке), то у России нет буду- ТГц-волны на AlN (так это же Wi-Fi рирующей идеи, новую физику, новые щего. ТГц-электромагнитная волна → ТГц- материалы, новую технологию, новый акустика → ТГц-электро-магнитная продукт, который изменяет среду оби- Есть ли база для прорывной волна, выход из положения в пробле- тания и уровень жизни земной цивили- электроники? мах по 8G, когда «комнатные» и челове- зации, как это произошло на примере ческие «чёрноволновые» кванты будут смартфонов за последние два десятиле- Итак, констатируем, что в России есть «фонить» при приёме-передаче). тия. Или как это будет ожидаемо сдела- талантливые люди, гении в областях но на релятивистских «холодных» (без физики твёрдого тела, ядерной физи- В итоге у России есть абсолютно всё: заметного энергопотребления) ком- ки, зонной теории, мультизонной тео- интеллектуальный потенциал, физи- пьютерах, например, на стыке фотон- рии. Бесспорно, что у них есть новые ка, материалы, технология, чтобы сде- ной, фононной и плазмоидных энер- идеи, например как с использованием лать к 2030 году подарок земной циви- гетических технологий (в сочетании, новых физических принципов создать лизации в виде 7G и далее 8G, 9G на к примеру, с «чёрноволновым» распоз- абсолютно новые рыночные сверхвос- частотах (5,0…7,5 ТГц, до 2 Тбит/с); наванием образов), для искусственного требованные продукты. Но для осу- (25…40 ТГц, до 15…20 Тбит/с) и интеллекта, или цифровых денег, или ществления этих идей нужен новый (≈ 800 ТГц, до 400 Тбит/с) с учётом терагерцового SWIFT. фундаментальный материал, тогда как идей и наработок выдающихся учё- в России не могут толком делать даже ных, лидеров в фотонных цифровых Инновация, в конечном счёте, это, бездислокационный кремний ∅200 мм технологиях: академика И. А. Каляе- например, последовательно 7G, 8G и или GaAs ∅150 мм. Но если задуматься, ва (ЮФУ, г. Ростов-на-Дону), д.ф.-м.н. 9G (тера- и петагерцовые диапазоны), то в России есть множество необычных С. А. Степаненко (Институт теоретиче- где у России (с точки зрения фундамен- разработок в области перспективных ской и математической физики РФЯЦ- тальной науки и наличия фотонных материалов для электроники. К приме- ВНИИЭФ г. Саров), д.т.н. С. В. Соко- материалов с показателем преломле- ру, кристаллы борированного алмаза лова (Ростовский государственный ния n<4) лучшие позиции в мире. Под- с μp ≥ 20 000 cм2/В⋅с (к.т.н. В. А. Тарала, экономический университет (РИНХ), черкнём, лучшие с позиции практиче- Инженерный институт СКФУ, г. Ставро- Северо-Кавказский филиал Москов- ского выхода. поль) или его же разработка – монокри- ского технического университета сталлические наноплёнки (не поли-!) связи и информатики, г. Ростов-на- Подведём итог по этому разделу: AlN в несколько нанометров на «нано- Дону), д.ф.-м.н. В. С. Павельева (Самар- ● нужна новая инновационная поли- грунтовке» Al2O3 (фирма «Picosun», Фин- ский государственный аэрокосмиче- ляндия признала это выдающимся тех- ский университет имени академика тика; нологическим достижением). Хотелось С. П. Королёва, г. Самара). Здесь же ● очевидно, что нужен закон об инно- бы, чтобы его уникальные разработки отметим реальную возможность соз- были замечены и по достоинству оце- дания фотонно-фононно-плазмоид- вациях; нены в России. ных цифровых технологий. ● очевидно, что он вызовет необходи- Есть великолепная тринитридная Здесь не указаны другие материалы мость пересмотра законов №44-ФЗ и технология д.ф.-м.н. С. А. Кукушки- наших российских гениальных мате- №233-ФЗ, где есть лазейки для злоу- на (ИПМаш РАН, г. Санкт-Петербург) риаловедов, значительная часть кото- потреблений и картельных сговоров. на основе дилатационных наногете- рых ещё не получила заслуженного Неслучайно Президент РФ В. В. Путин роструктур AIVBIV или «вертикальных» признания. на Совете по стратегическому развитию в 2019 году отметил, что при составле- 65 нии технических заданий для участ- ников аукционов документы зачастую СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ Рис. 1. Возможности силовой ЭКБ на Si, SiC, LPE GaAs, GaN материалах Рис. 2. Рабочие температуры эксплуатации Силовые приборы нового имствовали» наши отечественные нара- спутников (6G, 7G). В перспективе поя- поколения ботки. В то время, когда в России дорога вятся силовые GaAs, GaP, AlN приборы LPE GaAs проекту была жёстко перекры- на основе фононной энергии (для 7G, В области силовой электроники у та, немцы наладили серийный выпуск 8G, 9G). России имеется огромное советское LPE GaAs силовых высоковольтных наследство (технологии ВЭИ им. приборов для электромобилей и элек- СВЧ-приборы нового поколения В.