ใบความรู้หน่วยที่ 6 ทรานซิสเตอร์

บทท่ี 6 ทรานซสิ เตอร์6.1 บทนา ทรานซิสเตอร์ (Transistor) จัดเป็นอุปกรณ์จาพวกโซลิดสเตต (Solid state) คือผลิตข้ึนมาจากสารก่ึงตวั นา ถกู นามาใช้งานในลักษณะการเป็นสวิตช์ทางอิเล็กทรอนิกส์ หรอื นาไปใช้ขยายสัญญาณ ขยายกาลัง ถูกสร้างข้ึนมาเพ่ือใช้งานแทนอุปกรณ์จาพวกหลอดสุญญากาศ เน่ืองจากว่ามีขนาดเล็ก กินพื้นท่ีท่ีใช้ในการติดต้ังน้อยกินกาลังไฟต่า ประกอบด้วยรอยต่อของสารกึ่งตัวนาจานวน 3 ช้ิน มีขาสาหรับต่อใช้งาน 3 ขา คือขาเบส (Base ;B) ขาอมิ ติ เตอร์ (Emitter ; E) และขาคอลเลคเตอร์ (Collector ; C)6.2 โครงสรา้ ง สัญลกั ษณแ์ ละชนดิ ตา่ งๆ ของทรานซิสเตอร์ โดยท่วั ไปเราแบ่งทรานซสิ เตอรต์ ามโครงสรา้ งได้ 2 ชนดิ คอื 1. NPN ทรานซสิ เตอร์ก) โครงสร้าง ข) สัญลักษณ์รูปที่ 6.1 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ชนดิ NPNจากรูปที่ 6.1 ก) จะเห็นว่าโครงสร้างของทรานซิสเตอร์ NPN ประกอบด้วยสารก่ึงตัวนาซิลิกอน ชนิด Nและชนิด P ท่ีนามาประกบกัน 3 ช้ิน (ปัจจุบันไม่นิยมใช้สารกึ่งตัวนาเยอรมันเนียมเพราะมีกระแสร่ัวไหลสูง) จะสังเกตเห็นว่ารอยต่อระหว่างเบส (B) กับคอลเลคเตอร์ (C) หรือเบสกับอิมิตเตอร์ (E) เหมือนรอยต่อของไดโอดดังนั้นการตรวจสอบทรานซิสเตอร์จึงมักหาขา B ก่อนซึ่งจะทาใหเ้ ราทราบชนดิ ของทรานซสิ เตอร์ด้วย ส่วนในรูปท่ี6.1 ข) น้นั จะเปน็ สัญลักษณ์ท่ใี ช้กันโดยท่วั ไป ขาเบสจะอย่บู รเิ วณส่วนกลาง ขาคอลเลคเตอร์จะไมม่ หี ัวลกู ศรแต่ขาอิมติ เตอร์ซงึ่ อย่ตู รงข้ามกับขาคอลเลคเตอร์จะมหี ัวลูกศรชอ้ี อกด้านนอก

2. PNP ทรานซสิ เตอร์ก) โครงสรา้ ง ข)สญั ลักษณ์รูปที่ 6.2 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซสิ เตอรช์ นดิ PNP จากรปู ท่ี 6.2 ก) ทรานซสิ เตอร์ชนิด PNP ยังคงมโี ครงสร้างทป่ี ระกอบดว้ ยสารก่ึงตัวนาซิลิกอนชนิด Nและ P เหมอื นทรานซสิ เตอร์ชนิด NPN แต่จะมสี ารชนิด P อยู่ 2 ชนิ้ และจะมีสารชนดิ N อยเู่ พยี งชน้ิ เดียว ส่วนในรปู 6.2 ข) นั้นจะเป็นสญั ลกั ษณท์ ่ใี ชง้ านลกั