หน่วยที่ 6

หน่วยที่ 6 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบต่าง ๆ (OSCILLATOR CIRCUIT)สาระการเรียนรู้ 6.1 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรอง (Armstrong Oscillator) 6.2 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ (Hartley Oscillator) 6.3 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ทส์ (Colpitts Oscillator) 6.4 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบบลอ็ กกิ้ง (Blocking Oscillator) 6.5 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล (Crystal Oscillator)ผลการเรียนรู้ทค่ี าดหวงัจุดประสงค์ปลายทาง มีความรู้ความเขา้ ใจเก่ียวกบั ลกั ษณะการทางานของวงจรออสซิลเลเตอร์แบบต่าง ๆจุดประสงค์นาทาง 1. อธิบายหลกั การวงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรอง (Armstrong Oscillator) ได้ 2. อธิบายหลกั การวงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ (Hartley Oscillator) ได้ 3. อธิบายหลกั การวงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ทส์ (Colpitts Oscillator) ได้ 4. อธิบายหลกั การวงจรออสซิลเลเตอร์แบบบลอ็ กกิ้ง (Blocking Oscillator) ได้ 5. อธิบายหลกั การวงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล (Crystal Oscillator) ได้

- 113 -บทนา วงจรเบ้ืองตน้ ของการกาเนิดความถี่อิเลก็ ทรอนิกส์ จะประกอบดว้ ยขดลวด (Inductor, L)และตวั เกบ็ ประจุ (Capacitor, C) ตอ่ เป็นวงจรเรโซแนนทแ์ บบขนาน ในช่วงแรกจ่ายไฟให้ C ซ่ึง Cจะทาการประจุและคายประจุสลบั กนั L จะเกิดสนามแม่เหลก็ พองตวั และยบุ ตวั สลบั กนั ทาใหเ้ กิดสภาวะการทางาน เรียกวา่ วงจรออสซิลเลเตอร์ ซ่ึงมีหลายแบบเรียกชื่อตามผคู้ น้ พบ ซ่ึงท้งั หมดจะไดศ้ ึกษาในหวั ขอ้ ต่อไป6.1 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรอง (Armstrong Oscillator) วงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรอง จะประกอบดว้ ยอุปกรณ์ท่ีทาหนา้ ท่ีตา่ ง ๆ ดงั น้ี คือ L2C1 เป็ นชุดสร้างความถ่ี Q1 เป็นวงจรขยายความถ่ี R1 เป็นตวั จดั ระดบั แรงดนั ไบอสั ที่ขาเบส R2 เป็นตวั ควบคุมการทางานของ Q1 R3 เป็นโหลดท่ีปรับความแรงของสัญญาณ AC ที่ส่งออกเอาทพ์ ทุ L1 เป็นวงจรป้ อนกลบั ทางบวก C2 เป็นตวั กาจดั สญั ญาณรบกวน C3 เป็นตวั ทาหนา้ ที่คบั ปลิ้งใหส้ ัญญาณไฟเฉพาะ AC ผา่ นเขา้ และผา่ นออกและทา หนา้ ที่ก้นั ไฟ DC ไมใ่ หผ้ า่ น เขา้ ไปยงั วงจรเรโซแนนทด์ ว้ ย Q1 R3 C3 T1 O/PL1 L2 C1R1 R2 C2 VCCรูปที่ 6.1 วงจรกาเนิดความถ่ีแบบอาร์มสตรอง ที่มา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 58

