บทที่ 11 หน่วยความจำ

บทท่ี 11 หนวยความจาํวัตถุประสงค หลังจากไดเรียนบทน้ีจบแลว จะสามารถ 1. อธบิ ายลักษณะการเกบ็ ขอมูลของระบบไมโครคอมพวิ เตอร 2. อธบิ ายเกี่ยวกับหนว ยความจาํ ประเภท RAM, SRAM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM, flash PROM และ NVRAM อยางยอ ๆ ได 3. อธบิ ายการเขียนและการอา นขอมลู กับหนอยความจําได 4. อธิบายวธิ กี ารเก็บขอมูลของหนว ยความจําประเภทตาง ๆ ได 5. อธิบายการทํางานของการเก็บขอ มูลจํานวนมาก ๆ ในคอมพวิ เตอรไ ด 6. บอกอปุ กรณช นิดตาง ๆ ทเี่ ปน อปุ กรณหลักไมโครคอมพิวเตอรไ ด ฟลิปฟลอปเปนหนว ยความจําแบบเซมคิ อนดักเตอรชนดิ หน่ึง ฟลิปฟลอปหนง่ึ ตวั สามารถนาํ ไปสรางเปน เซลลห นว ยความจํา ( memory cell ) ในหนว ยความจําประเภทสารก่งึ ตวั นําได ท่ไี ดเคยศึกษาไปแลว จะเปนการใชงานฟลปิ ฟลอปเปน ชิพตรจี ีสเตอรแ ละแลตซ ในการเกบ็ ขอมูลช่ัวคราว ในระบบดิจิตอลอิเลก็ ทรอนิกสสวนใหญจ ะใชหนว ยความจาํ หลายประเภท อุปกรณอิเล็กทรอนกิ สที่ใชบ ันทึกความจาํ มกั ถูกสรา งโดยใชไ ฟฟา แบบดิจติ อล ระบบดจิ ติ อลทีม่ คี วามซบั ซอ น เชนคอมพิวเตอร มักมีท้ังสวนท่เี กบ็ ขอ มูลท้ังภายนอกและภายใน อาจอยูในรูปไอซี ซ่งึ เปนหนว ยความจาํแบบสารกงึ่ ตวั นํา หรอื เซมคิ อนดักเตอร ( semiconductor memory ) คอมพวิ เตอรย คุ เกาจะใชหนวยความจําแบบแกนแมเ หล็ก ( magnetic core memory ) ขอ มูลภายนอกของคอมพวิ เตอร จะเก็บไวใ นอปุ กรณห นว ยความจาํ ขนาดใหญ ท่ีสามารถเกบ็ ขอมูลไดม าก เชน ดิสกหรอื ฮารด ดสิ ก, ดรมั(drums) เทปแมเหล็ก หรอื ออปตคิ ัลดิสก เปน ตน อปุ กรณท ่ใี ชวิธีการทางแสงในการเกบ็ ขอ มลู ทรี่ จู ักกันในช่อื ของ CD - ROM (compact disk readonly memory) เปนอุปกรณท ส่ี ามารถเกบ็ ขอมูลไดมาก CD-ROM ทมี่ เี สนผา ศนู ยก ลาง 4.75 นิว้ สามารถเกบ็ ขอมูลไดถงึ 650 Mbyte นอกจากน้ียงั มกี ารผลติ CD-ROM ทีม่ ีความจุขอมูลสงู ขึน้ มากกวา เดมิ หลายเทา ทมี่ ีชื่อวา DVD (digital versatile disk)11.1 ความรูท่วั ไปเก่ยี วหนวยความจํา ระบบเก็บขอมูลในเคร่อื งคอมพวิ เตอรเ ขียนไดดังรูปท่ี11.1 จะเหน็ วา มีหนวยความจําอยหู ลายสวน โดยมี CPU (central processing unit) เปนหนวยประมวลผลกลาง ท่ีภายในตัวมันประกอบดว ยไมโครโปรเซสเซอร หนวยประมวลผลทางคณิตศาสตร และลอจกิ รวมทั้งวงจรควบคมุ ตางๆ ตัว CPU น้ีถอื ไดว าเปนศนู ยก ลางในการโอนยายขอมูลระหวางสวนตา งๆ จากรูปจะพบวาสว นท่ตี อ ออกมาจาก CPUจะเรียกวา บัส (bus) ซง้ึ หมายถึงกลุมของสัญญาณหลาย ๆ เสน รวมกนั โดยแบง ออกเปนแอดเดรสบัส(address bus) บัสขอ มลู (data bus) และบสั ควบคุม (control bus) การท่ี CPU จะติดตอกับ 289

หนวยความจํา CPU จะใชแ อดเดรสบัสในการอา งตาํ แหนง วาจะตดิ ตอกับหนว ยความจําในตาํ แหนง ใด ใชบสั ขอมลู ในการรบั สงขอมลู ระหวา ง CPU กับหนว ยความจําตําแหนง นนั้ ๆ และใชบ สั ควบคุมในการบอกวาหนว ยความจําทตี่ องการติดตอ นน้ั CPU จะอานขอ มูลออกมาหรือเขยี นขอมลู ลงไป รูปที่ 11.1 แสดงระบบคอมพิวเตอรอ ยา งงา ย ทเ่ี ชอ่ื มตอกบั หนว ยความจําและหนวยสาํ รองขอ มลู จากรูปที่ 11.1 จะพบวาหนว ยความจําประเภทสารกึ่งตวั นําที่อยูภายในคอมพิวเตอรประกอบดวยหนว ยความจาํ ประเภท RAM, ROM และ NVRAM โดยเชอื่ มตอกนั ดวยระบบบสั และมีลูกศรแสดงทศิทางการไหลของสัญญาณ จะเหน็ วาบสั ขอ มูลที่ตอ กบั RAM และ NVRAM จะใชลุกศรช้เี ขาออก แสดงวาหนว ยความจาํ ประเภทนี้สามารถอา นขอมูลออกมาไดแ ละเขียนขอ มลู เขาไปได สาํ หรับหนว ยความจําประเภท ROM จะอา นขอ มลู ออกมาไดอ ยา งเดียว สาํ หรับหนว ยความจําทใ่ี ชส ํารองขอ มลู จะมที ้ังแบบท่เี กบ็ ขอ มูลโดยใชสอื่ แมเ หลก็ แบบท่ีเก็บขอ มูลโดยใชว ธิ ีทางแสง และแบบทีเ่ ก็บขอ มูลดวยสารก่ึงตัวนาํ แผนดสิ ก (floppy disk) เปน อุปกรณเกบ็ ขอ มลู ประเภทหน่งึ ทใี่ ชก ันมานาน โดยมีโครงสรา งเปนแผน บางๆ ถกู เคลือบดว ยสารแมเหล็ก การอานขอมลู จะตอ งใชต วั ขับดสิ กที่ขนาด 3.5 น้ิว ทม่ี คี วามจุขอ มูลสงู ท่เี รยี กกันวา double-sided high-density(DSHD) การเก็บขอมลู ลอจกิ “1” ลงไปนัน้ จะเก็บในของสนามแมเ หลก็ ทีเ่ คลือบอยบู นแผนดิสกออกมาวา ทจ่ี ดุ น้นั ๆ เก็บขอ มูลเปน ลอจกิ ”0” หรอืลอจกิ ”1” สําหรบั ฮารดดิสก ( Hard Disk ) เปน อุปกรณเ ก็บขอมลู แบบสือ่ แมเ หลก็ ที่ประกอบดวยแผนจานแมเ หลก็ หลายๆ แผนทาํ ใหส ามารถเกบ็ ขอ มูลไดจ ํานวนมาก สาํ หรบั เทปแมเ หลก็ นั้น เปน อปุ กรณสามารถเกบ็ ขอ มูลไดจํานวนมาก โดยทวั่ ไปแลวมักจะใชในการสํารองขอมลู จากแผน ซีดี (compact disk)ซงึ่ เปน หนวยความจําลอง ขอ มูลท่ีสามารถเกบ็ ขอ มลู ไดจํานวนมาก มีทง้ั แบบ CD-ROM ,CD-DA (digital 290