ษณะยังคงเหมือนกบั ทรานซิสเตอร์ชนิด NPN จะต่างกันก็ตรงทด่ี า้ นขาอิมติ เตอรห์ ัวลูกศรจะช้เี ข้าด้านใน อย่างไรกต็ ามขาของทรานซิสเตอรท์ ง้ั 2 ชนดิ จะมี 3 ขา เหมือนกันมีโครงสร้างเหมือนกันคือ ขาเบส (Base ; B) อยู่ตรงส่วนกลางก้ันระหว่างขา C และ E มีพื้นท่ีเนื้อสารตามโครงสร้างน้อยที่สุดและกระแสไหลทขี่ านีน้ อ้ ยท่ีสุด เรยี กวา่ กระแสเบส (IB) ขาคอลเลคเตอร์ (Collector ; C) จะมีการโด๊ปสาร หรือมีการเติมสารเจือปน ลงในโครงสร้างใหญ่ท่ีสุดกระแสไหลทข่ี าน้ีเกอื บเทา่ กับขา E แต่นอ้ ยกว่า เรียกวา่ กระแสคอลเลคเตอร์ (IC) ขาอมิ ิตเตอร์ (Emitter ; E) เปน็ ขาที่มโี ครงสร้างในการโด๊ปสารเจือปนมากรองลงมาจากขา C กระแสไหลทขี่ าน้ีมีมากทีส่ ุด เรียกวา่ กระแสอิมติ เตอร์ (IE) มีขอ้ สังเกตเบือ้ งต้นบางประการ ในการทีเ่ ราจะนาทรานซิสเตอรม์ าใชง้ านเพื่อใหท้ ราบว่าทรานซิสเตอรต์ ัวนัน้ ๆ เป็นชนดิ NPN หรือ PNP คือ ถ้าเบอรข์ องทรานซสิ เตอร์ขนึ้ ต้นด้วย 2SA หรือ A จะเป็นชนิด PNP และถูกจัดอย่ใู นจาพวกทรานซสิ เตอร์ใช้งานกับยา่ นความถีส่ งู หรอื RF (Radio frequency) ถา้ เบอร์ของทรานซิสเตอร์ขึ้นต้นด้วย 2SB หรอื B จะเปน็ ชนิด PNP และถูกจดั อย่ใู นจาพวกทรานซิสเตอร์ใช้งานกับย่านความถต่ี า่ หรือความถเี่ สยี ง AF (Audio frequency) ถ้าเบอร์ของทรานซสิ เตอร์ขึ้นต้นด้วย 2SC หรือ C แสดงว่าเป็น NPN ทรานซิสเตอร์ ใช้งานกับย่านความถ่ีสูงหรือ RF (Radio frequency) ถ้าเบอร์ของทรานซิสเตอรข์ ึน้ ตน้ ด้วย 2SD หรอื D แสดงว่าเป็น NPN ทรานซิสเตอร์ ใช้งานกับยา่ นความถี่ตา่ หรือความถเี่ สียง AF (Audio frequency) อย่างไรก็ตาม วิธีที่ดีท่ีสุดที่จะทาให้ทราบชนิดของทรานซิสเตอร์ ก็คือการตรวจสอบด้วยการใช้โอห์มมิเตอรห์ รอื ดูจากคู่มือทรานซิสเตอร์ (Transistor Data Book)