- 114 - จากรูปท่ี 6.1 อธิบายการทางานของวงจรไดด้ งั น้ี เมื่อจา่ ยไฟจากแหล่งจา่ ย Vcc ที่มีศกั ยเ์ ป็นลบเขา้ วงจร จ่ายผา่ น R1 ซ่ึงจะทาหนา้ ท่ีเป็นตวั ลดระดบั แรงดนั ใหพ้ อเหมาะกบั ที่ขา B ของ Q1 ตอ้ งการ ผา่ น L2 ไปไบอสั ใหก้ บั ขา B ทาให้ Q1นากระแสเกิดมีกระแสไหลผา่ น L1 เกิดศกั ยต์ กคร่อมที่ L1 ดา้ นบนเป็นบวก ดา้ นล่างเป็นลบ จะเกิดสนามแม่เหลก็ พองตวั ออกจาก L1 และเหน่ียวนามายงั L2 ศกั ยท์ ่ีตกคร่อม L2 จะมีค่าตรงกนั ขา้ มกบัL1 คือ ดา้ นบนเป็นลบและดา้ นล่างเป็นบวก ศกั ยล์ บจะจ่ายมาประจุให้ C1 ทาให้ C1 มีศกั ยต์ กคร่อมดา้ นบนเป็ นลบและ ดา้ นล่างเป็นบวก เช่นกนั จากน้นั ศกั ยล์ บท่ีดา้ นบน C1 กจ็ ะจา่ ยเป็นไบอสั เสริมใหข้ า B จึงทาใหข้ า B มีศกั ยเ์ ป็นลบมากข้ึน (Q1 เป็นทรานซิสเตอร์ชนิด PNP จึงตอ้ งไบอสั ท่ีขา Bดว้ ยไฟลบ) Q1 ก็จะนากระแสมากข้ึน ทาใหม้ ีกระแสไหลผา่ น L1 ไดม้ ากข้ึนอีก จึงเกิดสนามแม่เหลก็ เหน่ียวนามายงั L2 มากข้ึน C1 จะประจุแรงดนั ไฟไดม้ ากข้ึน มีศกั ยล์ บจ่ายใหข้ า B ของ Q1มากข้ึน Q1 กจ็ ะนากระแสมากข้ึนไปอีก สภาวะการทางานเช่นน้ีจะเกิดไปเร่ือย ๆ จนกระทงั่ Q1นากระแสถึงจุดอ่ิมตวั กระแสกจ็ ะไหลผา่ น L1 คงท่ี เมื่อ Q1 นากระแสคงท่ี สนามแมเ่ หล็กของ L1 ก็จะไมเ่ พม่ิ ข้ึน ไมม่ ีการชกั นามาท่ี L2 จึงทาให้ C1 ตอ้ งเร่ิมคายประจุท่ีมีศกั ยเ์ ป็นลบผา่ นตวั L2 ทาให้ศกั ยล์ บท่ีจา่ ยใหก้ บั ขา B ของ Q1 น้นั ลดลง Q1 จึงนากระแสลดลงจนกระทงั่ C1 คายประจุท่ีมีศกั ยล์ บหมด Q1 นากระแสในสภาวะปกติ ในขณะท่ี C1 คายประจุท่ีมีศกั ยเ์ ป็นลบผา่ น L2 กจ็ ะเกิดสนามแมเ่ หล็กพองตวั ออกจาก L2 มีศกั ยด์ า้ นบนเป็นลบ ดา้ นล่างเป็นบวก เมื่อ C1 คายประจุหมดสนามแมเ่ หล็กใน L2 ท่ีพองตวั เตม็ ที่กจ็ ะยบุ ตวั ตดั ผา่ นขดลวด L2 เกิดมีแรงดนั ชกั นาข้ึนขณะน้ีศกั ย์ตกคร่อม L2 ดา้ นบนจะเป็นบวก ดา้ นล่างเป็นลบ ศกั ยบ์ วกจะจา่ ยไปประจุให้ C1 ทาใหเ้ กิดศกั ยบ์ วกตกคร่อม C1 ดา้ นบน และศกั ยล์ บดา้ นล่าง ศกั ยบ์ วกคอ่ ย ๆ เพิ่มข้ึนทาใหไ้ บอสั ท่ีจ่ายให้กบั ขา B ของQ1 ค่อย ๆ ลดลงจากปกติ Q1 ก็จะค่อย ๆ นากระแส นอ้ ยลง จนสนามแมเ่ หลก็ ในขดลวด L2 ยบุ ตวัหมด และ C1 ประจุเตม็ C1 กจ็ ะเร่ิมคายประจุซ่ึงเป็นศกั ยบ์ วกผา่ น L2 อีกคร้ัง ทาใหเ้ กิดศกั ยต์ กคร่อมL2 ดา้ นบนเป็ นบวก ดา้ นล่างเป็นลบ L2 เกิดสนามแมเ่ หล็กพองตวั อีกคร้ัง C1 จะคายประจุท่ีเป็นศกั ย์บวกผา่ น L2 ทาใหศ้ กั ยบ์ วกดา้ นบนของ C1 คอ่ ย ๆ ลดลง ไบอสั ท่ีขา B ของ Q1 จึงมีศกั ยล์ บเพิม่ ข้ึนQ1 กจ็ ะค่อย ๆ นากระแสมากข้ึนอีกคร้ัง จนกระทงั่ C1 คายประจุหมด สนามแมเ่ หล็กท่ี L2 จะพองตวัเตม็ ท่ี Q1 จะนากระแสเขา้ สู่สภาวะปกติ L2 จะเริ่มยบุ ตวั ลงตดั ผา่ นขดลวด L2 เกิดแรงดนั ชกั นาข้ึนอีกคร้ัง มีศกั ยต์ กคร่อม L2 ดา้ นบนเป็นลบ ดา้ นล่างเป็นบวก อีกคร้ังเหมือนคร้ังแรก ซ่ึงกจ็ ะมีสภาวะการทางานเหมือนเดิม จนกระทงั่ มีศกั ยล์ บไปประจุที่ C1 ดา้ นบนเป็ นลบ ดา้ นล่างเป็นบวก เป็นการเสริมระดบั ความแรงของสัญญาณที่เกิดในวงจรเรโซแนนท์ L2 C1 คร้ังท่ี 2 ที่ลดลง ให้มีระดบั ความแรงคงที่

- 115 - สภาวะการทางานของวงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรองจะทางานเช่นน้ีตลอดเวลา ทาใหเ้ กิดศกั ยต์ กคร่อม R3 เป็นสญั ญาณไฟ AC ที่มีความถี่คงที่ค่าหน่ึงตามการกาหนดค่าความถ่ีดว้ ยวงจรเรโซแนนท์ L2 C1 R3 เป็นความตา้ นทานปรับคา่ ได้ ขากลางของ R3 เป็นขาส่งสญั ญาณไฟ ACออก โดยมี C3 เป็นตวั คบั ปลิ้ง (Coupling) ใหส้ ญั ญาณเฉพาะไฟ AC ผา่ นออกเอาทพ์ ุท และก้นั ไฟDC ไว้ และปรับระดบั ความแรงของความถ่ีที่ส่งออกดว้ ย R36.2 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ (Hartley Oscillator) วงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ จะประกอบดว้ ยอุปกรณ์ท่ีทาหนา้ ท่ีต่าง ๆ ดงั น้ี คือ L2C1 เป็นวงจรเรโซแนนทแ์ บบขนานท่ีทาหนา้ ที่เป็นชุดสร้างความถี่ Q1 เป็นวงจรขยายความถี่ R1 เป็นตวั กาหนดระดบั แรงดนั ไบอสั ที่ขาเบส R2 เป็นโหลดของวงจร ทาหนา้ ที่รับสัญญาณความถี่ท่ีผลิตข้ึนมาไวก้ ่อนส่งออกเอาตพ์ ทุ C 2 เป็นวงจรป้ อนกลบั ทางบวก C3 เป็นตวั ทาหนา้ ท่ีคบั ปลิ้งสญั ญาณความถี่ที่จ่ายมาจากชุดสร้างความถ่ีไปใหข้ าเบส ของ Q1 C4 เป็นตวั ส่งผา่ นสัญญาณความถี่ท่ีตกคร่อม R2 จา่ ยผา่ นเอาตพ์ ุท และป้ องกนั แรงดนั ไฟ DC ไมใ่ หส้ ่งออก โดยอาศยั คุณสมบตั ิการทางานของตวั ทรานซิสเตอร์ Q1 ท่ีตอ่ วงจรเป็นแบบอิมิตเตอร์ร่วม(Common Emitter) ท่ีสญั ญาณอินพทุ กบั สัญญาณเอาทพ์ ุทมีเพสต่างกนั 180 ทาให้ C 2 มีการป้ อนกลบั สญั ญาณเป็นแบบป้ อนกลบั ทางบวก ดงั รูปที่ 6.2 C2 C4 R2 O/PL1 LLAB C1 R1 Q1 VCC C3 รูปท่ี 6.2 วงจรกาเนิดความถี่แบบฮาร์ทเลย์ ท่ีมา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พุฒิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 60