audio) ,CD-R ( recordable ) , CD-RD (rewriteable) DVD – Video ,DVD-AUDIO ,DVD-ROM และDVD-RAM สําหรับในคอมพิวเตอรสว นบุคคลทั่วไปจะใชเ คร่อื ง เขียนแผน CD-writer ในปจ จบุ ันนี้ DVDแผนเดยี วทมี ขี นาด 4.75 นิว้ สามารถ เกบ็ ขอมูลไดถ งึ 4.7 GB นอกจากน้ีหนวยความจําสํารอง ทีใ่ ชเก็บขอ มูลในปจจุบัน จะมีประเภทที่สรางจากสารกึ่งตวั นาํ มีลักษณะเปน แทง เลก็ ๆ ท่ีสามารเก็บขอมูลไดจํานวนมากใหใชง านอกี ดว ย รูปท่ี 11.2 ประเภทของตัวอาน CD สําหรบั เซลลหนว ยความจํา ท่สี รา งมาจากสารกึง่ ตัวนําทนี่ ิยมใชกันมาก มี 6 ชนิดไดแ ก SRAMDRAM ROM EPROM และ Flash memory หนวยความจําในแตล ะหนวย แตล ะแบบ จะใชเทคโนโลยีแตกตางกัน • SRAM ( static random - access memory ) เปนหนวยความจาํ เปนที่สามารถอา น เขยี นขอมูลไดดว ย ความเร็วสูง แตค วามจตุ ่ํา ขอ มูลจะเก็บอยูในหนวยความจําประเภทนี้ ถา หากยงั มไี ฟจา ยใหก บั ตัวมนั อยู คุณสมบัตนิ ้ีเรยี กวา volatile memory • DRAM ( dynamic random-access memory ) เปนหนวยความจาํ ที่สามารถอา น เขยี นขอ มูลได ขอมูลจะถกู เกบ็ อยูภายใน ถาหากยงั มีไฟจา ยใหกบั ตัวมนั อยู หนว ยความจาํ ประเภทน้ถี ูกใชเปน RAM ในคอมพวิ เตอร PC เนอื่ งจากมขี นาดความจุตอ ชพิ สงู • ROM (read-only-memory) เปน หนวยความจําประเภท nonvolatile เน่ืองจาก ขอ มลู จะถูกเกบ็ อยใู นตวั มนั แมว าจะหยุดจายไฟเลีย้ งใหม ันแลว ขอ มูลก็จะไมห ายไป หนวยความจาํ ประเภทนเี้ ปน หนวยความจาํ ที่อานไดเพียงอยา งเดยี ว การเขยี นขอ มลู ลง ไป จะถกู เขยี นมาจากโรงงานท่ผี ลิตชพิ 291

• EPROM (electrical programmable read-only-memory) เปน หนวยความจํา ประเภทเดยี วกับ ROM แตสามารถโปรแกรมไดด วยเครื่องโปรแกรม และสามารถลบ ขอ มลู เพื่อโปรแกรมใหมได การลบจะใชก ารฉายแสง UV ลงไปบนตัวชิพ• EEPROM (electrical erasable programmable read-only-memory)• Flash Memory เปนหนวยความจาํ ประเภท nonvolatile ทมี่ ีความจุขอ มลู สงู สามารถโปรแกรม และลบไดด ว ยไฟฟา และยงั โปรแกรมแบบ บติ ตอ บติ ไดดว ย รปู ท่ี 13.3 ลกั ษณะหนวยความจาํ แบบสารกึ่งตวั นําโจทยท ดสอบ 1. ในระบบคอมพิวเตอรอุปกรณท ีภ่ ายในประกอบดว ยหนวยประมวนผลทางคณิตศาสตรและลอจกิหนวยควบคมุ และเปน ศูนยกลางในการโอนยา ยขอมลู มชี อ่ื เรียกวา ………………2. ในระบบคอมพวิ เตอรบสั ประเภทใดที่สงขอมลู ไดทศิ ทางเดียว……………..3. จงบอกช่อื เตม็ ของอุปกรณเ กบ็ ขอมูลตอ ไปนี้ก. RAM ง. EEPROMข. ROM จ. SRAMค. EPROM ฉ. DRAM4. จริงหรือไมท ่ี DVD สามารถเกบ็ ขอ มูลไดมากกวา CD-ROM5. เคร่ืองเขยี น CD จะใชกับแผน CD ประเภทใด………….( CD-ROM,CD-R หรอื CD-RW )11.2 หนวยความจาํ RAM อปุ กรณความจําท่ใี ชเทคโนโลยีแบบสารกง่ึ ตวั นําชนิดหนงึ่ ท่ีถกู ใชในงานดจิ ิตอลอิเล็กทรอนิกส 292

คือ หนวยความจําแบบ Random Access Memoryหรอื Ram ซ่ึงเปนหนว ยความจาํ ท่ีเราสามรถเขียนขอ มูลใหมได หลงั จากเสร็จสิน้ ขบวนการเขยี นขอ มลู ลงไปแลว หนว ยความจาํ RAM สามารถจดจําขอ มูลไดช ั่วคราวโดยขอมูลจะคงอยใู นตวั มัน ถาหากยงั มกี ารจา ยไฟเลี้ยงใหก ับตัวมนั เมือ่ หยุดจายไฟขอ มลู ที่เกบ็ อยูจ ะหายไป หนวยจําประเภทนี้ สามารถอานขอมูลในตวั มนั ออกมาได กลาวไดวาเราสามารถเขียนและอา นขอ มลู กบั RAM ได หรืออาจเรยี ก RAM วาเปน Read/Write Memory หรือ scratch padmemory กไ็ ด ตวั อยางหนวยความจาํ ประเภทสารกงึ่ ตวั นํา หรอื เซมิคอนดคั เตอร ท่สี ามารถเก็บขอมูลลอจกิ“0” หรอื ลอจิก “1” ไดจํานวน 64 ตําแหนงดังแสดงในรปู ท่ี 11.4 ชองส่ีเหลยี่ มทว่ี างทง้ั 64 ชอ งทางดา นขวา แสดงตาํ แหนง ทจี่ ะใชส าํ หรับเก็บขอ มลู สงั เกตวา บิตทงั้ 64 นน้ั สามารถแบง ได 16 กลมุ เรยี กวา16 เวิรด (word)ขอมูลแตละเวิรด มขี นาด 4 บิต เรียกหนว ยความจําน้วี า เปน แบบ 16x4 หมายถึงประกอบมขี อมูล 16 เวริ ด แตล ะเวิรดจะมี 4 บติ หนว ยความจําขนาด64บติ น้ี สามารถเขยี นอยใู นรูปของหนว ยความจาํ 32x2 ไดเชนกนั คือ มี 32 เวิรด แตล ะเวิรดมี 2 บติ หรือเปน 64x1 หรือ 8x8 ก็ได รูปท่ี 11.4 ตวั อยา งการเกบ็ ขอ มูลหนว ยความจําขนาด 64 บิตโจทยทดสอบ 6. คําวา RAM มาจากคาํ วาอะไร 7. การนาํ ขอมลู ไปเก็บยงั ตําแหนงที่เกบ็ ขอ มลู เรยี กวาเปน การ……………………………………………….ไปยงัหนวยความจาํ 293

8. การคัดลอกขอ มลู จากตําแหนงทเ่ี กบ็ ขอ มลู เรยี กวา …………………………………….…………..จากหนว ยความจาํ 9. จากรปู ท่ี 11.4 ตารางขอ มูล 64 บติ นเี้ รยี กวา เปนหนว ยความจําขนาด……………………………………………………….. 10. ขอ เสยี เปรยี บของ RAM คอื ………………………………………………….....ซง่ึ มกั จะมกี ารสูญหายของขอ มลู เมอ่ื power......……[on, off] 11. หนวยความจํา RAM ทใ่ี ชในคอมพิวเตอร pc ในปจจบุ นั SRAM และ………………………………………….. [DRAM,PXRAM] 294