6.3 การจัดไบแอสทรานซิสเตอร์ การที่จะให้ทรานซิสเตอร์ทางานได้น้นั เราจะต้องต่อแหลง่ จ่ายไฟตรงเล้ยี งทรานซสิ เตอร์ให้ครบทงั้ 3 ขาเพอื่ ให้อยใู่ นสภาพพร้อมใช้งานเรยี กว่า ไบแอสทรานซสิ เตอรซ์ ่งึ ในการไบแอสทรานซสิ เตอรจ์ ะต้องให้ไดก้ ารไหลของกระแสทขี่ าตา่ ง ๆ เป็นไปตามสมการดังนี้คือ IE = IC + IB …………………………………(6.1) เมอ่ื IE = กระแสที่ไหลในขาอมิ ิตเตอร์มีค่ามากทีส่ ดุ IC = กระแสที่ไหลในขาคอลเลคเตอรม์ คี ่ามากรองจาก IE IB = กระแสที่ไหลในขาเบสมคี า้ น้อยทส่ี ุดก) การไบแอสรอยตอ่ B – E ข) การไบแอสรอยตอ่ B – Cรูปท่ี 6.3 การไบแอสรอยต่อทรานซิสเตอร์พจิ ารณารูปที่ 6.3 ถ้าเราทาการไบแอสรอยต่อของทรานซิสเตอร์ โดยให้แยกพิจารณาทีละรอยต่อจะเห็นว่าใน รูปท่ี 6.3 ก) เป็นการไบแอสตรงรอยต่อท่ีขา B – E สว่ นในรูปท่ี 6.3 ข) เป็นการไบแอสตรงรอยต่อท่ีขา B –C ซึ่งท้ัง 2 กรณีจะมีกระแสไหลผ่านรอยต่อ B – E และ B- C ได้ แต่ถ้าทาการไบแอสพร้อมกันทั้งรอยต่อ B – Eและ B – C เราจะไม่สามารถนาการไบแอสท้ัง 2 กรณีน้ีมารวมกันได้ เน่ืองจากท่ีขา B จะมีกระแสไหลผ่านมากที่สุด ซ่ึงผิดหลักการของทรานซิสเตอร์ที่ขา E จะมีกระแสไหลผ่านได้มากท่ีสุด ขา C มีกระแสไหลผ่านรองลงมาและขา B จะตอ้ งเป็นขาท่ีมกี ระแสไหลผา่ นได้น้อยที่สดุ ดังน้นั การใหไ้ บแอสที่ถูกต้องจึงตอ้ งให้ไบแอสดงั รปู ที่ 6.4รปู ท่ี 6.4 การไบแอสทรานซิสเตอร์ NPN

พิจารณารูปที่ 6.4 เปน็ การไบแอสทรานซสิ เตอร์ NPN เพื่อให้ทางาน เราจะให้ไบแอส ตรงทบ่ี ริเวณรอยต่อB–E กอ่ น หลังจากนนั้ พิจารณาทศิ ทาง การไหลของกระแสนยิ ม(การเคล่ือนท่ีของโฮล) ตามสมการที่ 6.1 ระบุไวว้ ่า IE=IC+IB ซึ่งจากรูปท่ี 6.4 จะเห็นวา่ กระแส IE ทไี่ หลออกจากขา E เม่อื มาถึงยังจดุ ตอ่ ระหว่างขา B กบั C ค่า IE จะถูกแบง่ ออกไปเปน็ IB ส่วนหน่งึ และเปน็ IC อีกส่วนหนึง่ กระแส IB น้ีจะไหลกลับเข้าไปยังขา B ส่วนกระแส IC ก็จะไหลกลับเข้าไปยังขา C ซ่ึงหลักการนี้ก็นาไปใช้ในการจัดไบแอสให้กับทรานซสิ เตอร์ชนิด PNP เช่นเดียวกัน (รปู วงจรทพ่ี จิ ารณาจะยงั ไมค่ ิดเรือ่ งโหลด) รูปที่ 6.5 การไบแอสทรานซสิ เตอร์ PNP จากรปู ท่ี 6.5 เราจะยงั ไม่คิดเรื่องโหลดเช่นเดียวกบั รปู ท่ี 6.4 จะเห็นว่ากระแส IE ที่ไหลเข้าไปยงั ขา E จะถกู แบ่งออกไปเป็น IB สว่ นหนึง่ และเป็น IC อีกส่วนหนง่ึ กระแส IB นจ้ี ะไหลออกจากขา B ส่วนกระแส IC กจ็ ะไหลออกจากขา C แลว้ ไปรวมกนั ณ จุดตอ่ กลายเปน็ IE อีกครัง้ หนงึ่ ซึง่ ก็ยังคงมีหลักการเป็นไปตามสมการที่ 6.1นั่นเอง