- 116 - จากรูปที่ 6.2 อธิบายการทางานของวงจรไดด้ งั น้ี เมื่อจา่ ยไฟจากแหล่งจ่าย Vcc จะมีไฟศกั ยบ์ วกจ่ายผา่ น R1 ไปไบอสั ใหข้ า B ของ Q1 ซ่ึง Q1จะทางานคงท่ีท่ีคา่ หน่ึง R 1 จะทาหนา้ ที่เป็ นตวั จากดั กระแสและลดแรงดนั ที่จะจ่ายไฟเล้ียงขา Bของ Q1 เมื่อ Q1 ทางาน จะทาใหค้ วามตา้ นทานระหวา่ งขา C กบั ขา E ของ Q1 มีค่าลดลง จึงทาใหข้ าC ของ Q1 มีศกั ยเ์ ป็นลบมากข้ึน และศกั ยล์ บจะคบั ปลิ้งผา่ น C 2 ไปตกคร่อมท่ี L1 ดา้ นบนเป็นศกั ยล์ บดา้ นล่างเป็นศกั ยบ์ วก C1 ก็จะประจุไฟดา้ นบนเป็นศกั ยล์ บ ดา้ นล่างเป็นศกั ยบ์ วก ซ่ึงศกั ยบ์ วกที่ดา้ นล่างของ C1จะคบั ปลิ้งผา่ น C3 ไปจ่ายเป็นไบอสั เสริมใหข้ า B ของ Q1 เมื่อขา B ของ Q1 มีศกั ยบ์ วกมากข้ึน (Q1 เป็นทรานซิสเตอร์ ชนิด NPN จะไบอสั ขา B ดว้ ยไฟบวก) ก็จะนากระแสมากข้ึนทาใหไ้ ดส้ ัญญาณเป็นลบออกท่ีขา C ของ Q1 มากข้ึน จ่ายผา่ น C 2 มาตกคร่อมดา้ นบน L1 มากข้ึน C1 จะประจุไฟไดม้ ากข้ึน ทาใหด้ า้ นล่างของ C1 มีศกั ยเ์ ป็นบวกมากข้ึนส่ง ผา่ น C3 ไปจา่ ยเสริมไบอสั บวกใหข้ า B ของ Q1 ไดม้ ากข้ึน Q1 ก็จะนากระแสมากข้ึนอีก สภาวะการทางานจะเป็นเช่นน้ีจนกระทงั่ Q1 นากระแสจนถึงจุดอิ่มตวั สัญญาณลบท่ีขา Cของ Q1 มีค่าคงที่ ไม่มีสญั ญาณคบั ปลิ้งผา่ น C 2 ไปท่ี L1 และ C1 อีก C1 กจ็ ะคายประจุผา่ น L1 มีศกั ย์ตกคร่อม L1 ดา้ นบนเป็นลบ ดา้ นล่างเป็นบวก L1 จะเกิดสนามแม่เหลก็ พองตวั ออกและศกั ยบ์ วกท่ีดา้ น ล่าง C1 จะคอ่ ย ๆ ลดลง ทาใหไ้ บอสั บวกท่ีจา่ ยใหข้ า B ของ Q1 ค่อย ๆ ลดต่าลง Q1 กจ็ ะนากระแสค่อย ๆ นอ้ ยลง จน C1 คายประจุหมด ไบอสั บวกที่จา่ ยใหข้ า B ของ Q1 เป็นคา่ เดิมตามที่R1 จ่ายให้ Q1 จะนากระแสเขา้ สู่สภาวะปกติ L1 จะเกิดสนามแม่เหล็กพองตวั เตม็ ที่ เม่ือ C1 คายประจุมาให้ L1 หมด จากน้นั สนามแมเ่ หล็ก ก็จะเริ่มยบุ ตวั ลงตดั ผา่ นขดลวด L1 เกิดแรงดนั ชกั นาข้ึนที่ L1มีศกั ยด์ า้ นบนเป็นบวก ดา้ นล่างเป็นลบ ไปประจุท่ี C1 อีกคร้ังมีศกั ยไ์ ฟดา้ นบนเป็นบวก ดา้ นล่างเป็นลบ ค่อย ๆ เพ่มิ ข้ึน และศกั ยล์ บขา้ งล่างของ C1 จะถูกคบั ปลิ้งผา่ น C3 ไปใหข้ า B ของ Q1 ทาใหศ้ กั ยบ์ วกท่ีขา B ของ Q1 ค่อย ๆ ลดลง Q1 กจ็ ะนากระแสค่อย ๆ นอ้ ยลง ขา C ของ Q1 จะมีศกั ย์เป็นบวกคอ่ ย ๆ มากข้ึน คบั ปลิ้งผา่ น C2 ไปท่ี L1 เกิดศกั ยต์ กคร่อม L1 ดา้ นบนเป็นบวกดา้ นล่างลบไปเสริมแรงดนั ชกั นาท่ีเกิดจากสนามแม่เหล็ก L1 ยบุ ตวั ตดั ขดลวด L1 ไปเสริมการประจุของ C1จนกระทง่ั L1 ยบุ ตวั หมด และ C1 ประจุเตม็ C1 ก็จะเร่ิมคายประจุผา่ น L1 อีกคร้ัง L1 เกิดสนามแมเ่ หลก็ พองตวั ออก ศกั ยล์ บที่ดา้ นล่าง C1 จะคอ่ ย ๆ นอ้ ยลง ทาใหศ้ กั ยบ์ วกท่ีขา B ของ Q1ค่อย ๆ เพ่มิ ข้ึน Q1 นากระแสคอ่ ย ๆ มากข้ึน จนกระทง่ั C1 คายประจุหมด สนามแม่เหล็ก L1 พองตวัเตม็ ที่ Q1 จะทางานเขา้ สู่สภาวะปกติอีกคร้ัง

