ใบความรู้หน่วยที่ 4_เฟต

531. เฟต2. ประเภทและชนิดของเฟต3. เจเฟต4. มอสเฟต5. การวดั และทดสอบเฟต1. บอกชนิดและประเภทของเฟตได2. อธิบายโครงสรา งของเฟตได3. บอกสญั ลกั ษณของเฟตได4. อธบิ ายวธิ ีการไบอสั เฟตได5. อธิบายคุณสมบตั ทิ างไฟฟาของเฟตได6. อธิบายวิธกี ารวดั และทดสอบเฟตได

54 เฟต (FET) มชี ่ือเต็มวา ฟลด เอฟเฟค ทรานซสิ เตอร (Field Effect Transistor) หมายถงึ ทรานซิสเตอรทที่ าํ งานเนอ่ื งจากผลของสนามไฟฟา หรือทรานซสิ เตอรส นามไฟฟา ซงึ่ เปนอปุ กรณส ารกง่ึ ตัวนาํ ชนิดขัว้ เดยี ว (Uni -polar) มีลกั ษณะโครงสรา งและหลักการทํางานแตกตา งไปจากทรานซสิ เตอร เพราะทรานซิสเตอรเ ปนอปุ กรณสารกึ่งตวั นาํ ชนดิ 2 ขวั้ (Bipolar) ภาพที่ 4-1 แสดงรูปรางของเฟตทมี่ าของภาพ : http://miqn.net/periph/64.html การทํางานของทรานซสิ เตอร ตองอาศัยกระแสควบคุมการทาํ งาน ทั้งกระแสอเิ ลก็ ตรอนและกระแสโฮลสวนการทาํ งานของเฟตนั้น ตองใชแ รงดนั ควบคมุ กระแสเหมอื นกบั การทาํ งานของหลอดสญุ ญากาศ คือ กระแสจะถกู ควบคุมดวยสนามไฟฟา ทเี่ กดิ จากแรงดัน เฟต ไดรบั ความนิยมอยางแพรห ลายในปจ จุบนั เนื่องจากวา เฟต มคี ณุ สมบัตคิ ลายกบั หลอดสญุ ญากาศคอื มอี ินพทุ อมิ พีแดนซสงู มาก ทาํ ใหมขี อดตี อ วงจรขยายเสยี งเปนอยา งมาก ซึ่งนํามาใชง านการขยายสญั ญาณและใชงานในหนาท่ีตางๆ เชนเดียวกบั ทรานซสิ เตอร และทสี่ าํ คญั มีคณุ สมบตั ิทดี่ ีกวา ทรานซสิ เตอร หลายประการ ดังนี้ 1. เฟตสามารถตอขยายสญั ญาณแบบหลายภาคไดด ี 2. เฟตสามารถทาํ งานท่อี ณุ หภูมสิ งู ไดดกี วาทรานซสิ เตอร 3. เฟตสามารถสรา งใหม ีขนาดเล็กลงไดม ากกวาทรานซสิ เตอร 4. เฟตไมม ผี ลตอ แรงดันตานภายใน เมอ่ื นาํ ไปใชเ ปนสวิทช 5. ขบวนการผลติ เฟตเปนขบวนการเดยี วกบั การผลิตไอซี 6. อณุ หภมู มิ ผี ลตอ การทํางานของเฟตนอยกวาทรานซสิ เตอรม าก 7. เฟตมสี ญั ญาณรบกวนตํา่ กวาทรานซสิ เตอร จงึ เหมาะสมกบั การใชง านในภาคขยายสญั ญาณอตั รา ขยายตาํ่ 8. อิมพแี ดนชทางอินพทุ ของเฟตสงู มาก ประมาณ 100M มากกวา ทรานซสิ เตอรม ากๆซ่งึ จะมีคาประมาณ 2K เทานน้ั

55 9. คณุ สมบัติโครงสรา งบางชนิดของเฟตสามารถสรางใหมคี วามไวในการใชงานไดด ีกวาทรานซสิ เตอรประเภทและชนดิ ของเฟต เฟต ถกู พัฒนาใหส ามารถทํางานและใชง านรวมกบั อปุ กรณอ่นื อีกหลากหลายชนดิ มากข้ึน ทัง้ นี้ จงึ ไดร บัการพฒั นาใหม ปี ระเภทและชนดิ เพิม่ มากขึน้ นอกจากน้ี ยงั สามารถนาํ ไปใชง านไดเ ฉพาะเจาะจงมากข้นึ เพือ่ ใหเ กิดคณุ ภาพและประสทิ ธภิ าพในการทาํ งานมากขนึ้ ดังนัน้ เฟตที่สรา งมาใชง านแบง ออกเปน 2 ประเภท ดงั น้ี 1. เจเฟต (JFET) มชี ือ่ เตม็ วา จงั ชั่น ฟล ด เอฟเฟค ทรานซิสเตอร (Junction Field Effect Transister)ซึง่ สามารถแบง ออกได 2 ชนิด คอื 1.1 เจเฟตชนิดพีแชนแนล (P Channel) 1.2 เจเฟตชนดิ เอน็ แชนแนล (N Channel) ภาพท่ี 4-2 แสดงรูปรางของเจเฟตทีม่ าของภาพ : http://th.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/ JFET/Images/_/N-ax1rs?P=1yw767g&pop=9e5k 2. มอสเฟต (MOSFET) มีชื่อเตม็ วา มทิ อล ออกไซด เซมิคอนดกั เตอร ฟลด เอฟเฟค ทรานซิสเตอร(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister) โดยมีโครงสรางแตกตางจากเจเฟต เพราะสวนทส่ี รางเปน ขา G ของมอสเฟต จะถกู สรา งขึ้น โดยไมตอ ชนกันกบั สว นท่เี ปนขา D และ S แตแยกตวั ออกเปน อสิ ระ โดยมีฉนวนขนั้ กลางคลายตวั เกบ็ ประจุ สว นขา D และ S ถกู สรา งขน้ึ บนฐานรองหรอื ซบั สเตรท (SS : Substrate) ทเ่ี ปนสารกง่ึ ตวั นาํ ชนิดตรงขา มกบั สว นขา D และขา S ทง้ั น้ี เฟต สามารถแบง ยอ ยออกได 3 แบบ คือ 2.1 ดพี ลชี น่ั มอสเฟต (Depletion MOSFET) เรยี กยอๆ วา ดีมอสเฟต (D-MOSFET) นอกจากน้ี ยังสามารถแบงออกได 2 ชนิด คอื 2.1.1 ดีพลีชัน่ มอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล 2.1.2 ดีพลชี ่นั มอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล 2.2 เอนฮานซเ มนตม อสเฟต (Enhancement MOSFET) เรียกยอๆวา เอนมอสเฟต (En-MOSFET)นอกจากน้ี ยงั สามารถแบง ออกได 2 ชนดิ คือ 2.2.1 เอนฮานซเ มนตม อสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล 2.2.2 เอนฮานซเมนตม อสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล

56 2.3 เวอรติคอลมอสเฟต (Vertical MOSFET) เรียกยอ ๆ วา วี-มอส (V-MOS) เปน มอสเฟตทส่ี รา งขนึ้ มา เพ่อื นําไปใชง านกับการขยายทใ่ี หกาํ ลงั ไฟฟา ทนกระแส และตอบสนองความถี่ไดสูง นอกจากนี้ ยงั สามารถแบง ออกได 2 ชนดิ คือ 2.3.1 เวอรต คิ อลมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล 2.3.2 เวอรติคอลมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล ภาพท่ี 4-3 แสดงรปู รางของมอสเฟตท่มี าของภาพ : http://www.eak-electronic.com/index.php?route=product/product&product_id=334เจเฟต เจเฟต ชนดิ เอ็นแชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณข องเจเฟต ชนดิ เอ็นแชนแนล เจเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล ประกอบดวย สารกึง่ ตัวนําชนิด N เปนสารก่ึงตัวนาํ ตอนใหญ มขี าตอออกมาใชงาน 2 ขา คอื ขาเดรน (Drain) หรอื ขา D และ ขาซอส (Source) หรอื ขา S ซ่ึงจะบง บอกถงึ แชนแนลของเจเฟต และมสี ารกงึ่ ตวั นาํ ชนิด P ตอนเลก็ ๆ 2 ตอน ประกบอยดู านขา ง มขี าตอใชง าน คอื ขาเกต (Gate) หรอื ขา Gโดยใชก ระบวนการเชอื่ มตอกนั แบบแพรก ระจาย (Diffused) สัญลักษณของเจเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล จะมหี ัวลูกศรชี้เขาที่ขา G เพ่ือแสดงใหทราบวาขา Gเปน สารกึ่งตวั นําชนิดพี (P : Positive) ซึ่งจะเปน สารกง่ึ ตัวนาํ ชนดิ ตรงขามกบั ที่ขา D และขา S D (เดรน) D G (เกต) N P G P S S (ซอส) ภาพท่ี 4-4 แสดงโครงสรางและสัญลกั ษณของเจเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล

57การไบอัสเจเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล DG IG N ID VDD P PVGG Sภาพที่ 4-5 แสดงการไบอสั เจเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล การจา ยไบอสั ท่ีถกู ตอ งใหก บั เจเฟต จะตอ งจา ยไบอสั ตรงใหขา S และจา ยไบอสั กลบั ใหขา Dกับขา G เมื่อเทียบกบั ขา S การทาํ งานของเจเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล สามารถอธบิ ายได ดังนี้ ถา จา ยไบอสั ใหก บั เจเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล เฉพาะท่ีขา D กับขา S ดวยแรงดัน VDD จะมีกระแส ID ไหลผานระหวางขา D กบั ขา S สงู มากคาหนง่ึ และมีคา กระแสคงทต่ี ลอดเวลา นน่ั คือ เจเฟต ทํางาน เมื่อจา ยแรงดัน VGG ซ่งึ เปนแรงดนั ลบใหก บั ขา G เมอ่ื เทยี บกบั ขา S จะเปน การจา ยไบอสักลับใหรอยตอ ขา G กับขา S เหมือนกบั การจา ยไบอสั กลับใหกบั ไดโอด จึงสงผลใหเ กดิ แบตเตอรส่ี มมตหิ รอื ดีพลีชนั่ริจิน (ชอ งวา ง) ข้ึน ระหวา งรอยตอ P-N ดพี ลชี นั่ รจิ ินนี้ จะเปนตวั ขัดขวางการไหลของกระแส ID ทไี่ หลระหวางขา Dกบั ขา S ใหไหลไดน อยลง นั่นคอื เกดิ คาความตานทานระหวางขา D กบั ขา S มากข้นึ ซ่งึ คาความตา นทานนี้ จะเปลี่ยนแปลงไปตามคา แรงดนั ไบอสั กลบั ทีข่ า G กับขา S ทําใหก ระแส ID ไหลเปล่ยี นแปลงตามไปดวย กระแส ID ที่ไหลเปลย่ี นแปลงน้ี สามารถควบคมุ ไดโ ดยการเปลยี่ นแปลงคา แรงดนั VGG ยง่ิ จา ยแรงดนั VGG ใหกับขา G เม่อื เทยี บกบั ขา S มาก จะสงผลใหเกิดแบตเตอรีส่ มมติหรอื ดีพลชี ่ันรจิ นิ (ชอ งวาง) มากยง่ิ ข้ึน ทาํ ใหกระแส ID ไหลผา นระหวา งขา D กบั ขา S ยง่ิ นอ ยลง เจเฟต ชนิดพแี ชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณของเจเฟต ชนดิ พแี ชนแนล เจเฟต ชนิดพีแชนแนล ประกอบดวย สารก่ึงตัวนําชนิด P เปนสารก่ึงตัวนําตอนใหญ มีขาตอออกมาใชงาน 2 ขา คือ ขาเดรน (Drain) หรอื ขา D และขาซอส (Source) หรือขา S ซึง่ จะบง บอกถึงแชนแนลของเจเฟต และมีสารกึ่งตัวนําชนิด N ตอนเล็กๆ 2 ตอน ประกบอยูดานขาง มีขาตอออกมาใชงาน คือ ขาเกต (Gate)หรอื ขา G โดยใชก ระบวนการเชื่อมตอ กนั แบบแพรก ระจาย (Diffused) สญั ลกั ษณข องเจเฟต ชนดิ พีแชนแนล จะมหี วั ลูกศรช้ีเขาท่ีขา G เพอ่ื แสดงใหท ราบวา ขา G เปนสารกึ่งตัวนาํ ชนิดเอน็ (N : Negative) ซ่งึ จะเปน สารกงึ่ ตวั นาํ ชนดิ ตรงขามกบั ขา D และขา S