6.4 คุณลักษณะของทรานซิสเตอร์ เมื่อทาการไบแอสทรานซสิ เตอรไ์ ดแ้ ลว้ เราก็สามารถทจ่ี ะนามาตอ่ วงจรเพื่อหาคณุ ลักษณะไดด้ ังรปู ท่ี 6.6 รปู ท่ี 6.6 วงจรการหาคุณลักษณะของทรานซสิ เตอร์ชนดิ NPN วงจรในรูปท่ี 6.6 จะต้องให้ไบแอสทรานซิสเตอร์ครบทุกขาวงจรจึงจะทางาน โดยถ้าปรับแหล่งจ่าย VCCคงท่ที คี่ า่ ๆ หน่งึ แล้วปรับแหลง่ จ่าย VBB เพ่ิมจากคา่ ศูนย์ข้ึนมา ค่า IB กจ็ ะเพิม่ ตาม ต่อมาถ้าหยุดทาการปรับ VBB แตไ่ ปปรับ VCC เพมิ่ ข้ึนค่า IC จะเปล่ียนแปลงเพ่ิมข้นึ น้อยมากหรือแทบจะไม่เพิ่มข้นึ เลย ณ จดุ นเ้ี รยี กวา่ กระแสคอลเลคเตอร์ (IC) เกดิ การอมิ่ ตัว (Saturate) ครั้นต่อมาทาการปรับเพิ่มค่า VBB จะทาให้ IB เปลี่ยนแปลงค่าเพ่ิมข้ึน ปรากฏการณ์ที่ได้คือ ค่า IC จะเพิ่มข้ึนตาม IB และเมื่อหยุดปรับ VBB ไปทาการปรับเพิ่ม VCC ค่า IC ก็จะเปล่ียนแปลงเพ่ิมขึ้นน้อยมากและเข้าสู่สภาวะอมิ่ ตวั อีกครัง้ หน่ึง ขอ้ สังเกต ในขณะเพ่ิมคา่ IB แล้วจะทาให้ค่า IC เพิ่มตาม ส่วนค่าแรงดัน VCE จะลดลง เม่ือ IC เพ่ิม ค่า VRLจะเพิม่ ตามค่า IC และข้อสังเกตอีกประการหน่งึ ก็คอื ค่าแรงดนั VBE ขณะวงจรทรานซิสเตอร์นากระแส จะมีค่าคงที่อยู่ท่ีประมาณ 0.6 V – 0.7 V (เป็นค่าแรงดันตกคร่อมรอยต่อที่ P–N ขณะไบแอสตรงเหมือนไดโอด) จึงสรุปคุณลักษณะของทรานซิสเตอร์ได้ว่าค่าของกระแส IC ข้ึนอยู่กับค่ากระแส IB โดยเขียนเป็นสมการความสัมพันธ์ได้ดังนี้ IC = IB ……………………………………………..(6.2) เมือ่  = อตั ราขยายทางกระแสของทรานซสิ เตอร์ IC = กระแสไฟฟา้ ท่ีไหลผ่านขาคอลเลคเตอร์ IB = กระแสไฟฟ้าที่ไหลผา่ นขาเบส จากรูปที่ 6.6 เราสามารถเขียนความสมั พนั ธด์ งั กลา่ วขา้ งต้นออกมาเป็นรปู กราฟได้ดงั กราฟรูปท่ี 6.7