- 117 - และเม่ือ L1 เริ่มยบุ ตวั ตดั ผา่ นขดลวด L1 อีกคร้ัง สภาวะการทางานจะเหมือนคร้ังแรก จะเป็นเช่นน้ีเรื่อยไปทาใหเ้ กิดสญั ญาณความถ่ี กระแสสลบั ตกคร่อม R2 และจะส่งผา่ น C4 คบั ปลิ้งสญั ญาณออกเอาทพ์ ุท การเปล่ียนแปลงความถ่ีของวงจรออสซิลเลเตอร์แบบน้ี ทาไดโ้ ดยการเปลี่ยนค่า L1 หรือ C1จะทาใหว้ งจรเรโซแนนทต์ อบสนองความถ่ีเปลี่ยนไป C2 และ C3 ท่ีต่อในวงจรนอกจากเป็นตวั ทาหนา้ ท่ีคบั ปลิ้งสญั ญาณไฟ AC ผา่ นเขา้ และผา่ นออกจากวงจรเรโซแนนทแ์ บบขนาน L1 C1 แลว้ ยงัทาหนา้ ท่ีก้นั ไฟ DC ไม่ใหผ้ า่ นเขา้ ไปยงั วงจรเรโซแนนทด์ ว้ ย ถา้ วงจรเรโซแนนทม์ ีการทางานคงท่ีความถ่ีที่กาเนิดข้ึนมาก็จะคงที่ดว้ ย6.3 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ตส์ (Colpitts Oscillator) วงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ตส์ ถา้ พิจารณาในส่วนประกอบหลกั ๆ แลว้ จะคลา้ ยกบัวงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ คลา้ ยกนั ท้งั ลกั ษณะวงจรและการทางาน มีส่วนแตกตา่ งกนั คือส่วนของชุดเรโซแนนท์ L1 C1 C 2 แบบโคลปิ ตส์ จะแทปท่ี ตวั C1 C 2 ลงกราวด์ ส่วนของฮาร์ทเลยจ์ ะแทปท่ีตวั L1 ลงกราวด์ อุปกรณ์ท่ีประกอบอยใู่ นวงจรจะทาหนา้ ท่ีต่าง ๆ ดงั น้ี คือ L1C1 C 2 เป็นวงจรเรโซแนนทแ์ บบขนานที่ทาหนา้ ที่เป็นชุดสร้างความถี่ Q1 เป็นวงจรขยายความถ่ี R1, R2 เป็ นวงจรแบ่งแรงดนั จา่ ยไบอสั ตรงใหข้ าเบสของ Q1 R3 เป็นโหลดของวงจร ทาหนา้ ที่รับสญั ญาณความถ่ีที่ผลิตข้ึนมาไวก้ ่อนส่งออก เอาทพ์ ทุ และทาหนา้ ท่ีเป็นตวั จากดั กระแสใหไ้ หลผา่ น Q1ใหพ้ อเหมาะ C 3 เป็นวงจรป้ อนกลบั ทางบวก C 4 เป็นตวั ทาหนา้ ท่ีคบั ปลิ้งสญั ญาณความถ่ีที่จ่ายมาจากชุดสร้างความถ่ีไปใหข้ าเบส ของ Q1 C5 เป็นตวั ทาหนา้ ที่กาจดั สัญญาณรบกวนทิง้ C6 เป็นตวั ทาหนา้ ที่คบั ปลิ้งสญั ญาณความถ่ีท่ีตกคร่อม R3 จา่ ยผา่ นเอาทพ์ ุท และ ป้ องกนั แรงดนั ไฟ DC ไม่ใหส้ ่งออก โดยอาศยั คุณสมบตั ิการทางานของตวั ทรานซิสเตอร์ Q1 ท่ีต่อวงจรเป็นแบบอิมิตเตอร์ร่วม(Common Emitter) ที่สัญญาณอินพทุ กบั สญั ญาณเอาทพ์ ุทมีเพสต่างกนั 180 ตามรูปท่ี 6.3

- 118 - C3 C6L1 C1 O/P C2 C4 Q1 R1 R2C5 VCC รูปท่ี 6.3 วงจรกาเนิดความถ่ีแบบโคลปิ ตส์ท่ีมา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 62 จากรูปท่ี 6.3 อธิบายการทางานของวงจรไดด้ งั น้ี ลกั ษณะการทางานของ วงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ตส์จะคลา้ ยกบั วงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ คือ ตอ้ งมีการกาเนิดความถ่ีข้ึนมาจากชุดสร้างความถ่ีของวงจรเรโซแนนท์ L1 C1 C 2แบบขนาน มีการเกบ็ ประจุและคายประจุของ C1 C 2 การยบุ ตวั และพองตวั ของสนามแมเ่ หล็กท่ีเกิดข้ึนท่ี L1 เกิดสญั ญาณไฟ AC ตกคร่อม C 2 จา่ ยเป็นไบอสั เสริมและหกั ลา้ งใหก้ บั ขา B เทียบกบัขา E ของ Q1 ทาให้ Q1 นากระมากข้ึนหรือนอ้ ยลง ไดส้ ญั ญาณไฟสลบั ออกท่ีขา C ของ Q1 กลบั เฟสจากขา B ของ Q1 ไป 180 มาตกคร่อม R3 เป็นสัญญาณออก และบางส่วนถูก C3 คบั ปลิ้งสญั ญาป้ อนกลบั มาเขา้ วงจรเรโซแนนทข์ นาน L1 C1 C 2 เพือ่ เสริมความแรงของสญั ญาณไฟ AC ที่เกิดข้ึนใหม้ ีระดบั ความแรงคงท่ี ควบคุมการทางานของ Q1 ใหม้ อี ตั ราขยายคงท่ี จะทาใหไ้ ดส้ ัญญาณความถ่ีถูกคบั ปลิ้งออกที่ C 6 ออกเอาทพ์ ทุ มีท้งั ระดบั ความแรงและความถ่ีคงท่ีสม่าเสมอ R1 และ R2 เป็นวงจรแบง่ แรงดนั ไฟ (Voltage Divider) มีศกั ยบ์ วกตกคร่อม R1 คงท่ีจ่ายเป็นไบอสั ตรง (Forward Bias) จ่ายใหข้ า B ของ Q1 Q 1 จะนากระแสคงท่ีการเปลี่ยนแปลงการทางานคือทางานมากข้ึนหรือนอ้ ยลงข้ึนอยกู่ บั ศกั ยบ์ วก, ลบ ที่ตกคร่อม C 2 ทาใหเ้ กิดการขยายสัญญาณออกเอาทพ์ ุท C 5 ทาหนา้ ที่กาจดั สญั ญาณรบกวนที่อาจจะติดมากบั แหล่งจา่ ยไฟ Vcc ทิง้ ไป

