การวดั และทดสอบแอลอีดี 1. ตั้งย่านมัลตมิ เิ ตอร์ Rx1 2. นาสายมิเตอร์จบั ท่ีขาแอลอดี ี 3. อ่านคา่ ความตา้ นทานหรือสังเกต การเปล่งแสงของแอลอีดี 4. สลบั สายมเิ ตอร์ 5. อา่ นค่าความต้านทานหรอื สงั เกต การเปลง่ แสงของแอลอีดี ผลการวดั วัด 2 คร้งั แอลอีดีจะต้องเปล่งแสง 1 คร้งั เมอื่ ไดร้ บั ไบอัสแบบตรง หรือแบบฟอร์เวริ ด์ ไบอสั
การนาแอลอดี ีไปใช้งาน ใช้ในภาคแสดงผล เรียกว่า แอลอีดีเซเวน่ เซกเมนต์ (7 Segment) โดยมโี ครงสรา้ งเหมือนกับไดโอดธรรมดา เพยี งแต่ นามารวมเป็น 7 ตวั ในตัวถังเดียวกัน
ทรานซสิ เตอร์ (Transister) เปน็ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนาทสี่ ามารถควบคุมการไหลของ อิเลก็ ตรอน ใช้ทาหนา้ ท่ี ขยายสัญญาณไฟฟา้ , เปิด/ปดิ สญั ญาณ ไฟฟา้ , ควบคมุ แรงดนั ไฟฟา้ ให้คงท่ี, หรอื มอดเู ลตสัญญาณไฟฟา้ เป็นอปุ กรณ์สารกง่ึ ตวั นาทีม่ ีบทบาทมากในปัจจบุ นั เนื่องจาก ทรานซิสเตอรม์ ขี นาดเล็ก กะทัดรดั ราคาถกู มีความรอ้ น ตา่ สนิ้ เปลอ้ื งพลงั งานนอ้ ย ทนทาน และ มคี วามปลอดภยั ขอ้ สาคญั มคี วามไวในการทางาน
หลอดสุญญากาศ
ชนดิ ของทรานซสิ เตอร์ แบ่งตามการใช้งาน 1. ทรานซสิ เตอรส์ วทิ ชง่ิ (Switching Transistor) 2. ทรานซิสเตอร์กาลัง (Power Transistor) 3. ทรานซิสเตอร์ความถีส่ ูง (High Frequency Transistor) แบ่งตามเนือ้ สารที่นามาสร้าง 1. เยอรมันเนี่ยมทรานซิสเตอร์ (Germanium Transistor) 2. ซิลกิ อนทรานซสิ เตอร์ (Silicon Transistor)
แบง่ ตามโครงสรา้ งของสารทน่ี ามาสร้าง 1. ทรานซิสเตอรช์ นิดเอน็ พเี อน็ (NPN type Transistor) 2. ทรานซิสเตอร์ชนดิ พเี อ็นพี (PNP type Transistor) CC P C N C B B N P PB NB EE EE ทรานซสิ เตอร์ชนดิ พเี อน็ พี ทรานซสิ เตอร์ชนิดเอน็ พีเอ็น
โครงสรา้ งของทรานซสิ เตอร์ เกิดจากการนาสารก่งึ ตัวนาชนิดพีและสารก่ึงตัวนาชนดิ เอ็น นามาเรียงกนั 3 ชนั้ เพ่อื ใหเ้ กิดรอยตอ่ 2 รอยต่อ โดยตรงกลาง เปน็ เนื้อสารทต่ี า่ งจากสารท่ีอยู่หวั และท้ายมีขาใช้งาน 3 ขา คือ 1. ขาคอลเล็คเตอร์ (Collector : C) เป็นขาทม่ี ีโครงสรา้ ง ในการโด๊ปสารใหญท่ ่ีสุด 2. ขาอมิ ิตเตอร์ (Emitter : E) เป็นขาท่ีมีโครงสรา้ งในการ โดป๊ สารใหญ่รองลงมา และจะอยฝู่ ่งั ตรงขา้ มกับขา C 3. ขาเบส (Base : B) เปน็ ส่วนที่อยู่ตรงกลางระหวา่ งขา C กับขา B มีโครงสร้างในการโดป๊ สารแคบท่ีสดุ