11.3 หนวยความจาํ Static RAM หนว ยความจํา RAM ที่เปนแบบ TTL ตวั หน่ึงคอื 7489 read/write เปนหนว ยความจาํ ท่ีเก็บขอ มูลไดข นาด 64 บิต สญั ลกั ษณทางลอจิกรปู 11.5 (a) รูปแบบเก็บขอ มลู ในหนวยความจาํ คลา ยคลึงกบัตารางในรปู 11.4 หนว ยความจําน้ีมี 16 เวริ ด ในไอซี 7489 ประกอบดวย 4บติ กลา วคอื หนวยความจาํRAM ขนาด 16 x 4 บติ จากตารางความจริงของไอซี 7489 รูป 11.5 (c) ขาอนิ พตุ ME มีชอ่ื วา ขาอีนาเบิลหนว ยความจํา ใชสําหรบั เปดหรอื เลอื กให RAM มีการอานหรือเขยี นขอมลู ได บรรทดั บนสุดของตารางแสดงขา ME และME เปน Low ทง้ั คู ขอ มูลอนิ พตุ ทั่ง4 บติ D1-D4 ถูกเก็บไวตําแหนง หนวยความจํากําหนดดวยขาแอดเดรส A3-A0 เรยี กวาขณะนRี้ AM อยใู นโหมดเขยี นขอ มลู (write mode) ลองพิจารณาการเขยี นขอ มลู กับ 7489 สมมตุ ิวาเราตองการเขยี นคา 0110 ลงในตาํ แหนง word3 รูป 11.4 คาแอดเดรสของ wrod3 คือ A3= 0,A2=0,A1=1,A0=1 จะไดคา ตาํ แหนง เปน 0011 คานี้เรยี กวา อนิ พตุ แอดเดรสของ 7489 ขัน้ ตอนคือขอมลู (data input) โดยการปอ นคา01102 จะตอ งใหข าA เปน 0 ,B 1,C 1,D เปน0 แลว ปอนลอจิก 0 ใหขา WE ขัน้ ตอนสุดทา ยคอืปอน Low ให ME ขอมูลทถ่ี ูกอนิ พตุ เขาไปจะถกู เก็บเขา ในหนวยความจาํ ตาํ แหนง wrod3 ทนั ที รูปที่ 11.5 ไอซี 7489 64 บิต RAM(a) ลอจกิ ไดอะแกรม (b) ลักษณขา (c) ตารางความจรงิ สําหรบั การอา นขอมูลออกมาหรือ sense ขอมูลในหนวยความจาํ เชน ตองการอา นขอมูลท่ีอยูใน wrod 3 น้นั ข้นั ตอนแรกจะตองกําหนดคาอนิ พตุ แอดเดรสใหเปน 0011 ซงึ่ เปน คาตําแหนงแอเดรสของ wrod 3 จากนัน้ เซตคา WE และ WE ใหอยใู นโหมดอานขอ มลู ปอน High ให WE และLow ให ME ขอ มูลท่ีถูกอานจะเปน 1001 ซง่ึ เปนพลีเมนตข อง 0110 อนั เปน คาของขอมูลท่แี ทจ ริง 295

ดังนน้ั ถาหากตอ งการนาํ ขอมลู เก็บอยูใ น 7489 มาใชงานตอ งตออินเวอรเ ตอรทางเอาตพ ุตเพ่อื ใหไ ดค าของขอ มลู ที่ถกู ตอง สองบรรทัดสุดทายของตารางความจรงิ ในรูปท่ี 11.5 (ค) จะแสดงใหเหน็ วาถา เหน็ วา ถา ใหข า MEเปน High และ WE เปน LOW จะเปน การอานขอมลู ออกมาจาก 7489 และคาเอาตพ ุตท่ีออกมาจะเปนHigh ท้ังหมดถาใหขา ME และ WEเปน High ทง้ั คู หนว ยความจาํ RAM อีกเบอรห นึ่งท่ีมคี วามคลา ยคลงึ กับ RAM เบอร 7489 คือRAM เบอร74189 โดยRAM เบอร 74189 โดย RAM เบอรนี้ เปนแบบ 64 บติ มรี ูปรา งและลกั ษณะตางๆ คลายกบัเบอร 7489 ทกุ ประการ เวนแตเ อาตพ ตุ ทไ่ี ด จะเปนชนดิ ทม่ี ลี อจิกแบบสามสถานะแทนท่ีจะเปนแบบOpen-collector เอาตพตุ แบบสามสถานะจะมีคา ดังนคี้ ือ LOW ,High และสถานะความตา นทานสูง(High impedance) ในปจ จุบันมีโรงงานตางๆ ผลติ ไอซใี นตระกลู ของ 7489 ออกมาแตล ะโรงงานอาจเขยี นชื่อของขาไอซตี า งกัน แตการทํางานตางๆ จะเปน ในลกั ษณะรปู ท่ี 11.5 น้ี หนวยความจํา RAMเบอร 7489 เปน เพียงตัวอยา งหนง่ึ ของหนวยความจําเซมคิ อนดักเตอรท่ีอยูในรปู ของไอซี ปจจบุ ันผูผลิตหนวยความจําเซรมิ คิ อนดกั เตอรในรูปของไอซไี ดม ีการพฒั นาคณุ ภาพของไอซีใหด ีขน้ึ ดว ยใหข นาดเลก็ ลง มีคุณภาพในการทาํ งานดีขน้ึ นอกจากนี้ ยงั พัฒนาใหท ํางานไดเร็วข้ึนอกี ดว ยในขณะท่มี ีราคาถกู ลง รูปที่ 11.6 (a) ลอจิกไดอะแกรม MOS Static RAM ตระกลู ของไอซที ่ีเปน แบบเซรมิ ิคอนดกั เตอรย ังแบง ยอยไดอกี 2 ชนดิ คอื แบบ static และแบบdynamic แบบสเตติกแรมจะใชวิธเี ก็บขอมลู ไวในฟลิปฟลอป สาเหตุทเ่ี รียกวาแบบสเตติกเพราะวาแรมชนิดนี้สามารถเก็บขอ มูลลอจิก “0” และ “1” ไวไ ดต ลอดตราบใดทยี่ งั มไี ฟเลี้ยงอยู สว นแบบไดนามิกแรมจะเก็บคาลอจิกเอาไว ตราบใดทม่ี ีกระตนุ ในไดนามกิ แรม จะตอ งตอวงจรเพิ่มเขา มา แตในปจจบุ นัไดนามิกแรมท่ผี ลิตออกมารนุ ใหมๆ จะมีการสรางวงจรกระตุนในไดนามิกแรมจะตองตอ วงจรเพ่มิ เขา มาแตใ นปจจุบนั ไดนามิกแรมที่ผลิตออกมาใหมๆ จะมกี ารสรางวงจรกระตนุ ในไดนามิกแรมจะเกบ็ ขอมลู ไดมากกวา สาํ หรับในการศึกษาตอนน้จี ะกลา วถงึ สเตตกิ แรม 296

ไอซที เ่ี ปน หนว ยความจาํ ชนิด MOS เบอรหน่งึ ที่กลา วถึงตอ ไปน้ีคือ สเตติกแรมเบอร 2114 แรมเบอรนี้ สามารถเก็บขอ มูลไดจํานวน 4096 บิตหรอื ขนาด 1024 x 4 บิต (หมายความวามี 1024 เวริ ด แตละเวริ ดมขี นาด 4 บติ ) สาํ หรบั ลอจิกไดอะแกรมของแรมเบอร 2114 แสดงไดดังรปู ที่ 11.6(b) จากไดอะแกรม RAM เบอร 2114 ส่งิ ท่คี วรทราบอีกอยา งกค็ อื จะมกี ารใชบ ัฟเฟอรส ามสถานะในการเเยกขา I/O ออกจากระบบบัสขอ มลู ในคอมพวิ เตอร สังเกตวา สายสญั ญาณแสเดรสจะมบี ฟั เฟอรดวยเชน กัน รูปของRAM เบอร 2114 จะเปน ไอซแี บบ DIP ขนาดขา 18 ขาลกั ษณะท่ีสําคญั ของ RAM ก็คือการเขา ถึงขอมูลเปนเเบบ “access time” หมายถึง เวลาท่ใี ชในการเขาถงึ ขอ มลู ทีต่ ําแหนงตา งๆมคี าเทา กนั คา access time ของRAM แบบTTL เบอร 7489 มีคาประมาณ 33 ns และในกรณีของ RAMแบบ MOS เบอร 2114 จะมคี าระหวา ง 100 ถงึ 250 ns ข้ึนอยูก ับรนุ ของชพิ ท่ใี ช กลาวไดว า RAM แบบTTL มีความเรว็ มากกวา ชิพหนอ ยความจําเบอร 2114 เพราะมีคา access time ที่ส้ันกวา รูปท่ี 11.6 ((b) โครงสรา งภายใน M OS Static RAโจทยท ดสอบ 12. ไอซีเบอร 7489 เปนไอซแี บบ 64-bit 13. ไอซหี นวยความจาํ เบอร 7489 สามารถเกบ็ ขอมูลได word โดยเก็บ word ละ บติ 14. จากรปู ท่ี 11.5 ถาขาอินพุตแอสเดรส มีคาเปน 1111 จา write enable เปน 0 ขา memory enable เปน 0 ขา memory enable เปน 0 และขา data input เปน 0011 ไอซี 7489 จะอยู 297