- 119 -6.4 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบบลอ็ กกงิ้ (Blocking Oscillator)วงจรออสซิลเลเตอร์แบบบลอ็ กกิ้ง จะประกอบดว้ ยอุปกรณ์ที่ทาหนา้ ท่ีตา่ ง ๆ ดงั น้ี คือL1 C1 เป็นวงจรเรโซแนนทแ์ บบขนานที่ทาหนา้ ท่ีเป็ นชุดสร้างความถ่ีQ1 เป็นวงจรขยายความถ่ีR1 เป็ นตวั กาหนดแรงดนั ไบอสั ร่วมกบั VR1 ใหข้ าเบสของ Q1R2 เป็นจากดั แรงดนั ใหข้ าอีมิตเตอร์ ของ Q1VR1 เป็นตวั ปรับระดบั การทางานของ Q1L2 L3 เป็ นวงจรป้ อนกลบั ทางบวกC2 เป็ นตวั ส่งผา่ นแรงไฟจากจุด 3 ไปยงั D1C3 เป็นตวั กาจดั สัญญาณรบกวนทิง้ ลงกราวด์D1 เป็นตวั ควบคุมการจา่ ยไบอสั ตรงใหข้ าเบสของ Q1 VCC4 T1 1 L2 R1O/P C1 L1 VR1 2 Q1 L3 C2 C3 R253 D1 รูปที่ 6.4 วงจรกาเนิดความถี่แบบบล็อกกิ้ง ที่มา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 63 จากรูปท่ี 6.4 อธิบายการทางานของวงจรไดด้ งั น้ี เม่ือจ่ายไฟ Vcc จากแหล่งจ่ายเขา้ วงจร จะมีแรงดนั ศกั ยบ์ วก ส่วนหน่ึงตกคร่อม D1 จา่ ยเป็นไบอสั ตรงใหข้ า B ของ Q1 ทาให้ Q1 นากระแสมีกระแสไหลผา่ นจากแหล่งจ่าย Vcc ผา่ น L2 ไป Q1ผา่ น R2 ครบวงจร เกิดศกั ยต์ กคร่อม L2 จุด (2) เป็นบวก จุด (1) เป็ นลบ L2 มีสนามแม่เหล็กพองตวัออกและชกั นาผา่ นมายงั ขด L3 เกิดแรงดนั ชกั นาตกคร่อม L3 จุด (2) เป็ นลบ จุด (3) เป็นบวก C2 จะประจุไฟไวด้ า้ นซา้ ยเป็นบวก ดา้ นขวาเป็ นลบ

- 120 - ขณะที่ C2 กาลงั ประจุไฟจะมีกระแสไหลผา่ น R1 ซา้ ยลบ ขวาบวก ทาใหม้ ีศกั ยบ์ วก จา่ ยเสริมไบอสั ใหข้ า B ของ Q1 มากข้ึน Q1 นากระแสมากข้ึน มีกระแสไหลผา่ น L2 มากข้ึน L2 เกิดสนามแม่เหล็กพองตวั มากข้ึน เหนี่ยวนาตดั ผา่ น L3 มากข้ึน เกิดศกั ยต์ กคร่อม L3 ที่จุด (2) เป็นลบมากข้ึน จุด (3) เป็นบวกมากข้ึน C2 ประจุไฟไวม้ ากข้ึน มีศกั ยต์ กคร่อม R1 ซา้ ยลบ ขวาบวก มากข้ึนมีบวกจา่ ยเป็นไบอสั ใหข้ า B ของ Q1 มากข้ึน Q1 นากระแสมากข้ึน มีกระแสไหลผา่ น L2 มากข้ึนอีก สภาวะการทางานจะเป็นเช่นน้ีเรื่อยไปจนกระทง่ั Q1 นากระแสถึงจุดอิ่มตวั กระแสไหลผา่ น L2 คงที่ สนามแมเ่ หลก็ ใน L2 จะคงท่ีไม่เพิ่มข้ึนอีก ไมม่ ีการชกั นาผา่ นมาขด L3 L 3 ไม่มีศกั ยต์ กคร่อม จึงทาให้ C2 ที่ประจุไฟไวค้ ายประจุผา่ น L3 ศกั ยต์ กคร่อมจุดตา่ ง ๆ จะสลบั จากคร้ังแรก (จากลบเป็นบวก และจากบวกเป็ นลบ) การทางานของวงจรจะเป็นเช่นน้ีเรื่อยไป ทาให้เกิดสัญญาณไฟกระแสสลบั ตกคร่อมที่ จุด(1), (3) มีศกั ยเ์ ป็นบวก และศกั ยเ์ ป็นลบ ตกคร่อมสลบั กนั ตลอดเวลา เหน่ียวนาผา่ นขดลวด L1 มีศกั ย์ตกคร่อม L1 ที่จุด (4), (5) ศกั ยต์ กคร่อมสลบั กนั มาประจุ C1 C 1 จะประจุและคายประจุสลบั กนั L1จะเกิดสนามแมเ่ หล็กยบุ ตวั และพองตวั สลบั กนั เกิดสญั ญาณความถ่ีข้ึนมามีคา่ คงท่ีป้ อนออกเอาทพ์ ทุ ความถ่ีจะถูกกาหนดโดยคา่ เรโซแนนท์ ของ L1 C1 VR1 ทาหนา้ ท่ีปรับระดบั การทางานของ Q1 ใหท้ างานมากหรือนอ้ ย ทาให้ระดบั ความแรงของสัญญาณที่ออกเอาทพ์ ุทมากหรือนอ้ ยดว้ ย C 3 ทาหนา้ ท่ีกาจดั สญั ญาณรบกวนที่เกิดข้ึนให้หมดไป6.5 วงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล (Crystal Oscillator) วงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล เป็นแบบท่ีนิยมใชง้ านมากท่ีสุด เพราะมีเสถียรภาพทางความถี่ดีมาก มีความถ่ีคงที่ตลอดเวลา ใชอ้ ุปกรณ์คริสตอลเป็นตวั สร้างความถี่ คริสตอล (Crystal)มีความหมายวา่ ผลึก นนั่ ก็คือผลึกของวสั ดุบางชนิด เช่น ควอร์ท (Quartz) ทวั ร์มาลิน (Tourmalin)และเกลือหินโรเชลล์ (Rochelle Salts) วสั ดุเหล่าน้ีรวมเรียกวา่ ไพโซอิเล็กทริก (Piezo-Electric) มีคุณสมบตั ิ 2 ประการดงั น้ีคือ 1. ถา้ วางคริสตอลบนแผน่ โลหะ 2 แผน่ และออกแรงกดบนแผน่ โลหะท้งั สองขา้ งในทิศทางตรงขา้ มกนั จะเกิดแรงดนั ท่ีแผน่ โลหะท้งั สอง 2. ถา้ ป้ อนกาลงั ไฟฟ้ าเขา้ ท่ีแผน่ โลหะท้งั สองจะทาใหค้ ริสตอลสน่ั เกิดความถ่ีข้ึนมา