И. Ленина, г. Москва; завода «Элек- трозаправок. тронприбор», г. Фрязино; завода им. СВЧ ЭКБ используется в системах М.И. Калинина, г. Таллин; «Искра», На LPE GaAs материале можно выпол- РЛС, связи, навигации и в основном г. Ульяновск; «ВЗПП», г. Воронеж; нить в 2 раза больше классов силовых базируется на классических конструк- «Электровыпрямитель», г. Саранск, приборов, чем на Si, SiC, GaN, вместе циях типа p-HEMT (2DEG, открытый в Брянского завода полупроводнико- взятых (см. наши публикации [1, 2, 3, 1961 году Андерсоном), а также на сме- вых приборов, г. Брянск; НИИ «Пуль- 4, 5, 6, 7], а также 12 патентов РФ. сительных SBD, p-i-n, диодах Ганна, сар», г. Москва и др.). ЛПД, HBT, MOSFET (точнее – LDMOS) Обобщённо техническое превосход- и др. Сегодня лидерство за АО «Ангстрем», ство LPE GaAs силовых приборов интер- г. Москва; АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», претируется на рис. 1, 2. Время показало, что необходи- г. Брянск; АО «ВЗПП-С», г. Воронеж; мо переходить на СВЧ-конструкции, на постсоветском пространстве сле- Титульные показатели следующие: в несколько раз более энергоплот- дует отметить филиал «Транзистор» ● SBD (200…800 В; 10…20 МГц (комму- ные. В частности, вместо устаревших ОАО «Интеграл». Огромным потенци- p-HEMT планируются зонно-реляти- алом с позиции SMART-ключей облада- тация); τrr = 0,2…1,0 нс; +320°С); вистские СВЧ MOSFET приборы с мощ- ет ПАО «Микрон», г. Зеленоград. ● n-i-p («ниппель») диоды до 800 В; ностями не ниже 1,0 Вт/300 ГГц/+250°C. То же самое касается и зонно-реляти- Кремний (Tj ≤ +175°C), благодаря высо- до 0,3 кА/чип; τrr до 5,0 нс; +320°С; вистских диодов, фотонных транзисто- ковольтным IGBT и GTO для примене- ● COOL-диоды (до 0,5 кА/чип, до 1200 В, ров и многого другого, включая СВЧ- ний в железнодорожной и нефтегазовой ограничители, оптомодуляторы и др. областях, ещё останется до 2040 года, но частота свыше 1,0 МГц); на смену постепенно появятся силовые ● инжекционные SBD (HJSBD) c UF = 0 Особое значение придаётся синтеза- приборы на LPE GaAs (Tj ≥ +320°C), LPE торам частот на рабочих СВЧ-частотах GaP (Tj ≥ +450°C), «вертикальный» GaN до 1200 В [5] и τrr < 5 нс; с λ = 1,0 мм (6G), а также объёмно-аку- (разработка С. А. Кукушкина) с Tj до ● оптотиристоры до 1012 А/с; стическим фильтрам субтерагерцового +600°C, борированный алмаз (разра- ● МСT/ETO тиристоры для применения диапазона и многому другому. На бори- ботка Таралы В. А.) с Tj до +1000°C. рованном алмазе (с μp ≈ 20 000 В/см2⋅с) в модулях (токовые характеристики можно «снять» непрерывный киловатт Россия имела возможность уже с в килоамперах) – для новых «Сапса- в X-диапазоне. Можно также выпол- 2014 года производить силовые высо- нов» со скоростями до 500 км/ч и по- нить метровые или дециметровые ковольтные LPE GaAs чипы с рабочей ездов на магнитной подушке со ско- РЛС «Воронеж» в мобильном исполне- температурой Tj до +320°C (против ростями, близкими к 1,0 Мах. нии (взамен используемых в настоящее кремния, SiC, GaN, у которых не более Новая силовая электроника Рос- время громоздких конструкций). И всё +175°С), но антигосударственная пози- сии может монополизировать миро- это на радиационно стойких кристал- ция ряда НТС с участием некомпетент- вой рынок силовой ЭКБ для электро- лах LPE GaAs с температурой эксплуата- ных специалистов сорвала эти планы, мобилей (до 50 млн шт./год к 2030 ции до +250°С, а на LPE GaP – до +450°С, закрыв тем самым возможности резко- году), электровелосипедов и электро- «вертикальном» GaN – до +600°С, бори- го развития некоторых направлений, мотоциклов (до 200…300 млн шт./год рованном алмазе – до +1000°С, т.