ใน ………………… (read write) mode ขอ มูลในขา data input จะ ………………….(read from writeten into) หนว ยความจําในตําแหนง 15. ตวั …………………………(static dynamic) RAM จะตอ งมกี ารกระตุนขอ มลู หลายๆ ครง้ั ตอ นาที 16. หนวยความจาํ RAM เบอร 2114 จะเกบ็ ขอมูลได ................... บติ11.4 การใชหนว ยความจาํ RAM หนว ยความจาํ RAM นน้ั สามารถนํามาใชง านไดง ายมาก ในทนี่ ้ีจะลองศกึ ษาการโปรเเกรม RAMเบอร 7489 เปนตัวอยาง การโปรแกรมลงหนวยความจาํ กค็ อื การเขียนขอมูลหนวยความจําในเเตละเซลลในหัวขอนจ้ี ะตองทาํ ความเขา ใจเพ่มิ เตมิ ในเรอื่ งของ Gray Code เพราะ RAM เบอร7 489สามารถเก็บขอมุลในรูปเเบบของรหสั Gray Code ในตารางที่ 11.1 แสดงรหสั Gray ทมี่ คี าจาก 0 ถงึ 15 โดยเขียนเลขฐานสองกาํ กับไวด วยเลข 0เเละ 1 ทเ่ี ขียนแทนจํานวนตา งๆใน Gray Code คือขอ มูลจากเขยี นลงใน RAM ขนาด 64 บติ ซ้ึอไอซีเบอร 7489 เปน ไอซีทเ่ี หมาะสําหรบั ในการใชง านนี้เพราะสามารถเกบ็ ขอ มลู ได 16 เวริ ด เเตล ะเวิรด จะมีขนาด 4 บติ ซื้อเปน รปู เเบบสอดคลอ งกบั รหสั Gray Code จาก 0 ถงึ 15 ดังตวั อยา งในตารางท่ี 11.1 เลขฐานสบิ ในตารางเเทนความหมายของเวริ ด โดยที่เลขฐานสองทเ่ี ขยี นเอาไวจะเปน คา อนิ พุตเเอดเดรสของ RAM 7489 สาํ หรับ Gray Code จะใหเ ปน ขอมลู อินพุตของ RAM (รูปที่ 11.5 a) เม่ือใหข าMEเเละWE เเอกตฟี รหัส Gray Code จะถูกเขยี นใหก บั RAM 7489 เเละ RAM จะจดจําขอ มูลน้ไี วต ราบใดทย่ี ังมไี ฟเลีย้ งปอนอยู เมอ่ื โปรเเกรมเขา ไปใน RAM ดว ย Gray Code เเลวจะสามารถใชห นว ยความจํา RAM ตวั นเ้ี ปนตัวเเปลงรหสั ได (Code converter) รปู ที่ 11.7 (a) เเสดงใหเห็นระบบพน้ื ฐาน ใหสังเกตวาถามีอินพุตเปนเลขฐานสองเขา ไปทางขาของเเอสเดรส ตัวถอดรหัสจะใหร หัส Gray Code ออกมาซง้ื หมายความวา ระบบทํางานเปน ตัวเปล่ียนรหสั ของเลขฐานเปน Gray Code (binary-to-gray-code) 298

ตารางที่ 11.1 Gray Code พจิ ารณารปู ท่ี 11.74 (b) ถาหากเลขฐานสองมีคาเปน 0111 เขาไปทางขาเอสเเดรส 7489 โดยME เปน 0 เเละ WE อยใู นตําเเหนงอา นขอ มูล (ลจิก 1) ไอซี 7489 จะอานขอ มูลทีเ่ ก็บไวใ น word 7ออกมาตวั อินเวอรเ ตอรท้ังสต่ี วั จะทําการคอมพลีเมนตผ ลทไ่ี ดออกมา RAM ทาํ ใหขอ มูลออกมาเปนคา Gray Code ท่ีถูกตอ งโดยคา Gray Code ของเลขฐานสอง 0111 ท่เี อาตพุตออกมาคอื 0100 ในรูปที่ 11.7 (b) อาจทําการทดลองอนิ พตุ คาเลขฐานสองหลายๆคาจาก 0000 ถงึ 1111 ก็ได ตัวอยา งของตวั คอนเวอรเ ตอรท ี่แปลงเลขฐานสองเปน Gray Code เปน คอนเวอรเ ตอรท ท่ี ํางานไดด ี เเตเนอื่ งจาก RAM เปน หนว ยความจาํ ประเภท volatile กลาวคอื ถาไมมีไฟเล้ยี งขอ มูลทเ่ี กบ็ ไวจ ะหายทนั ทีเรียกวา หนว ยความจาํ ถกู ลบขอ มลู ซอื้ จะตองโปรเเกรมขอ มลู Gray Code ใหกบั RAM ใหมอ กีครงั้โจทยทดสอบ17. จากรูปที่ 11.7 สง่ิ ทโี่ ปรแกรมลงไปใน RAM คอื อยางของ…….-code converter18. จากรปู ที่ 11.7 ถาขาแอดเดรสอินพุตมีคาเทา กบั 1000แเละขาWE = 1 และ ME= เอาตพตุ ทีไ่ ดจะมี คา เปน….ซ่งึ เปน ….ทม่ี ตี รงกบั เลขฐานสอง………19. ในรปู ที่11.7ถาหยดุ จายไฟใหก ับไอซี 7489 จะเปนอยางไร 299

รูปท่ี 11.7 Binary Gray Code Converter (a) Diagram ของระบบ (b) Diagram ของ RAM11.5 หนวยความจาํ ROM อุปกรณด ิจิตอลหลายชนิดรวมทง้ั เครอื่ งไมโครคอมพวิ เตอร ตองการหนว ยความจาํ ท่ีสามารถเกบขอ มลู ไดอ ยา งถาวรแมไ มม ีไฟเล้ยี ง เรยี กสวนทเี่ กบ็ ขอ มูลนวี้ า Read Only Memory หรือหนว ยความจาํเเบบ ROM หนวยความจําประเภท ROM จะถูกโปรcกรมสาํ เรจ็ มาจากโรงงานผูผ ลิตตามความตองการเฉพาะของผูใ ช หนวยความจาํ ROM ขนาดเลก็ มักจะใชใ นการกระทําทางลอจกิ เชน ใชเปน ตวั ถอดรหัสหนวยความจําประเภท ROMเปน หนวยความจาํ ชนดิ nonvolatile เพราะวาขอมูลจะไมห ายเเมว า ไมมีไฟเลย้ี ง ROM หรอื Read Only Memory ถอื ไดวา เปน ROM แบบ mask-programmed ROM การใชงานหนวยความจําเเบบ ROM มักจะใชกับงานทม่ี ีการออกมาผลิตจาํ นวนมาก เน่ืองจากตน ทุนมีราคาเเพงสว น PROM หรือ Programmable Read Only Mamory เปนหนว ยความจําท่เี ก็บขอ มูลไดอยางถาวรเชน กัน เเตห นวยความจาํ ประเภทนี้ผูใ ชสามารถโปกเเกรมขอมูลเองไดไมต องโปรแกรมมาจากโรงงาน วงจรของ ROM แบบเกาโครงสรา งภายในจะประกอบดวยไดโอดดงั รปู ที่ 11.8 โดยไดโอดท่ีตอกันอยูจะเเทนคาขอมลู ในเเตละเเอดเดรส จากรูปท่ี 11.8 (a) ถาใหสวิตชเ เทนเเอดเดรสของ ROM เมื่อมี 300