ก) ความสมั พันธ์อินพตุ ระหว่าง IB และ VBE ข) ความสัมพนั ธเ์ อาต์พตุ ระหว่าง IC และ VCEรูปที่ 6.7 ความสมั พันธข์ องทรานซสิ เตอรด์ ้านอนิ พุตและเอาตพ์ ตุจากรูปท่ี 6.7 ก) เป็นกราฟแสดงความสัมพันธ์ด้านอินพุตของทรานซิสเตอร์ระหว่างกระแสอินพุต IB และแรงดันอินพุต VBE เม่ือค่าแรงดันท่ีแหล่งจ่ายด้านอินพุตเพ่ิมข้ึน ค่าของกระแสอินพุต IB ก็จะเพ่ิมตาม เส้นกราฟในแนวแกนตั้งซึ่งเป็นแนวแกนของกระแส IB จะสูงข้ึนดังรูป แต่จะสังเกตเห็นว่าแรงดันตกคร่อมท่ีขา B-E ซ่ึงเรียกว่าคา่ แรงดัน VBE จะเริ่มเปลี่ยนแปลงนอ้ ยมากจนแทบคงที่ ซงึ่ ในทางการศกึ ษาจะมีคา่ อยู่ทปี่ ระมาณ 0.7 V และไม่ว่าคา่ ของกระแสอินพุต IB จะเพม่ิ ขน้ึ อีกเทา่ ใดกต็ าม ค่าแรงดนั อินพตุ VBE ก็จะถือว่ามีคา่ คงทอี่ ยูท่ ่ี 0.7Vพิจารณารูปที่ 6.7 ข) เป็นกราฟแสดงความสัมพันธ์ด้านเอาต์พุตระหว่างกระแสเอาต์พุต IC กับแรงดันเอาต์พุต VCE ซึง่ ก็จะเปน็ ความสัมพันธท์ ี่สืบเนื่องมาจากกระแสอินพุต IB น่ันคือ เม่ือเราทาการเพิ่มค่ากระแสอนิ พุตIB จะเป็นผลทาให้กระแสเอาต์พุต IC เพ่ิมตามถ้าทาการลดกระแสอินพุต IB ก็จะเป็นผลให้กระแสเอาต์พุต IC ลดตาม ดังน้ันค่ากระแสเอาต์พุต IC จะมีค่ามากหรือน้อยจึงขึ้นอยู่กับปริมาณของกระแสอินพุต IB น่ันเอง แต่ในขณะเดยี วกันค่าแรงดันเอาตพ์ ุต VCE กลับมคี า่ ลดลงความสัมพันธ์ด้านเอาต์พุต คือ ด้านท่ีเราจะนามาใช้งาน ซ่ึงถ้าพิจารณาความสัมพันธ์ด้านเอาต์พุตของทรานซสิ เตอร์ อาจพจิ ารณาความสัมพันธท์ ไี่ ดอ้ อกเป็นย่านตา่ ง ๆ ดงั น้คี ือ1. ย่านแอ็กทีฟ (Active region) เป็นย่านการทางานที่ค่าของกระแส IC และค่าของแรงดัน VCE ทางานตามคา่ ของกระแส IB ที่ปอ้ นใหก้ บั ขา B ถูกนาไปใช้ในวงจรขยายต่าง ๆ2. ยา่ นแซตจเู ลต (Saturation region) เปน็ ยา่ นทก่ี ระแส IC อมิ่ ตัว3. ยา่ นคัตออฟ (Cut – off region) เปน็ ยา่ นทที่ รานซสิ เตอร์ไม่นากระแสหรือคา่ กระแส IB มคี า่ เป็นศูนย์