58 D (เดรน) DG (เกต) P N G N S S (ซอส)ภาพที่ 4-6 แสดงโครงสรา งและสัญลกั ษณของเจเฟตชนดิ พแี ชนแนลการไบอัสเจเฟต ชนดิ พแี ชนแนล DG IG P ID VDD N NVGG Sภาพท่ี 4_7 แสดงการไบอสั เจเฟต ชนิดพีแชนแนล การจายไบอัสที่ถกู ตอ งใหก บั เจเฟต จะตองจายไบอสั ตรงใหก บั ขา S และจายไบอัสกลบั ใหกับขา D กับขา G เม่อื เทยี บกับขา S การทาํ งานของเจเฟต ชนดิ พแี ชนแนล สามารถอธิบายได ดงั นี้ ถา จายไบอัสใหกับเจเฟต ชนิดพีแชนแนล เฉพาะท่ีขา D กับขา S ดวยแรงดัน VDD จะมีกระแส ID ไหลผา นระหวางขา D กบั ขา S สูงมากคา หนง่ึ และมีคา กระแสคงทต่ี ลอดเวลา นั่นคอื เจเฟต ทาํ งาน เมื่อจายแรงดัน VGG ซ่งึ เปนแรงดันบวกจายใหกับขา G เม่อื เทียบกับขา S เปนการจายไบอัสกลับใหร อยตอขา G กบั ขา S เหมอื นกับการจายไบอสั กลับใหกบั ไดโอด จึงสง ผลใหเกดิ แบตเตอรี่สมมตหิ รอื ดีพลีชัน่ ริจินขึ้นระหวางรอยตอ P-N ดพี ลชี น่ั รจิ นิ นี้ เปน ตวั ขัดขวางการไหลของกระแส ID ท่ีไหลระหวา งขา D กบั ขา Sทําใหไหลได นอยลง นั่นคือ เกิดคาความตานทานระหวางขา D กับขา S มากข้ึน โดยคาความตานทานน้ี จะเปลี่ยนแปลงไปตามคา แรงดันไบอัสกลับทขี่ า G กบั ขา S ทําใหก ระแส ID ไหลเปลย่ี นแปลงตามไปดวย กระแส IDท่ีไหลเปลีย่ นแปลงนี้ สามารถควบคุมไดโ ดยการเปลี่ยนแปลงคา แรงดนั VGG ยงิ่ จายแรงดัน VGG ใหกับขา G เมื่อเทียบกับขา S มาก จะสงผลใหเกิดแบตเตอร่ีสมมติหรือดพี ลชี ั่นริจิน (ชอ งวา ง) มากยง่ิ ข้นึ ทําใหกระแส ID ไหลผานระหวางขา D กบั ขา S ยิ่งนอยลง

59มอสเฟต ดพี ลีช่ันมอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณข องดีพลชี ัน่ มอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล ดพี ลีช่นั มอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล เปน มอสเฟต ท่ีสว นของขา D และขา S เปน สารก่ึงตวั นําชนิด N ถูกสรา งบนฐานรอง ชนิด P สวนที่เปน ขา D และขา S ถกู ตอ ถงึ กนั ดวยฐานรองท่เี ปนสารก่งึ ตัวนําชนิดเดยี วกันกบั สารท่ขี า D และขา S สว นทเี่ ปน ขา G จะเปนแผน โลหะถกู แยกออกไปตา งหาก ซ่งึ เปน สารกง่ึ ตัวนําชนิดเดยี วกบั ฐานรอง โดยมีฉนวนซิลิกอนไดออกไซด (Silicon Dioxide) หรอื SiO2 ขนั้ กลาง นอกจากน้ี ขาฐานรอง (SS) ตองตอเขากบั ขา S เสมอ สัญลักษณของดีพลชี นั่ มอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล จะมขี า G เขยี นแยกออกตา งหาก สว นของขา D และขา S จะเขยี นตอ ถึงกัน แสดงวาเปนสารกงึ่ ตัวนาํ ชนดิ N หัวลูกศรที่ชี้เขา แสดงไวที่ฐานรอง (SS) เพื่อบงบอกวา เปน สารกึ่งตวั นาํ ชนิด P นอกจากน้ี ขาฐานรอง (SS) จะตอ งเขยี นตอกับขา SSGD DNN SiO2 P Gฐานรอง SS Sภาพที่ 4-8 แสดงโครงสรางและสัญลกั ษณข องดีพลีช่นั มอสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนลการไบอัสดพี ลีชัน่ มอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล VDD VGG DSG SiO2NN Pภาพที่ 4-9 แสดงการไบอสั ดีพลีชั่นมอสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล

60 การจา ยไบอสั ท่ีถกู ตองใหก บั ดพี ลีชั่นมอสเฟต จะเหมือนกบั การจายไบอัสใหกบั เจเฟต คอืจายไบอัสตรงใหข า S และจายไบอัสกลบั ใหก บั ขา D กับขา G เม่อื เทียบกับขา S การทาํ งานของดีพลีชั่นมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล สามารถอธบิ ายได ดงั น้ี ถาจา ยไบอสั ใหเฉพาะขา D กับขา S ดว ยแรงดนั VDD จะมกี ระแส ID ไหลผานระหวางขา D กบั ขา S สงู มากคา หนงึ่ และมีคา กระแสคงท่ีตลอดเวลา นัน่ คือ ดีพลชี ่นั มอสเฟตทาํ งาน เมอ่ื จา ยแรงดัน VGG ซงึ่ เปนแรงดนั ลบใหกบั ขา G เม่อื เทยี บกบั ขา S เปน การจายไบอสักลบั ใหร อยตอ ขา G กับขา S ศกั ยลบที่ขา G จะผลกั อิเลก็ ตรอนอสิ ระระหวางรอยตอขา D และขา S เคลอ่ื นที่ออกไปและดึงโฮลเขาไปแทนที่ ทาํ ใหส ารกง่ึ ตัวนาํ รอยตอขา D และขา S เปลีย่ นสภาพจากสารกึง่ ตัวนําชนดิ N เปนสารกงึ่ ตวั นํา ชนิด P ตา นทานการไหลของกระแส ID ทีไ่ หลระหวางขา D กบั ขา S ใหไหลไดน อยลง ถาปรบั แรงดนั ไบอสั กลับใหก ับขา G กับขา S มากข้นึ ศกั ยลบทขี่ า G จะผลกัอิเลก็ ตรอนอสิ ระออกไปและดงึ โฮลเขาแทนทมี่ ากขึ้น สภาพการเปลย่ี นแปลงของสารทีร่ อยตอ ขา D และขา S เปนสารกง่ึ ตวั นาํ ชนิด P มากข้ึน ตา นทานการไหลของกระแส ID ใหไหลยง่ิ นอ ยลง ดพี ลีชนั่ มอสเฟต ชนิดพแี ชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณของดีพลชี ่ันมอสเฟตชนดิ พแี ชนแนล ดีพลีชั่นมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล เปน มอสเฟต ท่ีสวนของขา D และขา S เปน สารกึง่ ตวั นาํชนิด P ถูก สรา งบนฐานรอง ชนดิ N สว นทเ่ี ปน ขา D และขา S ถูกตอ ถึงกนั ดว ยฐานรองทเ่ี ปน สารกง่ึ ตวั นาํ ชนิดเดยี วกนั กบั สารที่ขา D และขา S สว นของขา G เปน แผน โลหะถูกแยกออกไปตางหาก เปนสารก่งึ ตวั นําชนิดเดียวกับฐานรอง โดยมีฉนวนซิลิกอนไดออกไซด (Silicon Dioxide) หรือ SiO2 ขน้ั กลาง ขาฐานรอง (SS) ตอ งตอเขากับขา S เสมอ สญั ลักษณของดีพลีช่นั มอสเฟต ชนิดพีแชนแนล จะมีขา G เขียนแยกออกตา งหาก สวนของขา Dและ S จะเขียนตอถึงกนั แสดงวาเปน สารกึ่งตัวนําชนิด P หัวลูกศรที่ชอี้ อกแสดงไวท ฐี่ านรอง (SS) เพอ่ื บง บอกถงึวาเปน สารก่งึ ตวั นาํ ชนิด N ขาฐานรอง (SS) จะตอ กบั ขา SSG D DP +++++ P SiO2 N G ฐานรอง SS Sภาพท่ี 4-10 แสดงโครงสรา งและสญั ลกั ษณข องดีพลีชั่นมอสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล

61การไบอสั ดีพลชี ่ันมอสเฟต ชนิดพแี ชนแนลVDD VGG DSG SiO2PP N ภาพที่ 4-11 แสดงการไบอสั ดีพลชี ่นั มอสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล การจา ยไบอสั ทถ่ี ูกตอ งใหกบั ดพี ลีชนั่ มอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล จะเหมือนกบั การจา ยไบอสัใหก บั เจเฟต คือ จา ยไบอสั ตรงใหก บั ขา S และจา ยไบอสั กลบั ใหก บั ขา D กับขา G เมื่อเทยี บกบั ขา S การทาํ งานของดีพลีชัน่ มอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล สามารถอธบิ ายได ดงั นี้ ถาจา ยไบอัสใหเ ฉพาะขา D กบั ขา S ดวยแรงดนั VDD จะมกี ระแส ID ไหลผานระหวางขา D กบั ขา S สูงมากคา หนง่ึ และมีคากระแสคงทต่ี ลอดเวลา น่นั คือ ดีพลีชนั่ มอสเฟตทาํ งาน เม่อื จายแรงดัน VGG ซ่งึ เปนแรงดนั บวกใหกบั ขา G เทียบกับขา S เปนการจายไบอัสกลับใหร อยตอขา G กบั ขา S ศักยบวกทข่ี า G จะผลกั โฮลระหวางรอยตอ ขา D และขา S ใหเคลอ่ื นท่ีออกและดงึอิเลก็ ตรอนอสิ ระ เขา ไปแทนที่ ทําใหส ารกง่ึ ตวั นําท่ีรอยตอขา D และขา S แปรสภาพจากสารกงึ่ ตวั นาํ ชนดิ P เปนสารกงึ่ ตวั นาํ ชนดิ N ตานทานการไหลของกระแส ID ทไ่ี หลระหวา งขา D กับขา S ใหไ หลไดน อยลง ถา ปรบั แรงดนั ไบอสั กลับใหกบั ขา G กับขา S มากย่ิงขนึ้ ศักยบ วกทขี่ า G จะผลกั โฮลออกไปและดงึ อิเลก็ ตรอนอสิ ระเขาแทนที่มากขนึ้ สภาพการเปลี่ยนแปลงของสารทรี่ อยตอ ขา D และขา S เปน สารก่งึ ตวั นาํ ชนดิ N มากขึ้น ตา นทานการไหลของกระแส ID ใหไ หลยงิ่ นอยลง เอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณของเอนฮารนเมนตม อสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล เอนฮารนเมนตม อสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล มีโครงสรางของคลายกับดีพลชี ั่นมอสเฟต ชนิดเอน็แชนแนล คอื สว นของขา D และขา S เปน สารชนิด N ถกู สรา งบนฐานรอง (SS) ชนิด P แตแตกตา งตรงสว นทเ่ี ปนขา D และ ขา S จะถูกแยกออกจากกนั ดวยฐานรองทเ่ี ปน สารกึ่งตวั นําตา งชนดิ กันกบั สารท่ขี า D และขา S สวนขาG เปนแผนโลหะถกู แยกออกไปตา งหาก เปน สารกง่ึ ตวั นาํ ชนดิ เดียวกับฐานรอง โดยมีฉนวนซิลกิ อนไดออกไซด หรอืSiO2 ขัน้ กลางขาฐานรอง จะตอ งตอเขา กบั ขา S เสมอ

62 สัญลักษณของเอนฮารนเมนตมอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล จะมีขา G เขียนแยกออกตางหากสวนของขา D และขา S จะเขียนแยกออกจากกัน แสดงวาเปนสารกึ่งตัวนําชนิด N หัวลูกศรที่ชี้เขาแสดงไวที่ฐานรอง เพอื่ บง บอกวา เปน สารกึ่งตวั นําชนิด P ซ่ึงขาฐานรอง (SS) จะตอวตอกับขา SSG D DNN SiO2 P Gฐานรอง SS Sภาพท่ี 4-12 แสดงโครงสรา งและสญั ลกั ษณของเอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนลการไบอัสเอนฮารน เมนตม อสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล VDD VGG DSG +++ SiO2NN P ภาพท่ี 4-13 แสดงการไบอสั เอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล การจา ยไบอัสทีถ่ กู ตอ งใหก ับเอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล จะตองจา ยไบอสัตรงใหก บั ขา G และขา S เมือ่ เทยี บกบั ขา D และจายไบอสั กลบั ใหก ับขา D การทาํ งานของเอนฮารน เมนตม อสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล สามารถอธิบายได ดงั น้ี ถาจา ยไบอัสใหเฉพาะขา D กับขา S ดว ยแรงดนั VDD จะไมมีกระแส ID ไหลผา นระหวา งขา D กบั ขา S เพราะระหวา งรอยตอ สวนทเี่ ปน ขา D กบั ขา S ถูกขนั้ ดวยฐานรอง เกดิ ความตานทานสูงและตา นทานการไหลของกระแส ID น่นั คือ เอนฮารนเมนตม อสเฟตไมทาํ งาน