เบอรข์ องทรานซิสเตอร์ 2SA หรอื A เป็นทรานซสิ เตอรช์ นิดพเี อ็นพี ใชก้ บั ย่านความถี่สูง (RF : Radio Frequency) 2SB หรือ B เป็นทรานซิสเตอรช์ นิดพีเอ็นพี ใชก้ บั ย่านความถ่ีตา่ หรอื ความถี่เสียง (AF : Audio Frequency) 2SC หรอื C เป็นทรานซสิ เตอร์ชนิดเอ็นพีเอน็ ใช้กบั ย่านความถี่สงู 2SD หรือ D เปน็ ทรานซิสเตอรช์ นิดเอน็ พีเอน็ ใชก้ ับย่านความถ่ตี ่า
หลกั การทางานของทรานซิสเตอร์ กระแสทางด้านอนิ พทุ จะตอ้ งควบคุมกระแสทางด้าน เอา้ ทพ์ ุท ทาได้ โดยการไบอสั ตรงทางด้านอนิ พุท และไบอสั กลบั ทางดา้ นเอ้าท์พทุ INPUT ELECTRIC OUTPUT CURCUIT
การวัดและทดสอบทรานซิสเตอร์ ข้นั ตอนการวดั หาขา B 1. ตัง้ มัลติมเิ ตอร์ย่านวัดความต้านทาน Rx10 หรือ Rx100 2. นาสายมเิ ตอรแ์ ตะระหว่างขาของทรานซิสเตอร์ 2 ขา ทาการวดั ทง้ั หมด 6 คร้ัง เขม็ มิเตอร์จะขึน้ (คา่ ความต้านทานต่า) 2 ครง้ั ผลการวัด 1. สามารถทราบขา B โดยสังเกตจากการวดั เข็มขึ้น 2 ครงั้ ซงึ่ สายมิเตอร์ จะจบั นง่ิ ท่ีขาเบส และสายทเ่ี หลอื ไปจับขาท่ีเหลือ เขม็ มิเตอร์ขน้ึ เมอื่ สลับสายเขม็ มิเตอรจ์ ะไม่ข้ึน 2. สามารถทราบชนดิ ของทรานซิสเตอร์
-+ C -+ C B B E E -+ -+ ทรานซสิ เตอร์ NPN ทรานซสิ เตอร์ PNP แสดงการวัดขาเบสของทรานซสิ เตอร์
วิธที ี่ 1 ขัน้ ตอนการวัดหาขา C และ E 1. ตง้ั มลั ติมเิ ตอรย์ า่ นวดั ความตา้ นทาน Rx10k 2. นาสายวดั จับขาเบสกับขาท่เี หลอื ทาการวดั 2 ครัง้ โดย ทรานซิสเตอรจ์ ะอยูใ่ นลกั ษณะรเี วิร์สไบอสั หรอื ไบอสั แบบกลับ ผลการวัด ถา้ วดั ขาเบสเทียบกบั ขาทเี่ หลอื * ได้คา่ ความต้านทานสูง (เข็มมิเตอรข์ น้ึ เลก็ น้อยหรือไม่ขึน้ เลย) แสดงวา่ ขาที่สายมิเตอรจ์ ับกับขา B คอื ขา C ** ไดค้ า่ ความต้านทานต่า (เขม็ มิเตอร์ขึน้ มาก) แสดงวา่ ขาที่ สายมิเตอร์จับกับขา B คือ ขา E
-+ C -+ C B B E E -+ -+ ทรานซิสเตอร์ NPN ทรานซิสเตอร์ PNP แสดงการวดั ขาคอลเลค็ เตอรแ์ ละขาอิมติ เตอรข์ องทรานซสิ เตอร์
วธิ ที ่ี 2 วธิ ีการวดั โดยการไบอสั ทรานซสิ เตอร์ เม่ือทราบขาเบส 1. ตัง้ มลั ตมิ ิเตอรย์ ่านวัดความต้านทาน Rx10k 2. นาสายมิเตอร์จับ 2 ขา ท่ีเหลือ 3. นานิ้วแตะระหวา่ งขาเบสกบั 2 ขา ที่เหลือ 4. ดผู ลการวัดหรอื สังเกตเขม็ มิเตอร์ ผลการวดั ถ้าหากนานิ้วแตะที่ขาใดกบั ขาเบสแลว้ เขม็ มเิ ตอร์ข้ึน แสดงวา่ ขาน้ัน คอื ขา C ขาทเ่ี หลอื คอื ขา E
เขม็ ข้ึน C + เขม็ ข้ึน C + - B - B เขม็ ไม่ข้ึน E เขม็ ไม่ข้ึน E ทรานซิสเตอร์ NPN ทรานซิสเตอร์ PNP