- 121 - ตวั คริสตอลมีวงจรสมมูล (Equivalent Circuit) หรือวงจรเทียบเท่าคลา้ ยกบั วงจรเรโซแนนท์ LC แบบขนาน ลกั ษณะรูปร่าง สญั ลกั ษณ์ และวงจรสมมลู แสดงไดด้ งั รูปท่ี 6.5 C L C Rตัวเก็บประจุเกดิ จากแผ่นโลหะประกบ ตัวคริสตอลรูปที่ 6.5 สญั ลกั ษณ์ วงจรสมมูลของคริสตอลและลกั ษณะรูปร่างจริง ท่ีมา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 65 อุปกรณ์จาพวกคริสตอลเป็ นอุปกรณ์ที่ค่อนขา้ งจะบอบบาง ดงั น้นั คริสตอลจึงตอ้ งทางานท่ีระดบั พลงั งานต่า ๆ หรือในขณะใชง้ านเป็นตวั กระตุน้ จะตอ้ งไมใ่ หร้ ะดบั แรงดนั ตกคร่อมตวั มนัมากเกินไป จะทาใหต้ วั คริสตอลเกิดความร้อนมากและจะทาใหค้ วามถ่ีท่ีผลิตข้ึนมาเปลี่ยนไป จึงนิยมใชเ้ ป็นตวั กระตุน้ วงจรกาเนิดความถ่ีอีกคร้ังหน่ึงเพอ่ื ทาใหค้ วามถี่มีค่าเสถียรภาพสูง VCC C2 R1 L1 C3 T1 C1 R2 Q1 C4 L2 L3 O/PXTAL รูปท่ี 6.6 วงจรกาเนิดความถี่แบบคริสตอลที่มา : พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ 2540 หนา้ 67

- 122 - วงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล จะประกอบดว้ ยอุปกรณ์ที่ทาหนา้ ที่ต่าง ๆ ดงั น้ี คือ XTAL เป็นคริสตอลทาหนา้ ที่กาเนิดความถี่คงที่ค่าหน่ึง Q1 เป็นวงจรขยายความถ่ี R1,R2 เป็ นวงจรแบ่งแรงดนั จดั การไบอสั ใหข้ าเบสของ Q1 L1 เป็นขดลวดที่กาหนดใหเ้ ฉพาะแรงดนั ไฟ DC ผา่ นไปขา C ของ Q1 และป้ องกนั ความถี่ท่ีกาเนิดข้ึนมาออกไปทางแหล่งจา่ ย Vcc C4, L2,L3 เป็นชุดเรโซแนนทส์ ัญญาณออกเอาทพ์ ทุ ท่ีมีความถ่ีคงท่ี C1 เป็นตวั ส่งผา่ นสญั ญาณความถ่ีที่กาเนิดข้ึนมาจากคริสตอลไปใหข้ าเบสของ Q1 C2 เป็นตวั กาจดั สัญญาณรบกวนทิ้งลงกราวด์ C3 เป็นตวั ส่งผา่ นสญั ญาณความถ่ีท่ีกาเนิดข้ึนมาออกทางเอาทพ์ ุท จากรูปท่ี 6.6 เป็นวงจรกาเนิดความถี่แบบคริสตอล โดยใชค้ ริสตอลเป็นตวั กาเนิดความถี่ป้ อนใหข้ า B ของ Q1 Q1 จะนากระแสเปล่ียนแปลงมากข้ึนหรือนอ้ ยลงตามการเปล่ียนแปลงของไบอสั ที่ป้ อนให้ ถา้ ขาบนของคริสตอลเป็ นบวก ขาล่างเป็ นลบ Q1 จะนากระแสมากข้ึน และถา้ ขาบนของคริสตอลเป็ นลบ ขาล่างเป็นบวก Q1 จะนากระแสนอ้ ยลง ไดส้ ัญญาณขาออก C ของ Q1 ไปตกคร่อม L1 ผา่ น C3 คบั ปลิ้งสญั ญาณผา่ นไปตกคร่อมชุดเรโซแนนทข์ นาน C4 L2 เหนี่ยวนาผา่ น L3เป็นสัญญาณเอาทพ์ ุทท่ีมีความถ่ีคงท่ีตลอดเวลาบทสรุป วงจรออสซิลเลเตอร์มีหลายแบบ เช่น วงจรกาเนิดความถี่แบบอาร์มสตรอง วงจรกาเนิดความถี่แบบฮาร์ทเลย์ วงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ตส์ วงจรออสซิลเลเตอร์แบบบล็อกกิ้ง และวงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล วงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอลเป็นแบบที่นิยมใชง้ านมากท่ีสุด เพราะมีเสถียรภาพทางความถี่ดีมาก มีความถ่ีคงที่ตลอดเวลา ใชอ้ ุปกรณ์คริสตอลเป็นตวั สร้างความถี่ คริสตอล(Crystal)มีความหมายวา่ ผลึก นนั่ ก็คือผลึกของวสั ดุบางชนิด เช่น ควอร์ท ทวั ร์มาลิน และเกลือหินโรเชลล์วสั ดุเหล่าน้ีรวมเรียกวา่ ไพโซอิเล็กทริก อุปกรณ์จาพวกคริสตอลเป็นอุปกรณ์ที่ค่อนขา้ งจะบอบบาง ดงั น้นั คริสตอลจึงตอ้ งทางานท่ีระดบั พลงั งานต่า ๆ หรือในขณะใชง้ านเป็ นตวั กระตุน้