63 เมอื่ จา ยแรงดัน VGG ซึง่ เปนแรงดนั บวกใหกบั ขา G เทียบกบั ขา S เปนการจา ยไบอสัตรงใหร อยตอขา G กบั ขา S ศักยบวกที่ขา G จะผลักโฮลระหวา งรอยตอ ขา D และขา S ใหเ คลอ่ื นทอ่ี อกและดงึอิเลก็ ตรอนอสิ ระเขา ไปแทนที่ ทําใหส ารกง่ึ ตัวนาํ ระหวางรอยตอขา D และขา S แปรสภาพเปนสารกง่ึ ตวั นาํ ชนดิ Nตอสารกง่ึ ตวั นาํ ท่ขี า D และขา S เขาดว ยกนั ทาํ ใหเ กิดการไหลของกระแส ID ในวงจร ถาจายไบอัสตรงใหกบั ขา G และขา S นอ ย ศกั ยบวกท่ขี า G จะผลักโฮลและดึงอิเลก็ ตรอนอสิ ระเขา แทนท่ีนอย การเปลี่ยนสภาพระหวา งรอยตอขา D และ S ใหเปน สารกง่ึ ตัวนาํ ชนิด N นอย ทําใหเ กดิ กระแส ID ไหลผา นไดนอย ถาจายไบอัสตรงทีข่ า G กบั ขา S มาก ศกั ยบวกทีข่ า G จะผลักโฮลและดึงอิเลก็ ตรอนอสิ ระเขา แทนทีจ่ ะมาก การเปลีย่ นสภาพระหวางรอยตอขา D และ S ใหเ ปนสารกง่ึ ตัวนําชนดิ N มากทาํ ใหเ กิดกระแส ID ไหลผา นไดมาก เอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล โครงสรา งและสญั ลกั ษณข องเอนฮารนเมนตม อสเฟต ชนิดพีแชนแนล เอนฮารนเมนตมอสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล มีโครงสรางที่สวนของขา D และขา S เปน สารชนิดP ถกู สรางบนฐานรอง ชนิด N ถูกแยกออกจากกันดวยฐานรอง สวนของขา G เปนแผนโลหะถกู แยกออกอสิ ระ เปนสารก่ึงตัวนําชนดิ เดียวกับฐานรอง โดยมีฉนวนซิลกิ อนไดออกไซด หรือ SiO2 ขน้ั กลางขาฐานรอง จะตองตอเขากับขา S เสมอ สญั ลักษณเอนฮารน เมนตม อสเฟต ชนดิ พีแชนแนล จะมขี า G เขียนแยกออกตางหาก สวนของขา D และขา S เขียนแยกออกจากกนั แสดงวา เปนสารกงึ่ ตวั นาํ ชนิด P หัวลกู ศรท่ีชีอ้ อกแสดงไวที่ฐานรอง ซึ่งจะเขียนตอ กับขา SSG D DPP SiO2 N Gฐานรอง SS Sภาพท่ี 4-14 แสดงโครงสรางและสญั ลกั ษณข องเอนฮารน เมนตมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล การไบอสั เอนฮารน เมนตม อสเฟต ชนิดพีแชนแนล การจา ยไบอสั ทถ่ี ูกตอ งใหก บั เอนฮารน เมนตม อสเฟต ชนดิ พีแชนแนล จะตอ งจา ยไบอสัตรงใหข า G และ ขา S เม่อื เทียบกบั ขา D และจายไบอสั กลบั ใหก ับขา D

64 VDD D VGGSG ----- SiO2PP N ภาพที่ 4-15 แสดงการไบอสั เอนฮารนเมนตมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล การทาํ งานของเอนฮารนเมนตม อสเฟต ชนดิ พแี ชนแนล สามารถอธบิ ายได ดงั น้ี ถาจา ยไบอัสใหเ ฉพาะขา D กับขา S ดวยแรงดัน VDD จะไมม กี ระแส ID ไหลผา นระหวา งขา D กบั ขา S เพราะระหวา งรอยตอ ทเ่ี ปนขา D กบั ขา S ถกู ขั้นดวยฐานรอง (SS) เกดิ ความตานทานสงู และตานทานการไหลของกระแส ID นนั่ คือ เอนฮารน เมนตม อสเฟตไมท าํ งาน เมื่อจา ยแรงดนั VGG ซงึ่ เปน แรงดนั ลบใหก บั ขา G เทยี บกบั ขา S เปนการจา ยไบอสั ตรงใหกบั รอยตอขา G กบั ขา S ศกั ยลบท่ขี า G จะผลกั อเิ ลก็ ตรอนระหวางรอยตอขา D และขา S ใหเ คล่ือนท่ีออกไปและดงึ โฮลเขา ไปแทนที่ ทาํ ใหส ารกง่ึ ตัวนําระหวา งรอยตอ ขา D และขา S เปลีย่ นสภาพเปน สารกงึ่ ตัวนําชนิด Pตอสารกง่ึ ตวั นาํ ทข่ี า D และขา S เขาดวยกัน ทําใหเกิดการไหลของกระแส ID ในวงจร ถา จา ยไบอสั ตรงท่ีขา G กบั ขา S นอ ย ศักยลบท่ขี า G จะผลกั อเิ ล็กตรอนอสิ ระและดงึโฮลเขาแทนท่ีนอย การแปรสภาพระหวางรอยตอขา D และขา S ใหเปนสารกง่ึ ตวั นําชนดิ N นอย ทาํ ใหเ กดิ กระแสID ไหลผานไดน อ ย และถา จายไบอสั ตรงทข่ี า G กับขา S มาก ศกั ยบ วกทข่ี า จะผลกั อเิ ลก็ ตรอนอสิ ระและดงึ โฮลเขาแทนท่จี ะมาก การแปรสภาพระหวางรอยตอขา D และขา S ใหเ ปนสารก่งึ ตัวนําชนดิ N มาก ทําใหเ กดิ กระแส IDไหลผานไดมาก เวอรตคิ อลมอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล โครงสรา งและสัญลักษณข องเวอรต คิ อลมอสเฟต ชนดิ เอ็นแชนแนล สารก่งึ ตวั นาํ ชนดิ N+ คือ สารกึ่งตวั นาํ ชนดิ N ทเี่ ติมธาตุเจอื ปนหรือการโดป มากกวาปกติ ทาํใหอ เิ ล็กตรอน อสิ ระมากข้นึ และมคี วามตา นทานภายในลดลง สวนสารกง่ึ ตวั นําชนดิ N- คอื สารกึง่ ตวั นาํ ชนิด N ที่เติมธาตุเจอื ปนหรือการโดป นอ ยกวา ปกติ ทําใหอ ิเลก็ ตรอนอสิ ระมากข้ึน และมีความตา นทานภายในมากข้ึน ตอนกลางดานบนถกู เจาะเปน รปู ตัววี ทะลผุ านผิวช้นั N+ ชนั้ P และชนั้ N- บางสว น ทาํ ใหสว นของขา S แยกออกเปน 2 สวน โดยขา S ทีต่ อ ใชง านถูกตอกบั สารกง่ึ ตวั นํา ทัง้ ชนดิ N+ และชนดิ P ท้ัง 2ดาน และตอ รว มกนั ออกมาเปน ขา S ชดุ เดียว สว นขา D เปน สารกงึ่ ตัวนาํ ชนิด N+ ของชั้นฐานรอง (SS) ระหวา งสว นของขา S และสว นของขา D จะถูกแยกออกจากกัน

65 ขา G จะถูกแยกออกอยา งอสิ ระโดยมซี ลิ กิ อนไดออกไซด ขั้นกลาง ทําใหข า ทั้ง 3 ถกู แยกออกจากกัน GS S N+ N+ SiO2 G PP D N- ชั้นอพิ ิแทกเชยี ล N+ ช้ันฐานรอง D ภาพที่ 4-16 แสดงโครงสรา งและสญั ลักษณข องเวอรตคิ อลมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล การไบอสั เวอรตคิ อลมอสเฟต ชนดิ เอ็นแชนแนล G VGG S N+ N+ VDD PP N- ชนั้ อพิ ิแทกเชียล N+ ชน้ั ฐานรอง ID D ภาพท่ี 4-17 แสดงการไบอสั เวอรติคอลมอสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล การจายแรงดันไบอสั ใหก ับเวอรติคอลมอสเฟต ชนิดเอน็ แชนแนล เพอื่ ใหส ามารถทาํ งานไดจะตอ งจา ยไบอสั เหมือนกับเอนฮารน เมนตม อสเฟต คอื ตองจา ยไบอัสตรงใหขา G และขา S เทียบกบั ขา D และจายไบอัสกลบั ใหก บั ขา D การทํางานของเวอรตคิ อลมอสเฟต ชนดิ เอน็ แชนแนล สามารถอธิบายได ดงั นี้ ถา จายไบอสั ใหเ ฉพาะขา D กบั ขา S ดว ยแรงดนั VDD จะไมมกี ระแส ID ไหลผา นระหวางขา D กับขา S เพราะทขี่ า S เปน สาร N+ กบั ท่ขี า D เปนสาร N+ และสาร N- ถกู ข้ันดว ยสาร P ท่ีตอ