รูปท่ี 6.8 ยา่ นการทางานต่างๆ ของทรานซิสเตอร์ จากรูปท่ี 6.8 จะเห็นว่า ย่านแซตจูเลต เป็นย่านที่ทรานซิสเตอร์นากระแสได้สูงที่สุดส่วนย่านคัตออฟเป็นย่านที่ทรานซิสเตอร์ไม่นากระแส ดังนั้น เราจึงนาย่านท้ังสองดังกล่าวมาใช้งานในวงจรการใช้ทรานซิสเตอร์เป็นสวิตช์ (Switching)1.1 การตรวจสอบทรานซสิ เตอร์ ก่อนท่ีจะนาทรานซิสเตอร์ไปใชง้ านนั้น จาเป็นอย่างยิ่งท่ีเราจะตอ้ งตรวจสอบทรานซิสเตอร์ วิธที สี่ ะดวกวิธีหนึง่ คือการตรวจสอบดว้ ยมัลตมิ เิ ตอร์แบบเข็มช้ี (Analog) ซ่ึงสามารถทาได้ดงั น้ี 6.4.1 วัดหาขาเบส ทรานซิสเตอร์ทุกชนดิ จะต้องหาขาเบสให้ได้กอ่ นเพราะถ้าทราบขาเบสก็จะทาใหเ้ ราทราบชนดิ ของทรานซิสเตอรด์ ้วยว่าเป็นชนิด NPN หรอื PNP วิธกี ารสามารถกระทาได้ดงั น้ี ต้ังมิเตอร์สเกล R x 1 หรือ R x 10 ใช้สายมิเตอร์ด้านขั้วบวกหรือลบ ขั้วใดขั้วหนึ่งเป็นหลักจับที่ขาใดขาหน่ึงของทรานซิสเตอร์เป็นหลัก เช่น ถ้าให้ขั้วบวกจับท่ีขาใดขาหนึ่งเป็นหลัก ก็จะนาข้ัวลบไปแตะ 2 ขาที่เหลือแล้วให้สังเกตว่า เข็มมิเตอร์กระดิกชี้ค่าความต้านทานเท่ากันทั้ง 2 คร้ังหรือไม่ ถ้าเข็มมิเตอร์กระดิกช้ีค่าความต้านทานเท่ากันท้ัง 2 คร้ังแสดงว่าที่ข้ัวบวกแตะอยู่เป็นหลักนั้นคือขาเบส และเป็นทรานซิสเตอร์ชนิด NPNเนอ่ื งจากขาเบสซ่ึงเปน็ รอยต่อท่ีอยู่ตรงกลางเปน็ สารชนิด P แตถ่ ้าวดั คร้ังแรกไม่ได้ ก็ให้ยา้ ยสายข้ัวบวกจับขาอนื่ อีก2 ขาไล่ไปเรื่อย ๆ จนกว่าเข็มมิเตอร์จะแสดงค่าความต้านทานเท่ากันทั้ง 2 คร้ัง (มิเตอร์ตระกูลญี่ปุ่น เช่น Sanwaจะมีข้ัวในการวัดความต้านทานไม่ตรงกับที่ระบุไว้ที่ตัวมิเตอร์ ถ้าตาแหน่งท่ีเป็น + ของมิเตอร์จะกลับเป็น – และตาแหน่งท่เี ป็น – จะกลับเปน็ +) พิจารณาการวัดขั้นตอนนีไ้ ด้จากรูปท่ี 6.9

รปู ท่ี 6.9 การตรวจสอบหาขาเบสของทรานซิสเตอร์ชนดิ NPN รูปท่ี 6.10 การตรวจสอบหาขาเบสของทรานซิสเตอรช์ นดิ PNP ในรูปที่ 6.9 น้ันจะเป็นการวัดหาขาเบสของทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ซ่ึงจะใช้สายข้ัวบวกเป็นหลักในการวัดหาขาเบสตามทีอ่ ธิบายไว้ข้างต้น แต่เมือ่ มาพจิ ารณารูปท่ี 6.10 จะเห็นว่า ถ้าเป็นทรานซสิ เตอร์ชนดิ PNP ขาเบสจะมีข้ัวลบของมิเตอร์มาจับเป็นหลักไว้และข้ัวบวกของมิเตอร์จะนาไปแตะกับ 2 