- 123 -1. Armstrong Oscillator ศัพท์สาคญั ในหน่วยที่ 62. Blocking Oscillator3. Common Emitter วงจรกาเนิดความถี่แบบอาร์มสตรอง4. Coupling วงจรกาเนิดความถ่ีแบบบลอ๊ กกิ้ง5. Colpitts Oscillator อิมิตเตอร์ร่วม6. Crystal Oscillator คบั ปลิ้ง7. Equivalent Circuit วงจรกาเนิดความถ่ีแบบโคลปิ ทส์8. Forward Bias วงจรกาเนิดความถี่แบบคริสตอล9. Hartley Oscillator วงจรสมมูลย์10. Piezo-electric ไบอสั ตรง11. Rochelle Salts วงจรกาเนิดความถ่ีแบบฮาร์ทเลย์12. Stabilize Resistor ไพโซอิเล็กทริก13. Voltage Divider เกลือหินโรเชลล์14. Tourmalin ตวั ตา้ นทานสเตบิไลซ์ วงจรแบง่ แรงดนั ทวั ร์มาลิน

- 124 - บรรณานุกรมชิงชยั วรรณรักษ.์ แผนการสอนแยกย่อยแบบพศิ ดาร. หนองคาย :ประพนั ธ์ พิพฒั นสุข และวลิ าวลั ย์ โฉมเฉลา. ทฤษฎเี คร่ืองรับวทิ ยุ AM-FM. กรุงเทพ ฯ : สานกั พมิ พ์ ศนู ยส์ ่งเสริมอาชีวะ.พนั ธ์ศกั ด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ.์ ทฤษฎเี ครื่องรับวิทย.ุ กรุงเทพ ฯ : สานกั พมิ พ์ ศนู ยส์ ่งเสริมอาชีวะ.พนั ธ์ศกั ด์ิ พุฒิมานิตพงศ.์ ทฤษฎเี ครื่องรับวิทย.ุ กรุงเทพ ฯ : สานกั พมิ พ์ ศนู ยส์ ่งเสริมวชิ าการ.พนั คา ช่อวงศ.์ เคร่ืองส่งวทิ ยุและสายอากาศ. กรุงเทพ ฯ : สานกั พมิ พ์ ศูนยส์ ่งเสริมอาชีวะ.น.ท. วโิ รจน์ แกว้ จนั ทร์. ทฤษฎเี ครื่องส่งวิทย.ุ บริษทั สกายบุก๊ ส์ จากดั .ร.ต.อ. สุชาติ กงั วารจิตต.์ เคร่ืองรับส่งวทิ ยุและระบบวทิ ยุสื่อสาร. กรุงเทพ ฯ : ซีเอด็ ยเู คชน่ั , 2532.GEORGE KENNEDY. ELECTRONIC COMMUNICATION SYSTEM. THIRD EDITION : McGRAW-HILL. 1984.WILLIAM SCHWEBER. ELECTRONIC COMMUNICATION SYSTEM. A CompleteCourse Fourth Edition :Prentice Hall. 2002.

- 125 - แบบฝึ กหดั หน่วยท่ี 6ตอนท่ี 1 จงเติมคาในช่องวา่ งและตอบคาถามในขอ้ ตอ่ ไปน้ีใหม้ ีความถูกตอ้ งสมบูรณ์มากท่ีสุด1. วงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์มสตรอง อุปกรณ์ใดทาหนา้ ท่ีเป็นชุดสร้างความถ่ี ......................................................................................................................................................... .........................................................................................................................................................2. วงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ C2 ทาหนา้ ที่อะไร .........................................................................................................................................................3. จงบอกความแตกตา่ งของวงจรออสซิลเลเตอร์แบบโคลปิ ตส์และวงจรออสซิลเลเตอร์แบบ ฮาร์ทเลย์ ....................................................................................................................................................... ........................................................................................................................................................4. วงจรออสซิลเลเตอร์แบบบล็อกกิ้ง D1 จะทาหนา้ ที่อะไร .........................................................................................................................................................5. วงจรออสซิลเลเตอร์แบบใดนิยมใชม้ ากที่สุด เพราะอะไร ........................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................

- 126 -ตอนที่ 2 จงเขียนรูปวงจรออสซิลเลเตอร์ต่อไปน้ี (ไม่อนุญาตให้เปิ ดหนงั สือ)1. จงเขียนรูปวงจรออสซิลเลเตอร์แบบอาร์สตรอง มาใหถ้ ูกตอ้ ง2. จงเขียนรูปวงจรออสซิลเลเตอร์แบบฮาร์ทเลย์ มาใหถ้ ูกตอ้ ง3. จงเขียนรูปวงจรออสซิลเลเตอร์แบบคริสตอล มาใหถ้ ูกตอ้ ง

- 127 - แบบทดลองฝึ กปฏบิ ตั ทิ ้ายหน่วยที่ 6 วงจร Crystal Oscillatorจุดประสงค์เชิงพฤตกิ รรม1. ประกอบวงจร Crystal Oscillator ได้2. วดั และทดสอบวงจร Crystal Oscillator ได้เคร่ืองมือและอุปกรณ์ 1 เครื่อง1. ออสซิลโลสโคป (Oscilloscope) 2 ตวั2. R 300  2 ตวั3. R 120  1 ตวั4. R 15 k 1 ตวั5. R 47 k 2 ตวั6. C .01 F 2 ตวั7. C 18 pF 1 ตวั8. C 100 pF 1 ตวั9. C 500 pF 2 ตวั10. C 100 F 1 ตวั11. ขดลวด 1 ตวั12. ขดลวดปรับคา่ ได้ 1 ตวั13. XTAL 16 MHz. 1 ตวั14. วาริแอก 1 ตวั15. ทรานซิสเตอร์ BC5448 1 ตวั16. เฟท 2N3819 1 แผง17. แผงต่อวงจร 30 เส้น18. สายต่อวงจร