е. мож- в том числе гиперзвука как в стратос- к 2025 году) и др. но делать радиофизический телескоп фере, так и в верхних слоях атмосфе- На i- SiGaAsSi -подложках легко выпол- на Венере (температура поверхности ры. В это же время появились конкурен- няются управляющие драйверы и кон- +480°С). Нужны или не нужны России ты в Германии (компания «3-5 Power троллеры для силовых ключей. эти разработки, остаётся пока загадкой. Electronics», г. Дрезден), которые «поза- Особый интерес вызывают силовые гиперскоростные приборы для ВИП/ конверторов с частотами коммутации для резонансно-контурных ВИП циф- ровых систем, а также для тысяч мини- 66 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ Терагерцовое, петагерцовое на Si 3…5-нанометровых технологиях инновациях, закон о программах опе- приборостроение экзафлопсным компьютерам необ- режающего уровня, новый патентный ходима электроэнергия обеспечения закон, закон об охране интеллектуаль- С физической точки зрения прово- ≈ 50…100 МВт установленной мощно- ной собственности с определением димость (полупроводниковые нано- сти. Это огромные энергозатраты, поэ- юридической ответственности соглас- канальные приборы) непригодна на тому в ведущих научных центрах осу- но статьям УПК РФ и др.). терагерцовых частотах в окнах про- ществляются разработки квантовых зрачности атмосферы с λ = 40…60 мкм компьютеров). Литература (5,0…7,5 ТГц); λ = 8…14 мкм (25…40 ТГц); λ = 4…5 мкм (60 ТГц) и λ = 0,38 мкм Автор данной статьи в сотрудни- 1. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думаневич (≈ 680 ТГц). Но в России всё есть (см. честве с другими учёными и специ- А.Н. «Чем заменить SiC диоды Шоттки?», раздел «Есть ли база для прорывной алистами также вкладывает свой журнал «Силовая Электроника» № 5, электроники?» данной статьи): есть интеллектуальный и творческий потен- 2009 г. материалы и технологии на кристал- циал в разработку гибридных фотон- лах LPE i-GaAs, AlN и будущих – LPE GaP, но-фононно-плазмоидных элементов 2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думане- Al2O3, Ga2O3, алмаз. памяти. вич А.Н. «Новая экстремальная электро- ника на основе LPE i-GaAs монокристал- Отметим, что есть гениальные учё- Отметим, что Россия обладает лов», журнал «Современная электрони- ные, работающие в области материалов суперкомпьютерами на санкцион- ка» № 6, 2014 г. для электроники терагерцового диапа- ной элементной базе. Это, в частно- зона – д.ф.-м.н. С.А. Кукушкин, д.ф.-м.н. сти, «Christofari» Сбербанка, «Ломо- 3. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Думане- Н.Т. Баграев (г. Санкт-Петербург), кото- носов-2» МГУ. В своём недавнем вич А.Н. «GaAs диоды для PFC, SMPS, UPS, рые уже запатентовали терагерцовые интервью академик И.А. Каляев, каса- IPM, Solar inverters и замены синхронных фотонные и фононные материалы, в ясь позиции России в рейтинге супер- выпрямителей», журнал «Силовая элек- частности терагерцовые генераторы на компьютеров, подчеркнул: «Нас опе- троника» № 6, 2012 г. длины волн от чёрноволнового челове- режают такие страны, как Бразилия, ческого излучения (5…18 мкм) вплоть Саудовская Аравия; и даже в Марокко 4. Войтович В.Е., Гордеев А.И. «Эскизы кон- до пограничного СВЧ диапазона [8, 9]. недавно ввели в строй суперкомпью- туров силовой электроники середины тер с производительностью 5 Пфлопс. текущего века», «Силовая электроника Основы терагерцовой электронно- А по производительности суперком- № 5, 2015 г. фононной техники опубликованы в пьютеров на одного исследователя [10]. мы в 30…40 раз отстаём от ведущих 5. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Прокопен- стран мира». ко Н.Н., Бугакова А.В. «Перспективы раз- Следовательно, рынок объёмом работки быстродействующих силовых до $1,0 трлн (6G, 7G, 8G, 9G) для Рос- Нет смысла объяснять актуальность GaAs диодов Шоттки на основе LPE тех- сии открыт. Но как отнесётся к этому создания суперкомпьютеров в услови- нологии», Международный семинар по политическая элита? Надеемся, что ях терагерцовой цифровой экономи- проектированию и технологии произ- многие услышат высказанный ранее ки, создания систем 7G, искусствен- водства электронных средств (SED-2019), Президентом РФ призыв: «Надо вклю- ного интеллекта и в целом цифровой апрель 2019 г., Прага, Чехия чать мозги». урбанизации цивилизации. У России есть прекрасный шанс шагнуть впе- 6. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарёв А.В. Суперкомпьютеры рёд в этой стратегической сфере. Но «Программу экспортозамещения можно (или догонит ли Россия создание суперкомпьютеров со ско- начинать с GaAs диодов», журнал «Совре- Марокко) ростями терабит/с, петабит/с, а так- менная электроника» № 3, 2020 г. же систем 6G, 7G, 8G, 9G необходимо В России, как нигде, созданы условия рассматривать в комплексе с создани- 7. Гордеев А.И. «Новые электронные при- для создания экзафлопсных компьюте- ем цифровых систем и беспроводной боры на основе GaAs и их применение ров, способных выполнять 1 миллион связи [11]. в различных видах приводов», журнал триллионов (1018, квинтильон) вычис- «Современная электроника» № 5, 2014 г. лительных операций с плавающей Заключение запятой в секунду на основе фотон- 8. Патент РФ 2363067 от 22.01.2008 «Спо- ной, фононной и плазмоидной энергии 1. Россия острейшим образом нуж- соб изготовления изделия, содержащего в кристаллах LPE i- SiGaAsSi, AlN, полиал- дается в отечественной ультрасовре- кремниевую подложку с плёнкой из кар- маза и др. (см. раздел «Есть ли база для менной электронике и системах на её бида кремния на её поверхности» Авто- прорывной электроники?»). Впереди основе. ры: Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феокти- также создание кристаллов LPE i- GaP, стов Н.А. Ga2O3, Al2O3 и др. 2. Необходимы разработка и утверж- дение в кратчайшие сроки опережаю- 9. Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш. Имеются высококвалифицирован- щей мировой уровень программы раз- «Новый метод получения объёмных кри- ные специалисты в области супер- вития национальной электроники до сталлов AlN, GaN и AlGaN с использова- компьютеров, есть выдающиеся мате- 2030 года с созданием группы талантли- нием гибридных подложек SiC/Si», Физи- риаловеды, о которых сказано выше. вых разработчиков-дизайнеров данной ка твёрдого тела, 2019, том 61, вып. 12. В настоящее время разрабатывается программы. Концептуальность данного научно-техническая программа по соз- предложения показана в статье. 10. Гордеев А.И. «Перспективные терагерцо- данию отечественных суперкомпьюте- вые поляризованные информационные ров на основе транспортной логистики 3. Необходимо кардинально перера- системы» в 2 частях, журнал «Современ- релятивистской энергии с минималь- ботать закон №44-ФЗ и создать новей- ная электроника» № 6, 2016 г.; № 7, 2016 г. ным энергопотреблением (к сведению: шую законодательную базу (Закон об 11. Гордеев А.И. «Проблемы становления рос- сийской цифровой экономики и спосо- бы исключения ошибок при их реше- нии», журнал «Современная электрони- ка» № 2, 2019 г. СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 67

СОБЫТИЯ Будущее не за горами Ольга Романовская ([email protected]) ности и энергоэффективности – на основе этих тем вырабатываются тре- Выставка Hannover Messe впервые прошла в цифровом формате бования к продуктам. Норберт Гемме- при поддержке постоянных партнёров, в том числе компании ке, управляющий директор HARTING HARTING. Electric, коснулся в рамках доклада не только темы электромобилей, но и воз- Международная выставка Hannover Hannover Messe не состоялась бы без обновляемых источников энергии и Messe является витриной промыш- поддержки ежегодных и ключевых электропитания постоянного тока [2]. ленных достижений и катализато- партнёров. В выставке приняли уча- ром будущих тем, таких как искус- стие 1778 экспонентов, большинство Многие технические решения, име- ственный интеллект, устойчивое из них постоянные партнёры, напри- ющие отношение к возобновляемым производство и технологии 5G. мер HARTING Technology Group. Ком- источникам энергии и технологиям В этом году Hannover Messe прохо- пании проделали колоссальную рабо- хранения, основаны на постоянном дила только в цифровом форма- ту по подготовке к выставке в цифровом токе. С