66รว มกับขา S ท่ีขา S ซึ่งเปนสาร P จะไดรบั ไบอสั กลับจากแรงดนั VDD เกิดความตานทานสงู ระหวางรอยตอ ขา D กับขา S ตา นทานการไหลของกระแส ID น่ันคือ วี มอส ไมท าํ งาน เมอ่ื จา ยแรงดัน VGG ซงึ่ เปน แรงดนั บวกใหข า G เทยี บกบั ขา S เปนการจายไบอสั ตรงศกั ยบ วกทีข่ า G จะผลักโฮลท่ีขา S ซงึ่ เปนสาร P ใหเ คลอื่ นทหี่ า งออกจากบรเิ วณรปู ตดั ตวั V และดงึ อเิ ลก็ ตรอนเขาไปแทนท่ี ทาํ ใหสารกึ่งตัวนาํ ชนิด P บรเิ วณรปู ตดั ตวั V เปลี่ยนสภาพเปน สารกง่ึ ตัวนําชนดิ N ตอเชือ่ มสารก่ึงตวั นาํ ชนิด N+ ทข่ี า S เขากบั สารกึ่งตวั นํา N- และ N+ ทข่ี า D ทาํ ใหเ กดิ การไหลของกระแส ID ในวงจร ถาศกั ยบวกท่ขี า G เทียบกบั ขา S นอย ศกั ยบ วกทข่ี า G จะผลกั โฮลบรเิ วณรปู ตัดตัว Vในสารกง่ึ ตัวนาํ ชนดิ P ทข่ี า S ใหหา งออกไปไดน อ ย และดงึ อเิ ลก็ ตรอนเขาไปแทนทไี่ ดนอ ย เปลีย่ นสภาพสาร Pบริเวณรปู ตัดตวั V เปนสาร N ไดน อ ย มกี ระแส ID ไหลในวงจรนอ ย ถา ศกั ยบวกที่ขา G เทยี บกับขา S มาก ศกั ยบ วกท่ขี า G จะผลักโฮลบรเิ วณรปู ตดั ตัวV ในสารก่ึงตัวนําชนิด P ทข่ี า S ใหห างออกไปไดมาก และดงึ อิเล็กตรอนเขา ไปแทนที่ไดมาก เปล่ยี นสภาพจากสารกึ่งตวั นําชนดิ P บรเิ วณรปู ตัดตวั V เปน สารกง่ึ ตัวนาํ ชนิด N ไดม าก มีกระแส ID ไหลในวงจรมาก เวอรติคอลมอสเฟต ชนิดพแี ชนแนล โครงสรางและสญั ลกั ษณข องเวอรตคิ อลมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล สารกง่ึ ตวั นาํ ชนดิ P+ คือ สารก่ึงตัวนาํ ชนิด P ท่เี ติมธาตุเจือปนหรือการโดป มากกวาปกติ ทาํใหอิเล็กตรอน อิสระมากข้นึ และมคี วามตา นทานภายในลดลง สว นสารกึ่งตัวนาํ ชนดิ P- คือ สารกง่ึ ตวั นําชนดิ P ที่เตมิ ธาตุเจอื ปนหรอื การโดป นอยกวา ปกติ ทําใหอิเล็กตรอนอิสระมากข้ึน และมีความตานทานภายในมากขึ้น ตอนกลางดา นบนถกู เจาะเปนรูปตวั วี ทะลุผา นผวิ ชนั้ P+ ชัน้ N และช้นั P- บางสวน ทําใหสวนของขา S แยกออกเปน 2 สว น โดยขา S ทีต่ อใชง านถกู ตอกับสารกงึ่ ตัวนาํ ทง้ั ชนิด P+ และชนดิ N ทัง้ 2ดาน และตอ รว มกนั ออกมาเปนขา S ชุดเดียว สวนขา D เปน สารกง่ึ ตวั นําชนิด P+ ของชั้นฐานรอง (SS) ระหวา งสวนของขา S และสวนของขา D จะถูกแยกออกจากกนั ขา G จะถกู แยกออกอยา งอสิ ระโดยมีซิลกิ อนไดออกไซด ขั้นกลาง ทาํ ใหข า ทงั้ 3 ถูกแยกออกจากกนัGS SP+ P+ SiO2 G NN D P- ช้นั อิพิแทกเชียล P+ ชน้ั ฐานรองDภาพที่ 4-18 แสดงโครงสรา งและสัญลกั ษณของเวอรติคอลมอสเฟต ชนิดพแี ชนแนล