การกดสวิตชห น่งึ จากจาํ นวนสวติ ชทงั่ หมดท่เี รยี กกันเปนวงกลม เขน เลือกกดทต่ี ําเเหนง 6 เอาตพ ตุ ของROM (คา D. C. B. A) จะเเสดงคา LHLH หรอื 0101 โดยเอาตพ ุต Bเเละ D จะถูกตอลงกราวดผ านตัวตานทาน เเละจะไดคา เปน Low สวนเอาตพตุ C และ A จะถกู ตอ เขา โคยตรงกับไฟเลย้ี ง + 5 โวลต ผานไดโอต 2 ตัว ดงั น้ันเอาตพุต ที่อา ยออกมาจะมีคาความตางศกั ยประมาณ +2 เเละ +3 โวลต ซ่งึ กค็ ือคาลอจิก High สังเกตวา เเบบของไดโอดท่ตี อเรียกกันอยูในรปู ท่ี 11.8 (a) จะสอดคลองกับรปู เเบบการเรียงตัวของลอจิก 1 ใน Gray Code ตามหมายเลขของสวติ ชท ถ่ี กู กด ในหนวยความจาํ ROM ในรูปท่ี 11.8เเตล ะตําเเหนง ของสวติ ช จะหมายถงึ คาเเอดเดรสของตาํ เเหนงน้ันๆ ถา ถาหากเขียนไดโอดที่ประกอบอยภู ายใน ROM ดงั กลา วใหละเอยี ดขึน้ จะไดด งั รปู ท่ี 11.8 สว น Rom ทีม่ คี วามจมุ าก ๆ เชน Rom ท่มี คี วามจขุ นาด 524,228 บิต เปนไอซปี ระเภท CMOSเบอร TMS47C512 จะเกบ็ ขอมลู ไดทัง้ หมด 65,536 เวริ ด แตละเวริ ด เก็บได 8 บติ หรอื เรยี กวาเปน Romขนาด 65,536 x 8 หรอื ขนาด 64 กโิ ลไบต เปน ตน Rom ขนาด 65,536 x 8 นมี้ ีคา เวลาการเขาถึงหนวยความจํา (access time) อยูระหวาง 200-350 ns ขึน้ อยูก บั รุนของ ROM ท่ผี ลิตออกมา สําหรับในกรณีของคอมพวิ เตอร PC ในอดดี กใ็ ช ROM ทีม่ ีความจขุ นาดน้ีเปน อยา งตาํ่ นอกจาก ROM ชนิดตา ง ๆ ที่ไดย กตัวอยา งมาแลว ยงั มี ROM อกี ชนดิ หนึง่ ทน่ี าสนใจ คือ ROMเบอร TMS 4764 ของ Texas Instruments โดยเปน ROM ขนาด 8192 เวิรด หรือ 8k แตละเวริ ด มีขนาด 8 บติ ซ่ึงใชกันมากในระบบไมโครโปรเซสเซอร เนอ่ื งจากสามารถเก็บขอ มูลไดท ลี่ ะ 8 บติ หรือ 1ไบต ไดอะแกรมขาตาง ๆ ของ TMS4764 แสดงดังรูปท่ี 11.9 (a) โดยเปน ROM ทมี่ ี 24 ขา ตวั ถงัเปนแบบ DIP แตละขามีช่ือและหนา ทีด่ ังตารางท่ี 11.9 (ข) สังเกตวาขาแอดเดรสทัง้ 13 เสน (A0-A12)ถูกใชเ พ่ือระบุตําแหนงของแอดเดรสท้งั 8129 คา (2 13= 8192) โดย A0 จะเปน LSB และ A12 จะเปนMSB ของคา แอดเดรสแตละเวริ ค สําหรับคาเวลาการเขา ถงึ หนวยความจาํ (access time) ของ ROMเบอร TMS4764 มีคา ต้ังแต 150 - 250 ns ขึ้นอยูกบั รนุ ของ ROM ขอ มลู ทถี่ กู เกบ็ เอาไวจะมเี อาทพุตออกมาทางขา Q1 - Q8 โดย Q1 เปน LSB และ Q8 เปน MSB ขาเอาทพ ุต (Q1 - Q8) จะถกู อีนาเบลิดวยสัญญาณท่เี ขา ไปทางขา 20 ซึ่งจะถูกโปรแกรมมาจากโรงงานวาจะใหเ ปน Active High หรือ ActiveLow สาํ หรับการใชงานถาเอาตพ ตุ ไมอยใู นสถานะ High - Impedance หมายความวา หนวยความจําROM กําลงั ตอ บัสขอมูลเขากบั ระบบคอมพิวเตอร 301

รูปท่ี 11.8 ไดโอด ROM (a) การโปรแกรม ROM ดว ยรหสั (b) การใชต ัวถอดรหัสเปน อนิ พตุ 302

รปู ท่ี 11.9 ไอซี ROM เบอร TMS4764 (ก) ลักษณะขา (ข) หนา ที่ของขาตาง ๆ จากท่ีไดท ราบมาแลว วา ROM เปนหนว ยความจําที่ใชเก็บขอมลู และโปรแกรมแบบถาวร แตน่ันเปน เพียงประโยชนส ว นหนง่ึ ของ ROM เทา น้นั เพราะจริง ๆ แลว เราสามารถใช ROM มาชวยในการแกปญ หาการสรา งวงจรลอจกิ เชิงจดั หมไู ดอีกดว ย การใชง านทว่ั ไปของROM ในไมโครคอมพวิ เตอรมเี พียงสว นนอ ย เพราะในหนว ยความจําภายในของเคร่อื งสว นมากมักจะใชหนวยความจํา RAM ในปจ จุบนั จะมีผูผ ลิตหนว ยความจาํ ROM ตาง ๆ ออกมาเปนจาํ นวนมากโจทยทดสอบ 20. คาํ วา ROM ยอ มาจากคาํ วาอะไร 21. Read Memory จะไมทาํ ใหขอมูลสูญหายแมจะไมม ไี ฟเล้ยี ง จึงเรยี กวาเปน หนว ยความจําแบบใด 22. เราใชคาํ วา ……….ในการอธบิ ายโปรแกรมไมโครคอมพิวเตอรทอ่ี ยูใน ROM อยางถาวร 23. Read Memory จะถกู โปรแกรมโดย……….(โรงงาน, ผูใชคอมพิวเตอร) ตามความตองการใชงาน 24. การใชงานหนว ยความจาํ ROM ควรจะมีแบทเตอรต่ี ออยเู พื่อแบก็ อพั ขอ มูลหรทอไม 303

25. จากรูปท่ี 11.8 (ก) ถาหากสวติ ซอินพุตมีคา เปน 3 (0011) รหสั Gray ที่ไดจ ะเปน คาใด 26. จากรปู ที่ 11.8 (ข) ถา ใชค า อินพุตเปน 1001 รหสั Gray ที่จะไดเ ปน คา ใด11.6 การใช ROM สมมุติวาเราจะออกแบบอุปกรณส กั ตวั หนง่ึ ทใ่ี หคาเอาทพ ตุ เปน การนบั แแบบเลขฐานสิบเรียงกันดังท่แี สดงไดในตารางที่ 11.2 คือประกอบไปดวยคา 1, 117, 22, 6, 114, 44, 140, 17, 0, 14, 162,146, 134, 64, 160, 177 แลววนกลับมาที่ 1 ตอ อีกคร้ัง ตัวเลขเหลานจี้ ะถูกอา นคาออกมาและแสดงคาออกมาทาง LED 7 Segment ตามลําดับ ตารางท่ี 11.2 แสดงลําดบั การนบั เมื่อทาํ การเปลย่ี นเลขฐานสิบเปน เลข BCD (ดูตารางท่ี 11.2) จะพบวา เราสามารถเขยี นขอ มูลและเขียนเปนเลข BCD ออกเปน 7 หลกั 16 แถวไดในลกั ษณะของตารางความจรงิ การแกป ญ หานี้อาจยุงยากถาหากใช logic gate และ data selector ในทนี่ เี้ ราให ROM เขา มามีบทบาทในการแกป ญ หาโดยพจิ ารณาสว นของหนว ยความจาํ ใหส ัมพันธก บั ตารางความจริง ดดยเริม่ จากการพจิ ารณาสว นของ BCD ในตารางที่ 11.2 โดยมองวา หนว ยความจาํ ขนาด 16 x 7 มีคาสัมพันธกับแถวและหลกั ของ BCD ในตารางความจริงซึง่ มีขนาด 16 x 7 เชน เดยี วกนั เปรยี บเทียบเหมอื นตัวเลข BCD แตละคาเทียบเทากับหนึ่งword ซึง่ บรรจขุ อมูล 0 หรือ 1 ทงั้ หมด 7 บติ ซง่ึ จะเปน ROM ขนาด 112 บติ (16 x 7) 304