акцентом на устойчивость и те и выполнила две задачи: показа- формате. защиту климата, технология постоян- ла потенциал и развитие отрасли, ного тока чрезвычайно важна в совре- а также возможности выставок буду- HARTING Technology Group построи- менной промышленности. Эта техно- щего. На примере одного из ключевых ла медийный центр Experts Camp Kick- логия необходима, так как всё чаще партнёров Hannover Messe, компании Off в Эспелькампе для онлайн-трансля- используются регенеративные источ- HARTING Technology group, можно ций и конференций. С 12 по 15 апреля ники энергии, к тому же рекуперация посмотреть, как компании адаптиру- на сайте Hannover Messe шли прямые энергии приводит к повышению энер- ются к выставкам в новой реальности. включения из экспертного центра гоэффективности. HARTING, где специалисты проводи- За пять дней лайв-шоу 90 тыс. участ- ли тур по демостенду, рассказывали о Использование технологии постоян- ников просмотрели более 3,5 млн стра- новинках и последних достижениях, ного тока позволяет последовательно ниц и отправили 700 тыс. поисковых читали лекции по своим продуктам, управлять нагрузкой, избегать пико- запросов об экспонентах и продук- организовывали дискуссии среди спе- вых нагрузок и создавать баланс меж- тах. Кроме того, прямые трансляции циалистов. В целом пандемия и циф- ду генерацией, хранением и потребле- новой конференции и демонстрации ровизация поспособствовали более нием. HARTING принимает участие в продуктов экспонентов собрали око- частому проведению онлайн-меропри- совместном проекте DC-INDUSTRIE, в ло 140 тыс. просмотров. ятий и образованию комьюнити вокруг котором сейчас состоят уже 40 отрас- HARTING Experts Camp Kick-Off. Видео левых партнёров. «Hannover Messe Digital Edition 2021 и другие материалы доступны на сай- стала для нас успешным испытанием те HM21 [1] для участников до 11 июня. «Развивая возможности подключе- во всех отношениях. Мы хотели уви- Для тех, кто не успел зарегистрировать- ния, мы помогаем пользователям эко- деть, какие конкретные преимущества ся или посетить мероприятие, эта воз- номить энергию и тем самым напрямую цифровые форматы приносят нашим можность также открыта. снижать затраты на электроэнергию», – экспонентам и посетителям, – пояс- добавил Геммеке. нил доктор Йохен Кёклер, генеральный Ключевые достижения директор Deutsche Messe AG. – Помимо HARTING, представленные Кроме того, в тех частях мира, где сбои прочего, нам удалось привлечь совер- на Hannover Messe Digital в электросетях случаются чаще, инфра- шенно новых посетителей и участни- Edition 2021 структура постоянного тока с система- ков. Новый формат добавил гибкости ми хранения энергии позволила бы и увеличил пропускную способность Компания HARTING Technology group исключить сбои в передаче электро- мероприятия». уделяет много внимания экологич- энергии. Устойчивое использование возобновляемых источников энергии может быть достигнуто только с помо- Рис. 1. Кабельная сборка с разъёмами Han S WWW.SOEL.RU Рис. 2. Силовой модуль Han 300 A и модуль Han M12 СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 68

СОБЫТИЯ Рис. 3. Разъём T1 для однопарного Ethernet Рис. 4. Разъём серии har-modularR для печатных плат щью систем хранения энергии, посколь- Ральф Кляйн, управляющий директор Новый модульный соединитель har- ку последние позволяют использовать HARTING Electronics. Сегодня Ethernet modular® для печатной платы предла- электроэнергию, произведённую из воз- уже является преобладающим прото- гает разработчикам модульный кон- обновляемых источников энергии, с колом связи в промышленной автома- структор с триллионом возможных задержкой по времени и учётом спроса. тизации. В будущем технология про- комбинаций. С помощью онлайн- никнет в последние области пирамиды конфигуратора разработчики могут Системы накопления энергии требу- автоматизации. HARTING Technology выбирать компоненты модулей для ют развития специфической инфра- group сейчас занята созданием инфра- самих линий передачи данных, сигна- структуры, в которой будут работать структуры для этих разработок. Цель лов и питания (доступно