67การไบอสั เวอรติคอลมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล G VGG S IDP+ P+ VDD NN P- ช้ันอิพิแทกเชยี ล P+ ชน้ั ฐานรอง D ภาพท่ี 4-19 แสดงการไบอสั เวอรต ิคอลมอสเฟตชนดิ เอน็ แชนแนล การจายแรงดันไบอสั ใหก บั เวอรต คิ อลมอสเฟต ชนิดพีแชนแนล เพือ่ ใหสามารถทํางานไดจะตอ งจายไบอสั เหมอื นกบั เอนฮารน เมนตม อสเฟต คอื ตอ งจา ยไบอัสตรงใหขา G และขา S เทียบกบั ขา D และจายไบอัสกลบั ใหก บั ขา D การทาํ งานของเวอรต คิ อลมอสเฟต ชนดิ พีแชนแนล สามารถอธบิ ายได ดังน้ี ถา จายไบอสั ใหเฉพาะขา D กบั ขา S ดวยแรงดัน VDD จะไมม กี ระแส ID ไหลผานระหวา งขา D กับขา S เพราะที่ขา S เปน สาร P+ กบั ท่ขี า D เปน สาร P+ และสาร P- ถกู ขนั้ ดว ยสาร N ทตี่ อรวมกับขา S ท่ีขา S ซึ่งเปน สาร N จะไดรบั ไบอสั กลับจากแรงดัน VDD เกิดความตานทานสงู ระหวางรอยตอขา D กับขา S ตา นทานการไหลของกระแส ID น่นั คอื วี มอส ไมท าํ งาน เมือ่ จายแรงดัน VGG ซ่งึ เปนแรงดนั ลบใหข า G เทียบกับขา S เปนการจา ยไบอสั ตรงศกั ยล บที่ขา G จะผลกั อเิ ล็กตรอนทขี่ า S ซ่งึ เปน สาร N ใหเ คลอื่ นทหี่ างออกจากบรเิ วณรปู ตัดตัว V และดงึ โฮลเขาไปแทนที่ ทาํ ใหส ารก่ึงตวั นาํ ชนิด N บรเิ วณรปู ตดั ตวั V เปลีย่ นสภาพเปน สารกงึ่ ตวั นําชนดิ P ตอเช่ือมสารกึ่งตวั นําชนิด P+ ที่ขา S เขากบั สารก่ึงตัวนํา P- และ P+ ทีข่ า D ทาํ ใหเ กิดการไหลของกระแส ID ในวงจร ถาศกั ยล บท่ขี า G เทียบกบั ขา S นอย ศักยล บที่ขา G จะผลกั อเิ ล็กตรอนบรเิ วณรปู ตดัตวั V ในสารกง่ึ ตัวนาํ ชนิด N ทขี่ า S ใหหา งออกไปไดน อ ย และดงึ โฮลเขาไปแทนท่ไี ดนอย เปลยี่ นสภาพสาร Nบริเวณรปู ตดั ตวั V เปน สาร P ไดน อย มกี ระแส ID ไหลในวงจรนอย ถาศักยล บท่ีขา G เทยี บกับขา S มาก ศกั ยล บที่ขา G จะผลกั อเิ ลก็ ตรอนบรเิ วณรปู ตดัตวั V ในสารกง่ึ ตัวนาํ ชนดิ P ทข่ี า S ใหหา งออกไปไดมาก และดึงโฮลเขา ไปแทนท่ไี ดม าก เปลย่ี นสภาพจากสารกงึ่ตวั นาํ ชนดิ P บรเิ วณรูปตัดตวั V เปน สารกงึ่ ตัวนําชนิด N ไดมาก มกี ระแส ID ไหลในวงจรมากการวดั และตรวจสอบเฟต ขนั้ ตอนการวดั มอสเฟต 1) ตั้งมเิ ตอรท ่ี Rx10k ใชส ายบวกแตะทขี่ าเกต (G) และลบทข่ี าซอส (S) คา ท่ีอา นไดจะมคี า เทา กบัอนิ ฟน ติ ้ี () (เข็มไมข ึ้น)

68 SG D ภาพที่ 4-20 แสดงการวดั และตรวจสอบมอสเฟต 2) ปรบั มิเตอรไ ปท่ี Rx1 นาํ สายบวกแตะทข่ี าเดรน (D) และสายลบแตะท่ขี าซอส (S) เข็มมิเตอรจะบายเบนไปทางขวาเกอื บเตม็ สเกล เมอ่ื อานคาความตานทานจะไดค าความตา นทานนอยมาก S G D ภาพที่ 4-21 แสดงการวัดและตรวจสอบมอสเฟตดวยวิธกี ารไบอสั 3) เมื่อทําตามขอ ที่ 2 แลว ใหทําการช็อทระหวา งขาเกต (G) กบั ขาซอส (S) เขม็ ของมเิ ตอรจ ะตกลงมาที่อนิ ฟน ติ ี้ () 4) จากการวัดทง้ั 3 ขอ แสดงวา มอสเฟตอยูใ นสภาพใชง านได

69 เฟต (FET) ยอ มาจาก ฟล ดเ อฟเฟคทรานซสิ เตอร (Field Effect Transister) เปน อปุ กรณสารกึ่งตัวนาํประเภทแอคทฟี ใชส นามไฟฟาควบคุมการไหลของกระแสไฟฟา หรอื เปนทรานซิสเตอรส นามไฟฟา มขี าใชงาน 3 ขาคอื ขาเกท (Gate) ขาเดรน (Drain) และขาซอรส (Source) สามารถแบง ชนิด ได 2 ชนดิ คอื เจเฟต (JFET) กับมอสเฟต (MOSFET) เจเฟต (JFET) ยอ มาจาก จังช่ันฟล ดเอฟเฟคทรานซสิ เตอร (Junction Field Effect Transister)สามารถแบง ออกได 2 ชนิด คอื ชนดิ เอ็นแชนแนล กบั ชนดิ พีแชนแนล มอสเฟต (MOSFET) ยอ มาจาก เมทลั ออกไซดเ ซมคิ อนดัคเตอรฟ ล ดเอฟเฟคทรานซสิ เตอร (MetalOxide Semiconductor Field Effect Transister) สามารถแบง ยอ ยออกได 3 แบบ คือ 1. ดพี ลีชน่ั มอสเฟต (Depletion MOSFET) เรยี กยอ ๆ วา ดีมอสเฟต (D-MOSFET) นอกจากน้ี ยังสามารถแบงออกได 2 ชนิด คือ ดพี ลชี ั่นมอสเฟต ชนิดพีแชนแนลกบั ดีพลชี ั่นมอสเฟต ชนดิ เอ็นแชนแนล 2. เอนฮานซเ มนตม อสเฟต (Enhancement MOSFET) เรียกยอๆวา เอนมอสเฟต (En-MOSFET)นอกจากน้ี ยังสามารถแบง ออกได 2 ชนดิ คอื เอนฮานซเ มนตม อสเฟต ชนดิ พีแชนแนลกับเอนฮานซเ มนตมอสเฟตชนิดเอน็ แชนแนล 3. เวอรต คิ อลมอสเฟต (Vertical MOSFET) เรยี กยอๆ วา วี-มอส (V-MOS) เปน มอสเฟตทสี่ รา งขน้ึ มา เพอื่ นําไปใชงานกับการขยายทใ่ี หก าํ ลงั ไฟฟา ทนกระแส และตอบสนองความถไี่ ดส งู นอกจากน้ี ยงั สามารถแบง ออกได 2 ชนิด คอื เวอรตคิ อลมอสเฟต ชนิดพีแชนแนลกับเวอรต คิ อลมอสเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล สัญลกั ษณของเฟตแตละชนิด แตกตา งกนั ออกไปตามลกั ษณะโครงสรางของเฟต การไบอสั เฟต ถา เปน เจเฟตกบั ดพิ ลีช่ันมอสเฟต จะตอ งตอไบอสั ตรงทข่ี าซอรส และตอ ไบอสั กลบั ทขี่ าเดรน ที่ขาเกตจะตองตอไบอสั กลับเทยี บกบั ขาซอรส สวนเอนฮารนเมนตม อสเฟตกบั เวอรตคิ อลมอสเฟต จะตอ งจา ยไบอสั กลบั ที่ขาซอรส และตอ ไบอสั ตรงทข่ี าเดรน สว นขาเกตจะตอ งตอ ไบอสั ตรงเทียบกบั ขาซอรส