- 128 -ลาดบั ข้นั การปฏิบตั ิ1. ประกอบวงจร Crystal Oscillator ตามรูปที่ 6.7 +VCC 100 μF 15 K 0.01 Ld 0.01 OUTPUT BC 5448 2N3819 18 18 300 100 μFX-TAL 47 K 50016 MHz 101 300 120 VC รูปที่ 6.7 วงจร Crystal Oscillator2. นาออสซิลโลสโคปมาวดั สัญญาณที่จุด Output ของวงจรออสซิลเลเตอร์3. ปรับคา่ L1 ใหไ้ ดร้ ูปคลื่น Sine Wave ที่จุด Output ที่สมบรู ณ์ท่ีสุด4. บนั ทึกค่าความแรงของสัญญาณ และคา่ ความถี่ที่ไดพ้ ร้อมท้งั วาดรูปคล่ืนลงในตารางกราฟที่ 6.1 คา่ แรงดนั = …………….. Vp-p คา่ ความถี่ = …………….. Hz. ตารางกราฟที่ 6.1

- 129 -สรุปผลการทดลอง………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

- 130 - ใบประเมนิ ผลการปฏบิ ตั ิงาน แบบทดลองฝึ กปฏิบตั ทิ ้ายหน่วยท่ี 6 วงจร Crystal Oscillatorลาดบั หวั ขอ้ ประเมิน ผา่ น ไมผ่ า่ น ที่1 การเตรียมอุปกรณ์และเคร่ืองมือ 2.1 การเตรียมอุปกรณ์การทดลอง 2.2 การเตรียมเคร่ืองมือวดั (มิเตอร์ ออสซิลโลสโคปและอื่น ๆ)2 ความรู้ความสามารถในการปฏิบตั ิงาน 3.1 ต่อวงจร Crystal Oscillator ไดถ้ ูกตอ้ ง 3.2 วดั สญั ญาณเอาตพ์ ุตของวงจร Crystal Oscillator ไดอ้ ยา่ งถูกตอ้ ง 3.3 บนั ทึกค่าความแรงของสัญญาณไดถ้ ูกตอ้ ง รวมคะแนนหมายเหตุ เกณฑก์ ารประเมินผล หวั ขอ้ ที่ผา่ นในคร้ังแรกจะไดค้ ะแนนเตม็ 1 คะแนน ถา้ ผา่ นคร้ังท่ี 2 จะไดค้ ะแนน 0.5 คะแนน ถา้ ไม่ผา่ นคร้ังท่ี 2 ไดค้ ะแนน 0 คะแนนขอ้ แนะนา……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ลงช่ือ ................................................ ผปู้ ระเมิน (.............................................)

- 131 - แบบประเมนิ ผลหน่วยท่ี 6จงทาเคร่ืองหมาย  ลงในคาตอบท่ีถูกตอ้ งท่ีสุด1. จะเกิดอะไรข้ึนกบั ขดลวด เม่ือสนามแม่เหลก็ ในขดลวดยบุ ตวั ลงตดั ผา่ นตวั เองก. คลื่นสนามแม่เหลก็ ข. แรงเคล่ือนไฟฟ้ าชกั นาค. สนามไฟฟ้ าพองตวั เตม็ ท่ี ง. ความร้อนและสนามแม่เหลก็2. จากรูปที่ 6.8 เป็นวงจรออสซิลเลเตอร์แบบใด T1 Q1 R3 C3 L1 L2 O/P C1 R1 R2 C2 VCC รูปที่ 6.8ก. ฮาร์ทเลย์ ข. บล็อกกิ้งค. โคลปิ ตส์ ง. อาร์มสตรอง3. จากวงจรรูปท่ี 6.8 อุปกรณ์ใดทาหนา้ ที่เป็ นวงจรป้ อนกลบั ทางบวก ก. L 1 ข. L 2 ค. C 2 ง. C 34. จากรูป 6.9 เป็นวงจรออสซิลเลเตอร์แบบใด C2 C4 R2 O/P L1 LLAB C1 R1 Q1 VCC C3ก. อาร์มสตรอง รูปที่ 6.9ค. โคลปิ ตส์ ข. ฮาร์ทเลย์ ง. บล็อกกิ้ง

- 132 -5. จากวงจรรูปที่ 6.9 อุปกรณ์ใดทาหนา้ ท่ีเป็นวงจรป้ อนกลบั ทางบวก ก. L 1 ข. L 2 ค. C 2 ง. C 36. การทางานของตวั ทรานซิสเตอร์ที่ต่อวงจรแบบอิมิตเตอร์ร่วม (Common Emitter)จะเป็นอยา่ งไรก. สญั ญาณอินพุทกบั สญั ญาณเอาทพ์ ุทมีเฟสเหมือนกนัข. สญั ญาณอินพุทกบั สัญญาณเอาทพ์ ุทมีเฟสต่างกนั 90 ค. สญั ญาณอินพทุ กบั สัญญาณเอาทพ์ ทุ มีเฟสตา่ งกนั 180 ง. สัญญาณอินพุทนาหนา้ สัญญาณเอาทพ์ ุทมีเฟสต่างกนั 90 7. วงจรกาเนิดความถ่ีแบบใด ที่คลา้ ยวงจรกาเนิดความถี่แบบฮาร์ทเลย์ก. วงจรกาเนิดความถ่ีแบบอาร์มสตรอง ข. วงจรกาเนิดความถ่ีแบบโคลปิ ทส์ค. วงจรกาเนิดความถี่แบบบลอ๊ กกิ้ง ง. วงจรกาเนิดความถี่แบบคริสตอล8. จากรูปท่ี 6.10 อุปกรณ์ใดที่ทาหนา้ ท่ีกาจดั สัญญาณรบกวน C3 C6 L1 C1 O/P C2 C4 Q1 R1 R2 C5 VCC รูปที่ 6.10 ก. C 3 ข. C4 ค. C5 ง. C69. ขอ้ ใดไมใ่ ช่วสั ดุท่ีเรียกวา่ ไพโซอิเลก็ ตริกก. ทวั ร์มาลิน ข. หินเกลือค. ควอร์ท ง. หินโรเชลล์10. วงจรกาเนิดความถี่แบบใดท่ีนิยมมากท่ีสุดก. วงจรกาเนิดความถี่แบบอาร์มสตรอง ข. วงจรกาเนิดความถ่ีแบบโคลปิ ทส์ค. วงจรกาเนิดความถี่แบบบลอ๊ กกิ้ง ง. วงจรกาเนิดความถ่ีแบบคริสตอล