комбиниро- надёжные и мощные соединители. Объ- состоит в том, чтобы предложить вание). Начиная с самых мелких пар- единив усилия с партнёрами, HARTING клиентам надёжную, миниатюрную тий (вплоть до одной штуки), можно Technology group разработала различ- и ресурсосберегающую инфраструк- заказать любую возможную конфи- ные решения, которые вносят значи- туру от облака до каждого отдельно- гурацию. Это значительно упроща- тельный вклад в обеспечение данной го датчика. Таким образом, HARTING ет адаптацию интерфейсов к компо- инфраструктуры. Han® S – одно из таких активно поддерживает переход отрас- новке печатной платы и конкретной идеальных решений для передней раз- ли к IIoT. задаче, экономя время на разработку водки аккумуляторных модулей в систе- и тем самым упрощая процесс созда- мах хранения энергии (см. рис. 1). Тем не менее инновационных разра- ния новых промышленных устройств боток с точки зрения размера, модуль- (см. рис. 4). Бо′льшая ёмкость, меньший вес – вот ности и стандартизации компонентов решающие показатели развития систем будет недостаточно, поэтому HARTING с Компания HARTING Technology хранения энергии. Сегодняшние систе- 2017 года уделяет особое внимание раз- group совместно с другими корпора- мы часто имеют номинальную мощ- витию системы однопарного Ethernet, циями показала на выставке послед- ность 200 А / 800 В постоянного тока. а именно промышленному интерфей- ние достижения, продемонстрирова- В будущих приложениях с более высо- су T1, разработанному в соответствии ла точки роста и заявила о планах на кой плотностью энергии потребуют- со стандартом IEC 63171-6 (см. рис. 3). будущее. В ближайшее время компа- ся передачи 300 A / 1200 В постоянно- Для развития системы требуется соз- ния займётся развитием системы и го тока и более. Чтобы удовлетворить дать не только разъёмы, но и компо- инфраструктуры для SPE (однопарно- эти требования с помощью подходя- ненты для физического уровня, соот- го Ethernet), продолжит взаимодей- щих интерфейсов, компания HARTING ветствующие кабели, поддерживающие ствие по вопросам энергоэффектив- разработала модуль Han® 300 A. Обла- однопарный Ethernet, совместно с ности в рамках DC-INDUSTRIE. Также дая безопасными контактами, он может другими компаниями. В рамках пар- HARTING планирует дальнейшее раз- быть напрямую подключён к сборной тнёрской сети SPE Industrial Partner витие в качестве одного из ключевых шине или интегрирован в ячейки хра- Network e.V. компания HARTING Tech- поставщиков решений для железнодо- нения энергии. nology group вместе с 47 другими лиде- рожной отрасли и IIoT-решений. рами рынка продвигает эту целостную Силовой модуль Han® идеально под- систему вперёд. Онлайн-версия выставки Hannover ходит для экранированных приложе- Messe позволила компаниям, поли- ний и поэтому может быть использован Ещё одна важная особенность, о тикам, СМИ и множеству зрителей со для подключения частотно-регулируе- которой было заявлено на выстав- всего мира увидеть прогрессивные мых приводов. ке Hannover Messe, – это гибкость в технологии и обсудить важные темы, области разъёмов для печатных плат. несмотря на социальное дистанциро- Формат круглых разъёмов M12 так- На Hannover Messe 2021 HARTING вание. Таким образом, тренд на прове- же является новым дополнением к Technology group продемонстрировала дение цифровых и гибридных выста- линейке Han-Modular®. Два разъёма с новинку har-modular®, которая позво- вок лишь укрепился. X- или D-кодировкой помещаются в ляет сократить нагрузки на разработ- один модуль. Это позволяет интегри- чиков устройств – независимо от того, Литература ровать Ethernet мощностью 10 Гбит/с включает ли это быстрое прототипи- в модульный интерфейс совместно с рование или серийное изготовление 1. URL: https://www.hannovermesse.de/en/. силовыми линиями (см. рис. 2). продуктов. 2. Пресс-релиз Connectivity+: Powerful «Промышленная трансформация connectivity of the future. требует цифровизации», – пояснил СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 69