รปู ท่ี 11.10 ระบบการนบั โดยใช ROM สมมุตวิ า คาแอดเดรสทเ่ี ขามาทางอินพตุ เปน 0000 ซ่งึ ตรงกบั บรรทดั แรกของตาราง ชอ มูลทีเ่ กบ็เอาไวคือ 0 000 001 (a ถึง g) ขอมูลท่ไี ดห มายความวา เปน เลข 1 (100s = 0, 10s = 0, 1s = 1) ถา หาคา แอดเดรสเปน 0001 ดังน้ันขอ มูลทีถ่ กู แสดงออกมากจ็ ะเปนขอมูลของบรรทัดท่ีสองคือ 1 001 111 (aถงึ g) เมอื่ มีการถอดรหัสขอ มลู work น้อี อกมาเปน ตัวเลขฐานสิบจะไดค าเปน 117 (100s = 1, 10s = 1,1s = 7) สิง่ ทต่ี องระลกึ ไวเ สมอกค็ อื ขอ มลู 0 หรอื 1 ทบ่ี ันทกึ อยใู น section ตรงกลางของตารางท่ี 11.3เปน สว นของขอ มูลทถี่ กู เก็บอยา งถาวรอยูใ น ROM เมื่อมกี ารปอ นคา แอดเดรสใดๆ ในตารางดานซาย จะทําใหมีเอาตพ ตุ ซ่ึงเปน ขอมลู ในเวิรด ใดๆ แสดงออกมาในหนว ยความจํา 305

ตารางท่ี 11.3 ปญหาลาํ ดับการนบั จากตัวอยา งนเ้ี ราไดท ดลองแกปญหาของการนับเลขฐานสบิ คาตางๆ ท่ีเรยี งกันตามคาํ สงั่ โจทยโ ดยมีไดอะแกรมของระบบแสดงไดใ นรปู ท่ี 11.10 ขอ มูลตางๆ ในตารางท่ี 11.3 แสดงคา แอดเดรสและโปรแกรม ROM ขนาด 112 บิต รว มท้งั BCD ท่ีถอดรหสั มาเปน เลขฐานสิบ ซง่ึ ขอ มลู เหลา นีเ้ ปน ขอมูลเฉพาะท่ีผผู ลิตจะนําไปใชในการผลิต ROM ตามความตอ งการในการใชง านชนิดตา งๆ อยา งไรก็ตาม ROM ท่โี รงงานผลิตออกมาตามความตอ งการของเรานัน้ จะมีราคาแพง ในการใชง านบางอยางอาจใช ROM แบบนเี้ พยี งไมก ่ีตวั ดังนน้ั การแกป ญหาที่ดีที่สดุ กค็ ือ ปรับเปลีย่ นวงจร logicขึน้ มาแทนใหเ หมาะกบั งานท่ใี ชโดยอาจรวมลอจกิ เกตบางตัวเขา ดว ยกนั ใหไดวงจรตามตองการ ขนาดของหนวยความจําประเภทเซมิคอนดักเตอรนั้น จาํ นวนขอมูลท่สี ามารถเกบ็ ไดมักอยใู นรปู 2nเฃน 64-, 256-, 1024-, 4096-, 8192- บติ เปน ตน ดงั นั้น หนวยความจาํ ขนาด 112 บติ (16 × 7) จงึเปน หนวยความจาํ ท่ีผดิ ขนาดจากความจรงิ เปนจริง แตท ่ใี ฃห นว ยความจาํ ขนาด 112 เพราะตารางความจริงของมันท่แี สดงอยใู นตาราง 11.3 เปน ตารางความจริงของไอซเี บอร 7447 ซ่ึงเรามกั ตอ งใช IC 7447 306

เปน ตัวถอดรหัส BCD แสดงออกทาง 7 segment ดังน้นั เราจึงถือวา IC เบอร 7447 เปนตวั อยา งของหนว ยความจาํ ROM ไดซ ึ่งเราเคยไดใ ชในการทดลองในหองปฎบิ ตั ิการมาแลว สรปุ เราสามารถนาํ ROM มาใชใ นไมโครโปรแกรม, เปน character generator, เปน functiongeneration และเปน firmware ในระบบไมโครคอมฟว เตอรโจทยท ดสอบ27. จากรูปที่ 11.10 ถา ปดไฟเลย้ี งแลวเปดใหมอีกครัง้ จะมีผลกบั วงจรนบั ทถ่ี กู โปรแกรมไวคือ………………… (สญู หาย, ยังคงอยู)28. จากตารางที่ 11.3 และรูปท่ี 11.10 ถา อินพตุ คาแอดเดรสใน ROM เปน 1111 จะทําใหคาทอี่ านออกมาไดเปน………………..29. จากตารงท่ี 11.3 และ 11.10 คาคาอนิ พตุ แอดเดรสของ ROM เปน 1001 จะทาํ ใหค าทีอ่ า นออกมาได เปน …………………30. การโปรแกรมขอ มูลลง ROM ทาํ ไดโ ดย…………………….. (โรงงานผผู ลติ , ผูใช)11.7 หนว ยความจํา ROM ทโ่ี ปรแกรมไดเอง (PROM) หนว ยความจําประเภท Mask-programmable ROM หรอื เรยี กสั้นๆวา ROM เปนหนว ยความจําที่ตอ งทาํ การโปรแกรมมาจากโรงงานผูผ ลติ โดยใช photographic mask ฉายไปยังแผน silicon ท่นี ํามาสรางไอซี ทาํ ใหราคาของ ROM คอนขางแพงเมื่อเทยี บกบั Field - programmable ROM หรอื PROMซึง่ มีราคาถูกกวา นอกจากนย้ี งั สะดวกตอการใชง านมากกวา กลาวคอื สามารถแกไ ขโปรแกรมท่ีลงในหนวยความจาํ ไดเ พราะสามารถทําการโปรแกรมลงไปใหมไ ดโ ดยใชเ ครอ่ื งโปรแกรม (burned) ซึ่งไมต อ งอาศัยโรงงานผูผลิตหรือสามารถทําไดในหอ ง LAB หรอื shop ทั่วไปได “PROM” มีช่อื เรยี กอีกอยางหนงึ่วา fusible - link PROM Erasable Programmable Read Only Memory หรอื EPROM เปน หนวยความจาํ ทแ่ี ตกตางจาก PROM คือ EPROM จะถกู โปรแกรมหรือลบโปรแกรมเกาไดโดยใช PROM burner กลา วคอื เมอ่ืตองการโปรแกรม EPROM ใหมจะตอ งลบขอ มูลเกา ออกกอน โดยการฉายแสงอลั ตราไวโอเลตหรือแสงUV ไปยังชิพทอี่ ยใู ตช อ งบนตวั IC (ดรู ูปท่ี 11.11) การฉายแสงนน้ั อาจใชเ วลาประมาณคร่ึงช่วั โมง หรอื อาจนอ ยกวา ขน้ึ อยูกบั ชนดิ ของ EPROM แสง UV น้ีจะทําการลบขอ มูลใน EPROM โดยจะเซตหนวยความจําทกุ หนว ยใหเปนลอจิก 1 ทาํ ให EPROM พรอมสําหรับการโปรแกรมใหมอีกครั้ง จากรปู ท่ี 11.11 เปนEPROM ทมี่ ตี วั ถังแบบ DIP 24 ขา จะเหน็ ไดวาชิพท่ีอยูใตช องตรงกลางตวั IC สามารถมองเห็นไดด วยตาเปลา บางคร้ังอาจเรียกหนว ยความจําประเภทน้วี า “UV erasable PROM” หรือ “UV EPROM” 307