เฟต (FET) FET ย่อมาจาก Field Effect Transistor หมายถึง ทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟ้า คอื อปุ กรณส์ ารกึ่งตวั นาชนิดขว้ั เดยี ว (Unipolar) มีลกั ษณะ โครงสรา้ งและหลกั การทางาน แตกต่างจากทรานซิสเตอร์ เพราะ ทรานซสิ เตอร์ เป็นอปุ กรณส์ ารกง่ึ ตวั นาชนดิ สองขว้ั (Bipolar) การทางานของทรานซิสเตอร์ ตอ้ งอาศยั กระแส ควบคมุ การทางาน ทัง้ กระแสอเิ ล็กตรอนและกระแสโฮล สว่ น การทางานของเฟต ต้องใช้แรงดันในการควบคุม
คุณสมบตั ิเด่นของเฟต ที่ดกี วา่ ทรานซิสเตอร์ 1. เฟตสามารถต่อขยายสัญญาณแบบหลายภาคได้ดี 2. เฟตสามารถทางานท่ีอุณหภมู ิสูงได้ดกี ว่าทรานซิสเตอร์ 3. เฟตสามารถสร้างใหม้ ีขนาดเล็กลงได้มากกว่าทรานซสิ เตอร์ 4. เฟตไม่มีผลตอ่ แรงดนั ตา้ นภายใน เมื่อนาไปใช้เปน็ สวทิ ซ์ 5. ขบวนการผลติ เฟต เหมือนกับการผลติ ไอซี 6. อณุ หภูมิมผี ลตอ่ การทางานของเฟตนอ้ ยกวา่ ทรานซสิ เตอร์มาก 7. เฟตมีสญั ญาณรบกวนตา่ กว่าทรานซสิ เตอร์ จึงเหมาะกบั การใช้งานในภาคขยายสญั ญาณอตั ราต่า 8. อิมพแี ดนซ์ทางอินพุทของเฟตสงู มาก 9. เฟตสามารถสร้างใหม้ ีความไวในการใช้งานไดด้ ีกว่าทรานซสิ เตอร์
ประเภทและชนิดของเฟต เฟต สามารถแบง่ ออกได้ 2 ประเภท คอื 1. เจเฟต : จงั ช่นั ฟิลด์ เอฟเฟ็ค ทรานซสิ เตอร์ (J-FET) : (Junction Field Effect Transister) 2. มอสเฟต : มิทอล ออกไซด์ เซมคิ อนดคั เตอร์ ฟลิ ด์ เอฟเฟ็ค ทรานซิสเตอร์ (MOSFET) : (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister)
เจเฟต สามารถแบง่ ออกได้ 2 ชนิด คือ 1. J-FET ชนดิ N-Channel 2. J-FET ชนดิ P-Channel มอสเฟต สามารถแบ่งออกได้ 3 แบบ 1. ดพี ลชี ่นั มอสเฟต (Depletion MOSFET) 1.1 ชนดิ N-Channel 1.2 ชนิด P-Channel 2. เอนฮาร์นเมนต์มอสเฟต (Enhancement MOSFET) 2.1 ชนิด N-Channel 2.2 ชนิด P-Channel 3. เวอรต์ ิคอลมอสเฟต (Vertical MOSFET) 3.1 ชนิด N-Channel 3.2 ชนดิ P-Channel
การวดั และตรวจสอบมอสเฟต 1. ตั้งมิเตอร์ที่ Rx10k ใชส้ ายบวกแตะทข่ี า G และลบทข่ี า S คา่ ท่ีอ่านได้จะมคี ่าเทา่ กบั อนิ ฟนิ ติ ้ี () (เขม็ ไมข่ น้ึ ) S G D
2. ปรับมเิ ตอร์ไปที่ Rx1 นาสายบวกแตะทีข่ า D และสายลบแตะ ทข่ี า S เขม็ มเิ ตอรจ์ ะบา่ ยเบนไปทางขวาเกอื บเตม็ สเกล เมื่ออ่านคา่ ความต้านทานจะไดค้ า่ ความต้านทานน้อยมาก S G D
3. เมื่อทาตามข้อท่ี 2 แล้ว ให้ทาการช็อท ระหว่างขา G กับ S เขม็ ของมเิ ตอร์จะตกลงมาท่ีอินฟินติ ้ี () 4. จากการวัดทั้ง 3 ขอ้ แสดงวา่ มอสเฟต อย่ใู นสภาพใชง้ านได้ S G D
Search