СОБЫТИЯ Итоги выставки «Фотоника. Мир лазеров и оптики-2021» С 30 марта по 2 апреля в ЦВК «Экс- этом году выставке практически удалось тующих, разработчики технологий, поцентр» состоялась 15-я юбилейная достичь допандемийных показателей и а также производители и поставщики международная специализированная по площади, и по количеству участни- мировых брендов, такие как «Лазерный выставка лазерной, оптической и опто- ков. Мы благодарим всех наших экспо- центр», «ИРЭ-полюс» (IPG Photonics), электронной техники «Фотоника. Мир нентов за лояльность к “Фотонике”». ОКБ «БУЛАТ», «Лазеры и аппаратура лазеров и оптики-2021» [1]. ТМ», «Лассард», НПП «Инжект», Хол- За 4 дня работы выставки «Фотоника. динг «Швабе», «Лазерные компоненты», Организатор выставки – АО «Экспо- Мир лазеров и оптики-2021» зафикси- ФГУП ВНИИОФИ, НПО «Луч», Пермская центр» совместно с Международной ровано 5808 посещений выставки спе- научно-производственная приборо- научно-технической организацией циалистами из 70 регионов РФ и 22 строительная компания (ПНППК), «Лазерная ассоциация» (ЛАС). Выставка стран. Посетители воспользовались МГТУ им. Баумана, «Электростекло», прошла при поддержке EPIC (European возможностью выбрать необходимые институты сибирского отделения РАН, Photonics Industry Consortium), Государ- для бизнеса оборудование, материалы университет ИТМО, «Митутойо Рус», ственного комитета по науке и техноло- и технологии, найти новых партнёров Bu..h-ler Leybold Optics, Mazak, Rosendahl гиям Республики Беларусь, под патро- и поставщиков, заключить контракты. Nextrom Oy, Trotec Laser GmbH, Oxapa натом Торгово-промышленной палаты GmbH, VM-TIM GmbH, «ИЗОВАК Техно- Российской Федерации. В выставке приняли участие извест- логии», «СОЛАР ЛС», «ЭссентОптикс». ные компании – производители оте- В этом году на выставке было пред- Президент Лазерной ассоциации чественного оборудования и комплек- ставлено и много новых компаний: Иван Ковш: «Мир сегодня бурно осваи- Conetech Ltd, Micro-Hybrid Electronic вает фотонику, в очередной раз модер- GmbH, «Айвок», «Александра-Плюс», низируя технологический уклад, и «Бизнес-Логистика», «Кристалл Т», наша выставка представляет редкую «Кристаллическая Оптика», «Кристал- возможность ознакомиться со всеми лы Сибири», «Лазерби», «ЛазерЛинкс-С», видами и типами оборудования, пред- «Мегатулс», «ОллРэди», «Технокауф», лагаемого лазерно-оптической отрас- «Ювента» и другие. лью пользователям в различных отрас- лях экономики». В экспозиции этого года были пред- ставлены источники лазерного излуче- В этом году свои разработки и ори- ния и их комплектующие, лазерные и гинальные решения представили оптическая, оптические материалы и 155 компаний из Австрии, Армении, технологии обработки, оптоволокон- Республики Беларусь, Германии, Китая, ная техника, оптические покрытия, Литвы, России, США, Финляндии, Япо- оборудование для контроля оптическо- нии. го излучения, голография и её приме- нение, нелазерные источники излуче- Заместитель генерального директо- ния и многое другое. ра АО «Экспоцентр» Анна Садовничая: «Несмотря на крайне тяжёлый 2020-й, в 70 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021

СОБЫТИЯ Компания SCANLAB (Германия) при- IX Конгресс технологической платфор- та поддержки инновационных пред- няла участие в выставке в гибридном мы РФ «Фотоника». Работа пленарного приятий и проектов АО «АИРКО» Алина формате, воспользовавшись новой заседания началась с вручения почёт- Цепенко. По словам экспертов, фото- услугой видеоконференцсвязи. С её ных дипломов Лазерной ассоциации ника – один из самых успешных пред- помощью посетители выставки вели победителям конкурса лучших разра- принимательских проектов в России. онлайн-переговоры напрямую с евро- боток, выведенных на рынок в период пейским офисом SCANLAB. Гибрид- последних 2 лет. Награды вручил пре- Важным событием на выставке ста- ный формат участия оправдал ожида- зидент ЛАС Иван Ковш. ло подписание соглашения о сотруд- ния экспонента, позволив компании ничестве между АНО «Агентство раз- получить все преимущества участия в Темы научно-практических кон- вития профессионального мастерства выставке, несмотря на международные ференций IX Конгресса технологи- (“Ворлдскиллс Россия”)» и АО «Экспо- транспортные ограничения. ческой платформы РФ «Фотоника» центр». В церемонии подписания при- касались вопросы лазерных произ- няли участие заместитель генерально- Выставка «Фотоника» всегда отли- водственных технологий, полупрово- го директора АО «Экспоцентр» Анна чалась насыщенной и разнообразной дниковой фотоники и нанофотоники, Садовничая и заместитель генерально- деловой программой [2]. Соорганиза- оптических материалов и компонен- го директора – технический директор тор выставки, Лазерная ассоциация, тов, фотоники в сельском хозяйстве и Автономной некоммерческой органи- подготовила и провела 26 научно- природопользовании, радиофотони- зации «Агентство развития професси- практических конференций, заседа- ки, волоконных световодов и воло- онального мастерства (“Ворлдскиллс ний, презентаций и семинаров. Наи- конно-оптических компонентов, Россия”)» Алексей Тымчиков. Сторо- более интересные события деловой оптической сенсорики, квантовых ны договорились объединять усилия программы дублировались и видео- технологий, метрологического обеспе- для организации соревновательных, трансляцией. чения фотоники, лазерных информа- тренировочных площадок WorldSkills ционных систем, современных опти- Russia на собственных выставках «Экс- По традиции деловую программу ко-электронных систем, ВОЛС и их поцентра». Также в рамках выставки выставки открыло заседание Эксперт- комплектующих, голографических «Фотоника-2021» проходила откры- ного совета по фотонике при Комис- технологий, узлов и устройств для тая тренировка участников движе- сии Государственной Думы по правово- научных исследований и анализа. ния «Ворлдскиллс Россия» по компе- му обеспечению развития организаций тенции «Лазерные технологии» блока оборонно-промышленного комплекса Актуальные проблемы фотоники и Future Skills. Российской Федерации. В меропри- смежных отраслей обсудили участни- ятии приняли участие председатель ки круглого стола «Подготовка кадров Ещё одно важное событие этого экспертного совета, депутат Госдумы для работ по фотонике и её применени- года – 30-летний юбилей Лазерной Андрей Ветлужских, зампредседателя ям». Президент ЛАС Иван Ковш вручил ассоциации. В связи с этой датой кол- экспертного совета, президент Лазер- награды победителям конкурса выпуск- лектив «Экспоцентра» награждён почёт- ной ассоциации Иван Ковш, предста- ных квалификационных работ. ной грамотой за многолетнее активное вители Роскосмоса, Минобрнауки РФ, содействие Лазерной ассоциации в дея- Минздрава РФ, крупных научно-произ- Стратегии предпринимательства тельности по развитию отечественной водственных объединений. Участники в фотонике, взаимодействию с фон- лазерно-оптической отрасли. заседания обсудили выработку государ- дами и институтами развития был ственного стратегического документа посвящён круглый стол, организован- «Фотоника-2022» пройдёт с 29 мар- по развитию фотоники в нашей стране ный компанией «Растр-технология» и та по 1 апреля 2022 года в ЦВК «Экспо- на 3, 5, 10 лет, призвали добиться вни- Научно-техническим советом Лазер- центр» в павильоне «Форум». мания правительства к вопросу о необ- ной ассоциации (НТС ЛАС). С докла- ходимости появления этого документа. дами выступили генеральный дирек- Литература Речь также шла о наработках по при- тор компании «Растр-технология», член менению фотонных технологий и об совета Лазерной ассоциации Евгений 1. URL: https://www.photonics-expo.ru/. их дальнейшем развитии в различных Кульбацкий, директор департамен- 2. URL: https://www.photonics-expo.ru/ru/ областях. events/. На открытом совместном заседании Совета Лазерной ассоциации, Секрета- риата технологической платформы РФ «Инновационные лазерные, оптиче- ские и оптоэлектронные технологии – фотоника» и Совета учредителей Евра- зийской технологической платформы «Фотоника» президент Лазерной ассо- циации Иван Ковш внёс предложение об изменении устава ассоциации и озвучил различные рекомендации и пожелания на ближайшие 2 года её работы. Одним из центральных событий деловой программы выставки стал СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2021 WWW.SOEL.RU 71

Реклама



Реклама