การวัดและทดสอบแอลอีดี 1. ตั้งยา นมลั ติมิเตอร Rx1 2. นําสายมิเตอรจ บั ท่ีขาแอลอดี ี 3. อา นคาความตา นทานหรือสงั เกต การเปลงแสงของแอลอีดี 4. สลบั สายมเิ ตอร 5. อา นคาความตานทานหรือสังเกต การเปลงแสงของแอลอีดี ผลการวดั วดั 2 คร้งั แอลอีดีจะตอ งเปลงแสง 1 คร้งั เมอ่ื ไดรับไบอัสแบบตรง หรือแบบฟอรเ วริ ด ไบอสั
การนาํ แอลอดี ีไปใชงาน ใชใ นภาคแสดงผล เรยี กวา แอลอดี เี ซเวนเซกเมนต (7 Segment) โดยมโี ครงสรา งเหมอื นกับไดโอดธรรมดา เพยี งแต นํามารวมเปน 7 ตวั ในตัวถงั เดียวกัน
ทรานซสิ เตอร (Transister) เปน อุปกรณส ารกง่ึ ตัวนาํ ทส่ี ามารถควบคุมการไหลของ อเิ ล็กตรอน ใชทาํ หนา ท่ี ขยายสัญญาณไฟฟา , เปด/ปดสญั ญาณ ไฟฟา , ควบคุมแรงดนั ไฟฟาใหค งที่, หรอื มอดูเลตสญั ญาณไฟฟา เปน อปุ กรณส ารกึ่งตวั นําที่มีบทบาทมากในปจจบุ นั เนอ่ื งจาก ทรานซิสเตอรม ีขนาดเล็ก กะทดั รัด ราคาถกู มคี วามรอ น ต่ํา สนิ้ เปลือ้ งพลังงานนอย ทนทาน และ มคี วามปลอดภัย ขอ สําคัญ มีความไวในการทํางาน
หลอดสุญญากาศ
ชนดิ ของทรานซิสเตอร แบงตามการใชงาน 1. ทรานซสิ เตอรสวทิ ช่ิง (Switching Transistor) 2. ทรานซสิ เตอรก ําลงั (Power Transistor) 3. ทรานซสิ เตอรค วามถ่สี งู (High Frequency Transistor) แบงตามเนือ้ สารทนี่ ํามาสราง 1. เยอรมนั เนยี่ มทรานซิสเตอร (Germanium Transistor) 2. ซลิ ิกอนทรานซิสเตอร (Silicon Transistor)
แบง ตามโครงสรางของสารท่นี าํ มาสราง 1. ทรานซิสเตอรชนิดเอน็ พเี อ็น (NPN type Transistor) 2. ทรานซิสเตอรชนดิ พีเอน็ พี (PNP type Transistor) CC P C N C B B N P PB NB EE EE ทรานซิสเตอรชนดิ พเี อน็ พี ทรานซิสเตอรชนดิ เอน็ พีเอ็น
โครงสรางของทรานซิสเตอร เกิดจากการนําสารกง่ึ ตวั นําชนิดพีและสารกง่ึ ตวั นําชนดิ เอน็ นาํ มาเรียงกนั 3 ช้ัน เพือ่ ใหเ กิดรอยตอ 2 รอยตอ โดยตรงกลาง เปน เนื้อสารทีต่ า งจากสารที่อยูหัวและทา ยมีขาใชง าน 3 ขา คือ 1. ขาคอลเลค็ เตอร (Collector : C) เปนขาทีม่ ีโครงสรา ง ในการโดป สารใหญที่สดุ 2. ขาอิมติ เตอร (Emitter : E) เปน ขาท่มี ีโครงสรางในการ โดป สารใหญรองลงมา และจะอยฝู งตรงขา มกบั ขา C 3. ขาเบส (Base : B) เปน สวนทอี่ ยตู รงกลางระหวา งขา C กับขา B มีโครงสรางในการโดป สารแคบท่ีสุด
