unit1

F1 ก1. F F FF Fก ก กก ˈF F ก F ก ก ˈF ก ก กก กFF F ก ก F F ก ก กF Fกก F F F กF F ˈ กก F ก กFกF ˈF ˈกˈก ˂ ก F F ˈก ˂ ก Fก 1 F2. ก กF ˈF ก FF Fก Fก Fก ก ก กF F กก ก 2N2 N กF ก Fˈ ก ก FF ก ˈ กK F กF



ก 3 ˈก ก (Na) ก 11 กก F1 2 28 3 1F ก17 ก ก ˈ 2, 8, 7 Fก ก ก ˈFก ˂ F F กˈ3 ˂,ก ˂กก Fก ˂ F ก 1- 3 ก Fก 4 ˂ F ก 5- 8 2.1 ˂ ( Conductor ) ˂ F ก 1-3 ก กก FF ก กF ก ˂ F F F , , , , ก, ก ˈ F 2.2 ก ˂ ( Semi Conductor ) ˈ กก ˂ Fก 4 Fก กF˂ ˂ก ˂ F ˈ ก F ก กFF Fˈ ก F กF F กก F ˈ กFก กF 2 ( Si) (Ge) 2.3 ˂ ( Insulator ) ˈก ˂ F ก 5-8 กFกก F F F F กก ก ก Fก ˂F Fก F F ˂ก F F กF , กF , ก, F F ˈ F3. ก ก FF (Doping ) ก ก ก F ก ก Fก ก ก ก ˈก Fก 4 Fก F Fก ก 14 F ก 32 F



ก3 Fก Fก 3 Fˈ F ก Fก 5 Fˈ F F4.1 ก N ( N Type Semiconductor ) Fก Fก 5 F ก ˈ ก F กก กก Fก F Fก F 8กF FF Fก ก1 ก ก กก ก F กF6 Fก ก ก ก F Si ก P ก N Type4.2 ก (P-Type)ก ˈก F กก F ก 3F Fก ก FF กก Fก ก1 ก Fก F 8 FกF ก ก ก 3 กF กก ก กF F



กF F ˈ Fก ก F Fก FF˂ ˂ Fก FF ก FF Fก F Fก ˈ Fก F)ก F 0.2 F ก F ˂ F5.1 ก Fก F ก F ก ˈ Fก F A กFFK ก F Fก ก F( 9 9 กF กFก F F กF F Fก กกF5.2 ( Forward Bias )ก F ก ก กF ˂F กก F ก) FกF ก F ก ( กF ˈ ก F ˈ กF ก( กF ˈ ) 10 ก F F F F กF ก F F ˂ Fก A กF ก K กF F Fกก FF ก FกF F กF F Fก กกF กF ก FF F FF K



12 ก ก F5.5 ก ก F กก F ก กF F ก (ก )ก ก FกF F กก F ก 12กก F ก Fก FกF ( Potentail ) ( ก F ˂ F PN) FF ˂ก F ( Cutin Voltage ) F F ก FF F F 0.2Fก FF 0.6 F FF กFกก F F กF ก IF F Fก F ก กF กF กF F ก กF F กˈ ˅ FFFก Fก F Fก FF กFก F กF ( Breakdown Voltage ) กFF ก FF กก FF F ก กF ก F5.6 ก F F Fก กF FF F FF F ก Fก F FFFF F ก F กF F FกF F( F F