รปู ท่ี 11.11 EPROM จะเหน็ ไดว า ดานบนจะมีชอ งสําหรับฉายแสง หนวยความจาํ ประเภทตอ มาคอื หนว ยความจําแบบ EEPROM ยอมาจากคําวา electricallyerasable PROM หรอื เรยี กวา E2PROM หนว ยความจําประเภทนีก้ ารลบขอ มูลสามารถทําไดโ ดยใชกระแสไฟฟา มขี อ ดีท่ีสามารถลบและทาํ การโปรแกรมใหมไ ดโ ดยไมตองเคลื่อนยายตัว EPROM ออกจากแผงวงจรและยังสามารถโปรแกรมรหสั ใน EEPROM ใหมไดท ่ลี ะไบตอ กี ดว ย หนว ยความจาํ ประเภท Flash EPROM เปน หนวยความจาํ PROM อีกชนิดหน่งึ ท่คี ลายกบัEEPROM หนวยความจาํ ตัวน้สี ามารถลบและทําการโปรแกรมใหมไดข ณะทไ่ี อซอี ยบู นแผงวงจร หากแตความนยิ มในการใชงาน Flash EPROM มมี ากกวา เพราะวาในชพิ เดย่ี วของ Flash EPROM จะมหี นวยเก็บความจําที่มากกวา นอกจากน้ันการลบและการทําโปรแกรมใหมใน Flash EPROM สามารถทําไดรวดเรว็ กวา ในกรณีของ EEPROM หลักพ้นื ฐานของ PROM แสดงไดด ังรูปท่ี 11.12 ซ่งึ เปน ไอซี PROM ทเ่ี ก็บขอมูลได 16 บติ (4 x4) โดยมหี ลกั การคลา ยคลงึ กบั การศกึ ษาเรอื่ งไดโอด ROM ในตอนที่แลว ในรปู ท่ี 11.12 (ก) แตละหนว ยความจําประกอบดวยไดโอดและฟวสท ต่ี อเขา ดวยกันอยา งครบวงจร แสดงใหเหน็ วา หนวยความจําทกุ หนวยเก็บคา ลอจกิ 1 สวน PROM ในรปู ท่ี 11.12 (ข) จะถกู โปรแกรมใหมีลอจิก “0” ท้งั หมด 7 แหง โดยในการโปรแกรมหรอื ลบโปรแกรมของ PROM ใหเปน ลอจิก “0” ทําไดโ ดยเอาฟว สอ อกจากวงจร ดังรปู ท่ี 11.12(ข) เมอ่ื เครอ่ื งโปรแกรมลงไปจะทาํ ใหฟ ว สไมตอเขากบั ไดโอด หมายถึงวาเปน ลอจกิ “0” และจะถกู เก็บไวเปน ขอมลู ในหนว ยความจาํ อยางถาวร เพราะโดยปกตขิ องการลบ (burning) ขอ มลู ใน PROM จะไมสามารถทําการโปรแกรมใหมไดอ ีก PROM ชนดิ ที่แสดงในรปู ที่ 11.12 สามารถทาํ การโปรแกรมไดครง้ัเดยี ว 308

รูปที่ 11.12 รปู แบบจําลองของ PROM(ก) กอ นโปรแกรมฟว สท ุกตัวจะตอ อยู (ข) หลงั โปรแกรมฟว สบ างตวั จะขาด 309

ตระกูลของไอซี EPROM ที่นิยมใชก นั คืออนกุ รม 27XXX ตารางที่ 11.4 เปนขอ สรปุ ขอมูลของบางในอนกุ รม 27XXX สังเกตวา แตล ะโมเดลมคี วามกวางของ Word เปน 8 บติ เหมอื นกนั หมด ซึ่งตรงกับจาํ นวนบิตในระบบไมโครโปรเซสเซอรพ น้ื ฐาน นอกจากน้ยี งั มไี อซีแบบอ่นื ๆท่ีเปน เบอรเดยี วกนั แตมีคณุ สมบตั ิตา งกันออกไป เชน Low - power CMOS,EPROM ท่มี ีคา access time ตา งๆกัน,EPROM,ROM และ pin-compatible ROM ตาราง 11.4 27XXX Series EPROMs ตวั อยางไอซอี นกุ รม 27XXX ตระกลู EPOM แสดงในรูปที่ 11.13 โดยรูปท่ี 11.13 (a) เปนไดอะแกรมขาตา งๆ ของ IC ultraviolet erasable PROM เบอร 2732A 32K (4K x 8) ซง่ึ EPOM เบอร2732 นีม้ ขี าแอดเดรสทั้งหมด 12 ขา (A0 ถงึ A11) สามารถแทนตาํ แหนงของไบทตางๆได 4096 (212)ตําแหนง คาไฟเลี้ยงปอ นใหจ ะใช 5 Volt และสามารถทาํ การลบขอ มูลออกไดโดยใชแ สงอลั ตราไวโอเลต ขาอนิ พุต CE จะคลายกบั ขา CS ในกรณีของหนว ยความจําชนิดอ่ืนๆอินพุต CE จะแอกทีฟ Lowสวนขา OE/Vpp จะใชงานอยูสองลกั ษณะ คอื การใชง านลักษณะที่มกี ารอานขอ มูลจาก EPROM เปนสว นใหญ ถาใหลอจิก Low ทข่ี าเอาตพตุ อนี าเบลิ (OE) ขณะที่มีการอานขอมูลจากหนวยความจําจะทําใหม ีการตอบสั ขอ มูลของระบบคอมพวิ เตอรเขา กับเอาตพตุ ของหนวยความจาํ ขาเอาตพ ตุ ท้ังแปดซงึ่ประกอบดว ย O0 ถึง O7 บน EPOM 2732 มบี ล็อกไดอะแกรมดงั รูปที่ 11.13 (ข) ซึ่งแสดงสวนตางๆ ในชิพ EPROM 2732 เมอ่ื ขอมลู บน EPROM 2732 ถกู ลบ เซลลทุกเซลลในหนวยความจําจะถูกเซตกลบั มาเปน ลอจกิ 1เม่อื มกี ารเขยี นขอ มูลเขามาลอจิก 1 นีจ้ ะถูกเคลียรใหเ ปน 0 กอ น เมอ่ื ปอ นคาอนิ พุตใหข า OE/Vpp มีแรงดัน 21 Volt จะทาํ ใหไ อซี 2732 อยูในโหมดการโปรแกรม (มกี ารเขียนขอมูลมายงั EPROM) ซึ่งในระหวา งการโปรแกรมนีข้ อมูลที่อินพุตเขา มาจะถกู สงเขาทางขาเอาตพ ุตขอมลู (O0 - O7) 310

การเขยี นขอ มลู เวิรดใดๆใหก ับ EPROM จะตองทาํ การระบุตําแหนงโดยใชส ายระบคุ าแอดเดรสท้ัง 12 เสน และจาํ ตองปอนพัลลที่มคี า เปน Low (นอ ยกวา 55 ms) ใหก ับอนิ พุต CE เมอื่ ตองการเขยี นโปรแกรม การลบขอมูลหรือการโปรแกรมขอมูลลงใน EPROM สามารถทําไดโดยใชอุปกรณพ ิเศษทีช่ ่อื วา“PROM burners” หลงั จากทาํ การลบหรอื โปรแกรมขอ มูลใน EPROM แลวจะตอ งปดสตก๊ิ เกอรท ับตรงชองบนตวั IC (ดรู ปู ท่ี 11.11) เพอ่ื ปอ งกันแสง UV จากหลอดไฟฟลูออเรสเซนตห รือแสงอาทิตยม าตกกระทบชิพภายใน เพราะมผี ลทําใหขอมูลใน EPROM ถกู ลบเม่อื โดนแสงอาทิตยโดยตรงประมาณ 1อาทิตย หรือถาเปน กรณขี องหลอดฟลูออเรสเซนตท มี่ ีความสวางระดับหอ งท่ัวไปมีระยะเวลาประมาณ 3 ปกอ็ าจทําใหขอมลู ลบได 311