ขาที่เหลือแล้วให้สังเกตว่า เข็มมเิ ตอร์กระดกิ ช้ีค่าความต้านทานเท่ากันทั้ง 2 ครงั้ หรือไม่ ถ้าเข็มมิเตอร์กระดิกชี้คา่ ความต้านทานเท่ากันทัง้ 2 คร้ังแสดงวา่ ทข่ี ว้ั ลบแตะอย่เู ปน็ หลักน้ันคือขาเบส และเป็นทรานซิสเตอร์ชนดิ PNP เน่ืองจากขาเบสซ่ึงเป็นรอยต่อทอี่ ยู่ตรงกลางเป็นสารชนิด N แต่ถา้ วดั คร้ังแรกแลว้ ไมไ่ ด้ ก็ใหย้ ้ายสายขั้วบวกจบั ขาอืน่ อกี 2 ขาไล่ไปเรื่อย ๆ จนกวา่ เข็มช้ีมิเตอร์จะแสดงค่าความต้านทานเท่ากันทั้ง 2 คร้ัง ซึ่งจะเห็นว่าวิธีการเหมือนกันกับการวัดหาขาเบสของทรานซสิ เตอร์ชนิด NPN จะต่างกันก็ตรงข้วั มิเตอรท์ จี่ บั กับขาเบสเปน็ หลักนั้นเป็นขว้ั บวกหรือขั้วลบเทา่ น้นั เอง 6.4.2 วัดหาขอคอลเลคเตอร์และขาอิมิตเตอร์ เม่ือหาขา B ได้แล้วก็ต้องมาหาขา C และ E ต่อไปซ่ึงวิธีการทาไดด้ ังนี้

รูปท่ี 6.11 การตรวจสอบหาขา C และ E ของทรานซิสเตอร์ชนิด NPN พิจารณารูปท่ี 6.11 ต้ังมิเตอร์ไปที่สเกล R x 10k ถ้าเป็นทรานซิสเตอร์ NPN จากเดิมท่ีขาเบสใช้ข้ัวบวกจับอยู่ ให้ย้ายเอาขั้วลบไปจับแทนแล้วนาขั้วบวกไปแตะกับ 2 ขาที่เหลือเพื่อท่ีจะทาการเทียบค่าความต้านทานไบแอสกลับท่ีรอยต่อกับขาเบส ถ้าปรากฏผลว่าขาใดท่ีวัดเทียบกับเบสแล้วเข็มมิเตอร์อ่านค่าความต้านทานได้แสดงว่าขาที่ไม่ทราบขานั้น คือขา E ส่วนอีกขาหนึ่งเม่ือวัดไบแอสกลับเทียบกับเบสเข็มมิเตอร์จะช้ีที่อินฟินิต้ี (∞)แสดงว่าเป็นขา C รูปท่ี 6.12 การตรวจสอบหาขา C และ E ของทรานซสิ เตอร์ชนิด PNP พิจารณารปู ท่ี 6.12 กรณนี เ้ี ปน็ ทรานซสิ เตอร์ชนดิ PNP ก็ใหป้ ฏิบัติเช่นเดยี วกันกบั ทรานซิสเตอรแ์ บบNPN เพียงแต่จากเดิมขาเบสคือขัว้ ลบแต่เมือ่ เป็น PNP กใ็ หน้ าขว้ั บวกไปจับขาเบสไว้แล้วนาข้วั ลบไปแตะกับ 2 ขาทีเ่ หลอื แล้วสังเกตผลเช่นเดียวกับแบบ NPN คือ ถ้าปรากฏผลว่าขาใดทว่ี ดั เทยี บกับเบสแลว้ เขม็ มิเตอร์อ่านคา่ ความตา้ นทานได้ แสดงวา่ ขาท่ีไม่ทราบขานั้น คือขา E สว่ นอกี ขาหน่งึ เม่ือวดั ไบแอสกลบั เทยี บกับเบสเข็มมิเตอร์จะช้ที ่ีอนิ ฟนิ ติ ้ี (∞) แสดงว่าเป็นขา C