เบอรข องทรานซิสเตอร 2SA หรอื A เปนทรานซสิ เตอรชนดิ พีเอน็ พี ใชก บั ยานความถี่สงู (RF : Radio Frequency) 2SB หรือ B เปนทรานซสิ เตอรชนิดพเี อน็ พี ใชกบั ยา นความถ่ีตา่ํ หรอื ความถี่เสยี ง (AF : Audio Frequency) 2SC หรอื C เปนทรานซสิ เตอรชนิดเอน็ พีเอน็ ใชก ับยานความถสี่ ูง 2SD หรือ D เปน ทรานซสิ เตอรช นดิ เอ็นพีเอ็น ใชก บั ยานความถี่ต่าํ
หลักการทํางานของทรานซิสเตอร กระแสทางดา นอินพทุ จะตอ งควบคมุ กระแสทางดาน เอา ทพ ทุ ทําได โดยการไบอสั ตรงทางดานอินพุท และไบอสั กลบั ทางดา นเอา ทพ ทุ INPUT ELECTRIC OUTPUT CURCUIT
การวัดและทดสอบทรานซิสเตอร ข้ันตอนการวัดหาขา B 1. ต้งั มลั ติมเิ ตอรยา นวดั ความตานทาน Rx10 หรือ Rx100 2. นําสายมิเตอรแ ตะระหวางขาของทรานซสิ เตอร 2 ขา ทาํ การวัดทั้งหมด 6 ครง้ั เขม็ มิเตอรจะข้นึ (คา ความตานทานต่ํา) 2 ครั้ง ผลการวัด 1. สามารถทราบขา B โดยสังเกตจากการวัดเข็มขน้ึ 2 คร้งั ซ่งึ สายมเิ ตอร จะจับนงิ่ ที่ขาเบส และสายทเ่ี หลือไปจับขาทเี่ หลือ เขม็ มเิ ตอรขึ้น เมื่อสลับสายเขม็ มิเตอรจ ะไมข ึ้น 2. สามารถทราบชนิดของทรานซิสเตอร
C C -+ -+ B B E E -+ -+ ทรานซสิ เตอร NPN ทรานซสิ เตอร PNP แสดงการวัดขาเบสของทรานซสิ เตอร
วิธที ่ี 1 ขน้ั ตอนการวดั หาขา C และ E 1. ต้ังมัลติมิเตอรย านวัดความตา นทาน Rx10k 2. นาํ สายวัดจบั ขาเบสกับขาท่ีเหลอื ทําการวัด 2 คร้ัง โดย ทรานซิสเตอรจะอยูในลกั ษณะรเี วิรสไบอัสหรอื ไบอัสแบบกลับ ถา วัดขาเบสเทยี บกับขาทเ่ี หลือ ผลการวัด * ไดคา ความตา นทานสูง (เข็มมเิ ตอรขึ้นเล็กนอยหรอื ไมขึน้ เลย) แสดงวา ขาที่สายมเิ ตอรจบั กับขา B คอื ขา C ** ไดคา ความตานทานตาํ่ (เขม็ มเิ ตอรขน้ึ มาก) แสดงวา ขาที่ สายมิเตอรจับกับขา B คอื ขา E
-+ C -+ C B B E E -+ -+ ทรานซิสเตอร NPN ทรานซิสเตอร PNP แสดงการวดั ขาคอลเลค็ เตอรแ ละขาอิมติ เตอรข องทรานซสิ เตอร
วธิ ที ี่ 2 วิธกี ารวัดโดยการไบอสั ทรานซสิ เตอร เมอ่ื ทราบขาเบส 1. ต้ังมัลติมเิ ตอรย านวดั ความตา นทาน Rx10k 2. นําสายมิเตอรจับ 2 ขา ที่เหลอื 3. นาํ นวิ้ แตะระหวางขาเบสกับ 2 ขา ทเ่ี หลือ 4. ดูผลการวดั หรือสังเกตเข็มมเิ ตอร ผลการวัด ถาหากนําน้ิวแตะทขี่ าใดกับขาเบสแลวเข็มมิเตอรขนึ้ แสดงวา ขานน้ั คือ ขา C ขาทเ่ี หลอื คอื ขา E
เขม็ ขึน C + เขม็ ขึน C + - B - B เขม็ ไม่ขึน E เขม็ ไม่ขึน E ทรานซิสเตอร์ NPN ทรานซิสเตอร์ PNP