70ตอนที่ 1 จงทําเครื่องหมาย () ลงหนา ขอ ท่ีถกู ตอ ง 6. ถา ตอ งการควบคุมกระแสเดรนที่ไหลผา นเจเฟต1. เจเฟตท่ีเหมอื นกบั ทรานซสิ เตอรต รงทตี่ อ งการ จะตองทาํ อยางไรแหลงจา ยภายนอกกีแ่ หลง ก. ควบคุมแรงดนั ไบอัสตรงท่ซี อสของเจเฟต ข. ควบคมุ แรงดนั ไบอสั กลบั ท่ีซอสของเจเฟต ก. 1 แหลง ข. 2 แหลง ค. ควบคุมแรงดนั ไบอสั ตรงทเ่ี กตของเจเฟต ค. 3 แหลง ง. ควบคุมแรงดนั ไบอสั กลบั ทเ่ี กตของเจเฟต ง. 4 แหลง 7. เจเฟตและมอสเฟตแตกตางกนั อยา งไร2. เจเฟตจะเหมอื นกับทรานซสิ เตอรค อื สามารถสรางไดท้งั แบบเอน็ แชนแนลและแบบอะไร ก. โครงสรา งภายนอก ก. พีแชนแนล ข. โครงสรางภายใน ข. เอน็ พีเอน็ ค. การจา ยไบอัส ค. พีเอน็ พี ง. ทว่ั ไป ง. แรงดันใชง าน3. เจเฟตชนดิ เอ็นแชนแนล สารเอน็ ตอ อยกู บั ขาใด 8. คาความตา นทานท่เี กตกบั ซอส หรือเกตกบั เดรน ก. ขาเดรนและขาซอส จะมีคณุ สมบัตเิ หมอื นวดั อุปกรณอ ะไร ข. ขาเดรน ค. ขาซอส ก. ตวั ตานทาน ง. ขาเกต ข. คาปาซิเตอร4. เจเฟตชนดิ พแี ชนแนล สารเอน็ ตอ อยกู ับขาใด ค. ไดโอด ก. ขาเดรนและขาซอส ข. ขาเดรน ง. ขดลวด ค. ขาซอส 8. ขอ ใดเปนการควบคุมกระแสเดรนท่ไี หลผานเจเฟต ง. ขาเกต5. เจเฟตมอี ยกู ่ชี นิด ก. ควบคมุ แรงดนั ไบอัสตรงท่เี กตของเจเฟต ก. 1 ชนิด ข. 2 ชนิด ข. ควบคุมแรงดันไบอสั กลับท่เี กตของเจเฟต ค. 3 ชนดิ ค. ควบคมุ แรงดันไบอสั ตรงทซ่ี อสของเจเฟต ง. 4 ชนดิ ง. ควบคมุ แรงดันไบอัสกลบั ทซ่ี อสของเจเฟต 9. ขอ ใดไมใ ชค ุณสมบตั ขิ องเฟตทีด่ กี วาทรานซสิ เตอร ก. ทนอุณหภมู ิสงู ข. ทนกําลงั ไฟฟา สงู ค. อนิ พุทอิมพีแดนซส งู ง. การรบกวนของสญั ญาณ

71ตอนท่ี 2 จงเติมคาํ ลงในชองวา งใหสมบรู ณ1. การทาํ งานของเจเฟตเหมอื นกันกบั การทํางานของ ………………………………………………………………………………………2. การไหลของกระแสในดีพลชี ัน่ มอสเฟต เมื่อแรงดัน VGG เพม่ิ ขน้ึ กระแสจะ………………………….………………………..3. เฟต แบง ออกได ……………….. ประเภท คือ………………………………………………………………………………………………..4. สารกง่ึ ตวั นําชนดิ N+ คอื ...........................................…………………………………………………………………………………5. สารกึง่ ตัวนําชนิด P- คือ ..........................................……………………………………………………………………………………ตอนท่ี 3 จงตอบคาํ ถามใหไดใจความสมบรู ณ1. จงบอกขอดีของเฟตเหนือกวาทรานซิสเตอร (อยา งนอย 5 ขอ)2. เฟต แบง ออกไดก ป่ี ระเภท อะไรบาง แตประเภทแบง ออกไดก่ีชนิด อะไรบา ง3. จงบอกโครงสรา งของดพี ลีชน่ั มอสเฟต ชนิดพแี ชนแนล4. จงบอกการทํางานของเจเฟต ชนดิ พีแชนแนล5. จงบอกโครงสรา งของเจเฟต ชนิดเอ็นแชนแนล

72ธนกร คีรพี ทิ ักษ. 2537. สารกงึ่ ตัวนาํ และวงจร. ปทมุ ธานี : สกายบคุ .ประพันธ พิพฒั นสขุ และคณะ. ม.ป.ป.. ปฏิบัตอิ ปุ กรณอ ิเลก็ ทรอนิกสและวงจร 2. กรงุ เทพฯ : สํานกั พิมพ ศนู ยสง เสรมิ อาชีวะ.พทุ ธารักษ แสงกงิ่ . ม.ป.ป.. อปุ กรณอิเลก็ ทรอนิกส. กรงุ เทพฯ : สาํ นกั พิมพ ศนู ยสง เสริมอาชีวะ.พันธศ ักด์ิ พุฒมิ านติ พงศ. 2557. อุปกรณอ เิ ลก็ ทรอนกิ สแ ละวงจร. กรงุ เทพฯ : สํานกั พิมพศนู ยสง เสรมิ วชิ าการ._______. ม.ป.ป.. อุปกรณอเิ ล็กทรอนกิ สแ ละวงจร. กรุงเทพฯ : สํานกั พมิ พศ นู ยส ง เสรมิ วิชาการ._______. ม.ป.ป.. อปุ กรณอเิ ลก็ ทรอนกิ สและวงจร. กรุงเทพฯ : สํานกั พมิ พศนู ยส ง เสรมิ อาชีวะ.“เฟต”. ม.ป.ป.. [ระบบออนไลน] . แหลงทมี่ า http://miqn.net/periph/64.html สืบคน เมอ่ื 14 กนั ยายน 2558.โรงเรยี นแสงทองโทรทัศน. การตรวจเช็คอปุ กรณอ เิ ล็กทรอนกิ ส. SANG THONG 2000 3, 13 : 23-30.________. 2543. การตรวจเช็คอปุ กรณอ เิ ลก็ ทรอนิกส. SANG THONG 2000 3, 14 : 61-66.ไวพจน ศรีธญั . 2546. อปุ กรณอิเล็กทรอนกิ ส. กรงุ เทพฯ : สาํ นกั พมิ พวังอกั ษร.สถาบันอิเลก็ ทรอนกิ สก รงุ เทพ. 2544. การตรวจสอบอปุ กรณส ารกง่ึ ตวั นาํ . อิเลก็ ทรอนิกสแฮนดบุค 9, 53 : 27-35.อดลุ ย กลั ยาแกว . ม.ป.ป.. อุปกรณอเิ ลก็ ทรอนกิ สและวงจร (อปุ กรณอ ิเล็กทรอนกิ ส) . กรงุ เทพฯ : สํานักพิมพ ศนู ยสง เสริมอาชีวะ,________. 2556. อุปกรณอ เิ ลก็ ทรอนิกสแ ละวงจร. กรุงเทพฯ : สาํ นกั พมิ พศ ูนยสง เสรมิ อาชีวะ.