สาหรับทรานซิสเตอร์ซิลิกอนบางตัว จะมีความต้านทานขณะไบแอสกลับท่ีรอยต่อ CB และ EB สูงมากการวัดตามวิธีการข้างต้นอาจหาได้แค่เพียงขาเบสและชนิดของทรานซิสเตอร์เท่าน้ัน จึงอาจจะต้องเปิดดูท่ีคู่มือทรานซิสเตอร์หรือตรวจสอบหาเบื้องต้นโดยใช้เทคนิคการไบแอสดังน้ี โดยสมมุติว่าขณะท่ีทรานซิสเตอร์ท่ีตรวจสอบเป็นชนดิ NPN ดงั รูปท่ี 6.13 รูปที่ 6.13 การวัดหาขา C และ E ของทรานซิสเตอร์ความต้านทานสูงชนิด NPN 1. ตั้งมลั ตมิ ิเตอร์ทย่ี ่าน Rx1 โดยใช้มลั ติมเิ ตอร์ Sanwa – YX360 TRE หรืออาจจะเป็นของ KYORITSU ก็ได้ (ต้งั ยา่ นสูงกว่านจ้ี ะไมเ่ ห็นความแตกตา่ ง) 2. นาสายมิเตอร์ขั้วบวกและขั้วลบไปจับขาทรานซิสเตอร์ทั้ง 2 ขา ท่ียังไม่ทราบใช้สายไฟแตะกับขาที่ข้ัวบวกจับอยู่ด้านหนึ่ง ส่วนปลายสายอีกด้านหนึ่งให้นาไปแตะที่ขาเบส จะเห็นเข็มมิเตอร์จะกระดิกช้ีค่าความตา้ นทานค่าหนึ่ง สงั เกตและจาค่าความตา้ นทานไว้ 3. ถา้ นาสายไฟแตะอีกขาหนึ่งท่ีขว้ั ลบจับอยู่ แล้วนาปลายสายอีกด้านหน่ึงไปแตะทีข่ าเบสเข็มมิเตอร์จะไม่กระดกิ 4.ต่อไปใหส้ ลบั สายระหวา่ งขว้ั บวกและลบจากตาแหน่งเดิมในครง้ั แรก 5.นาสายไฟแตะกับขาที่ข้ัวบวกจับอยู่ด้านหน่ึง ส่วนปลายสายอีกด้านหนึ่งให้นาไปแตะกับขาเบสเข็มมเิ ตอรจ์ ะกระดกิ ชี้ค่าความตา้ นทานค่าหนึ่ง สงั เกตและจาคา่ ความตา้ นทานไว้ 6.ถา้ นาปลายสายไฟแตะอีกขาหนึ่งท่ีข้ัวลบจับอยแู่ ล้วนาปลายสายอีกด้านหนึ่งไปแตะที่ขาเบส เข็มมิเตอร์จะไมก่ ระดิก 7.นากรณที ่ีเข็มมเิ ตอร์กระดิกชค้ี ่าความต้านทานท้ัง 2 ครั้ง มาเปรียบเทียบค่ากนั (สังเกตใหด้ ีเพราะค่าจะแตกต่างกันนอ้ ยมาก) 8.ถ้าข้ัวบวกจับท่ีขา C แล้วนาไฟบวกที่ขา C ไปแตะกับขา B ตามหลักของการให้ไบแอส ค่าความตา้ นทานท่ีอ่านได้จะนอ้ ยกวา่ กรณีท่ีขัว้ บวกไปจับขา E แล้วนาไฟบวกทขี่ า E ไปแตะขา B

9.ถ้าเปน็ PNP ทรานซสิ เตอร์ ก็ใหป้ ฏบิ ัติเช่นเดยี วกนั แต่หลักการไบแอสขา C จะต้องต่อกบั ขว้ั ลบ และขาB ตอ้ งดงึ ไฟลบจากขา C มาชว่ ยในการไบแอส ทาการวดั คา่ และสงั เกตเชน่ เดยี วกนั กบั ข้นั ตอน 1) ถึง 8)