เฟต (FET) FET ยอมาจาก Field Effect Transistor หมายถงึ ทรานซสิ เตอรสนามไฟฟา คือ อุปกรณสารกงึ่ ตวั นาํ ชนิดข้วั เดยี ว (Unipolar) มีลักษณะ โครงสรางและหลักการทาํ งาน แตกตางจากทรานซิสเตอร เพราะ ทรานซิสเตอร เปน อปุ กรณส ารกง่ึ ตัวนาํ ชนดิ สองขว้ั (Bipolar) การทํางานของทรานซสิ เตอร ตอ งอาศัยกระแส ควบคมุ การทาํ งาน ทัง้ กระแสอิเลก็ ตรอนและกระแสโฮล สวน การทํางานของเฟต ตอ งใชแรงดนั ในการควบคมุ
คุณสมบตั เิ ดนของเฟต ท่ีดกี วาทรานซิสเตอร 1. เฟตสามารถตอขยายสัญญาณแบบหลายภาคไดด ี 2. เฟตสามารถทํางานท่อี ุณหภมู ิสงู ไดดีกวา ทรานซสิ เตอร 3. เฟตสามารถสรางใหม ขี นาดเลก็ ลงไดมากกวา ทรานซิสเตอร 4. เฟตไมมผี ลตอ แรงดันตา นภายใน เมือ่ นําไปใชเ ปน สวทิ ซ 5. ขบวนการผลิตเฟต เหมือนกับการผลติ ไอซี 6. อณุ หภูมมิ ผี ลตอการทาํ งานของเฟตนอ ยกวา ทรานซิสเตอรมาก 7. เฟตมีสญั ญาณรบกวนตาํ่ กวา ทรานซสิ เตอร จงึ เหมาะกบั การใชงานในภาคขยายสญั ญาณอตั ราตํา่ 8. อิมพีแดนซทางอนิ พทุ ของเฟตสูงมาก 9. เฟตสามารถสรางใหม ีความไวในการใชงานไดด ีกวาทรานซสิ เตอร
ประเภทและชนิดของเฟต เฟต สามารถแบง ออกได 2 ประเภท คือ 1. เจเฟต : จงั ชน่ั ฟล ด เอฟเฟค ทรานซสิ เตอร (J-FET) : (Junction Field Effect Transister) 2. มอสเฟต : มิทอล ออกไซด เซมิคอนดัคเตอร ฟล ด เอฟเฟค ทรานซิสเตอร (MOSFET) : (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister)
เจเฟต สามารถแบงออกได 2 ชนิด คอื 1. J-FET ชนิด N-Channel 2. J-FET ชนดิ P-Channel มอสเฟต สามารถแบงออกได 3 แบบ 1. ดีพลชี นั่ มอสเฟต (Depletion MOSFET) 1.1 ชนดิ N-Channel 1.2 ชนดิ P-Channel 2. เอนฮารนเมนตมอสเฟต (Enhancement MOSFET) 2.1 ชนดิ N-Channel 2.2 ชนิด P-Channel 3. เวอรต คิ อลมอสเฟต (Vertical MOSFET) 3.1 ชนดิ N-Channel 3.2 ชนิด P-Channel
การวดั และตรวจสอบมอสเฟต 1. ต้ังมิเตอรที่ Rx10k ใชส ายบวกแตะทข่ี า G และลบท่ีขา S คา ท่ีอานไดจะมีคาเทา กบั อนิ ฟน ติ ้ี () (เขม็ ไมข น้ึ ) S G D
2. ปรับมเิ ตอรไ ปที่ Rx1 นาํ สายบวกแตะที่ขา D และสายลบแตะ ทข่ี า S เขม็ มเิ ตอรจ ะบายเบนไปทางขวาเกือบเตม็ สเกล เมื่ออา นคาความตา นทานจะไดคาความตานทานนอ ยมาก S G D
3. เม่อื ทาํ ตามขอที่ 2 แลว ใหท ําการช็อท ระหวางขา G กับ S เข็มของมิเตอรจะตกลงมาท่ีอินฟนติ ี้ () 4. จากการวัดทั้ง 3 ขอ แสดงวามอสเฟต อยูในสภาพใชงานได S G D
Search