รปู ที่ 11.13 หนว ยความจํา EPROM เบอร 2732โจทยทดสอบ31. คาํ วา PROM ยอมาจากคําวาอะไร32. คําวา EPROM ยอมาจากคําวาอะไร33. คําวา EEPROM ยอ มาจากคําวาอะไร34. การลบขอมูลใน EPROM สามารถทาํ ไดโดยการฉายแสง……………...ผา นไปยงั ชองบนตวั IC35. จากตารางที่ 11.4 EPROM 27512 สามารถเก็บขอ มลู ไดท ั้งหมด………...บติ หรอื ……………..word โดยแตละ word มี 8 บิต11.8 หนวยความจาํ ประเภท Nonvolatile จากทไ่ี ดท ราบมาแลว วา หนว ยความจาํ RAM ทั้งสองประเภทคือ Static และ dynamic มีขอเสียอยูประการหนงึ่ คอื ขอ มูลท่ถี กู เก็บไวใน RAM จะเกดิ การสูญหายไดเมอ่ื ไมม ไี ฟเล้ียง ดงั นนั้ เพ่ือท่ีจะแกป ญหาตรงจดุ นจี้ ะตอ งเพิม่ ลกั ษณะดังตอไปน้เี ขา ไป 1. ใชแบตเตอรี่ back up ขอมลู ใหก ับ CMOS SRAM 2. ใช nonvolatile static RAM (NVSRAM) 3. ใชอ ปุ กรณทม่ี กี ารพัฒนาลาสุด คือ flash EEPROM 312

การใชแบตเตอรีม่ า back up เปน วธิ ที ่วั ๆ ไปทใ่ี ชใ นการแกป ญหาขอมลู สูญหายของSRAM ดังนั้นจึงพฒั นาไห็ตัว CMOS RAM มแี บตเตอร่ตี อ back up อยูดวยเพื่อใหขอ มูลคงอยู ซงึ่ มันจะใชกําลงั ไฟเพยี งเล็กนอ ย แบตเตอรแ่ี บบลิเทยี มที่มอี ายกุ ารใชง านสูงเปนอกี ชนิดหน่งึ ทถ่ี กู ใชเพื่อ backup ขอมลู ใน CMOSSRAM โดยทัว่ ไปแลว แบตเตอรี่ทีน่ าํ มา back up เหลานีม้ คี า อายุการใชง านไดประมาณ 10 ป โดยอาจติดฝงอยูก บั ตัว package ของหนวยความจําเลยกไ็ ด ภายใตเง่ือนไขการทํางานปกติ SRAM จะไดรบัไฟเล้ยี งจากแหลง จายไฟของตัวอุปกรณ เม่อื คาโวลเตจลดลงมาถงึ ระดับท่ีตา่ํ ลง วงจรตรวจสอบคา โวลเตจจะทําไหส วติ ชข องแบตเตอร่ที ี่คอย back up เกิดการ on เพื่อรกั ษาระดับคาโวลเตจใหคงที่ ปอ งกนัขอมูลสูญหายไปจากSRAM โดยปกตแิ ลว ในระบบไมโครคอมพวิ เตอรจ ะมแี บตเตอรท่ี ่ีคอย backup SRAM อยูแลว วิวัฒนาการลา สุดของ RAM ไดม กี ารพัฒนา RAM ชนิด nonvolatile เพื่อใหส ามารถชว ยแกป ณหาขอมลู สญู หายใน RAM ได หนวยความจํา RAM ชนดิ nonvolatile มีหลายประเภทไดแ ก NVRAM(nonvolatile RAM), NOVRAM (nonvolatile RAM), NVSRAM (nonvolatile staticRAM) หรอื shadow RAM รปู ที่ 11.14 ไดอะแกรมและชอ่ื ขาของ NVSRAM NVRAM เปน RAM ทีร่ วมความสามารถในการอา น/เขยี นขอมูลของ SRAM กบั ความสามารถในการเก็บขอมลู ไวโ ดยไมสูญหายของ EEPROM ในรปู ท่ี 11.14 แสดงใหเ ห็นบลอ็ กไดอะแกรมของ 313

รายละเอียดใน NVSRAM มอี าเรยห นวยความจําสองแถวขนานกัน อาเรยด านหนาเปนของ SRAM สวนดานหลังเปน shadow EEPROM ในงานปกติการใช SRAM ในการอาน/เขียนขอ มลู เมอ่ื คา ไฟเลีย้ งเรม่ิ ลดลงจะมีการกอบปขอ มูลท้ังหมดถายโอนไปยงั อาเรยด า นหลงั ของ EEPROMโดยอตั โนมัติ ในรูปที่ 11.14 แสดงการนําขอ มลู ไปเก็บไวท ี่ EEPROM เมอื่ ไฟเลี้ยงมาอยูท่ีระดบั การใชงานเดิมแลวNVSRAM จะทาํ การกอ บปข อฝูลมาให SRAM โดยอัตโนมตั ิ สาํ หรับขนั้ ตอนการเรียกขอมูลกลับคืนมาใหSRAM นัน้ แสดงโดยใหลกู ศรชี้มายังทิศทางของอาเรยของ SRAM จะเห็นวาการใชง าน NVSRAM จะมีขอดีมากกวา ดารใชแบตเตอรม่ี าแบก็ อัพหนวยความจาํ SRAMไมว าจะเปนความเร็วทเ่ี หนอื กวา หรือการใชง านตลอดอายุการใชงานทย่ี าวนานกวา ไอซี NVSRAM มขี นาดเลก็ กวา package ของ SRAM ทใ่ี ชแบตเตอรแี่ บ็กอัพ ดงั น้นั จงึ กินเนอื้ ทีบ่ นบอรดใชง านนอยกวา อีกดวย แตปจ จุบัน NVSRAM ยงั มรี าคาแพงกวา SRAM มากและผลติ ออกมาเพียงไมก ่ีขนาดเทา น้ัน 314

รูปที่ 11.15 ไดอะแกรมและชอ่ื ขาของ 28F512 512K CMOS Flash Memory หนวยความจําแบบ FlashEPROM ดทู างเลือกใหการใชงานอกี ทางหนง่ึ นอกเหนือจากการใชแบตเตอรร่ีมาแบก็ อพั SRAM และ NVSRAM เพราะวา Flash EPROM มรี าคาถูกกวา และมี 315

หนว ยความจาํ ที่สามารถใชง านไดกวางขวางใน laptop computer หรอื นาํ มาใชง านแทนดสิ กไดรฟขนาดใหญที่กินไฟมากกลา ววา Flash memory เปน อุปกรณท ี่มีศักยภาพในการใชง านมากชนิดหน่งึ Flash memory ทผี่ ลิตมาในทางการคาโดยบรษิ ัท intel แสดงในรูป 11.15 ซ่ึงเปน Flashmemmory MOS -okf 512k (64 k x 8) เปน เบอร 28F512 สามารถเกบ็ ขอมูลได 524288(219) บิตโดยแยกออกเปน65536 word (216) แตล ะ word มี 8 บิต บลอ็ กไดอะอกรมและรายละเอยี ดของแตละขาของFlash memmory Flash memory เบอร 28f512 มกี ารทาํ งานคลายกับ ROM เม่อื ขา Vpp erase/programเปลีย่ นจาก Low เปน High (ประมาณ + 12v ) หนว ยความจาํ จะถกู ลบขอ มลู หรือถูกโปรแกรมอยางรวดเร็วขี้นกบั คาํ สั่งท่ีถูกสงไปยงั รจี สี เตอรควบคุม (command Register) ปกตเิ ราปอ นไฟ 5v ให Flash memory 28F512 แตถ าเปน กรณีท่ีตอ งการลบขอ มูลหรอืโปรแกรมขอมูลจะตองใชไฟขนาด + 12v ปอนเขาไปที่ขา Vppโจทยท ดสอบ36 คําวา NVRAM ยอ มาจากคําวา อะไร37 แบตเตอรท ่ี back up Sram เปนแบตเตอรแ่ี บบ ………………………………(คารบอน-สงั กะสี,ลเิ ทียม) ชึง่ มีอายุการใชงานนานและสามารถรกั ษาขอ มูลในหนอ วยความจําเม่อื มีไฟเลยี้ ง38 NVSRAM ประกอบดว ยอารเรย static RAM และ Shadow…………………………..(EEPROM, ROM) memory array39 ในระฟวา งการรอใหร ะดบั ไฟเลี้ยงมีแรงดันเพ่มิ ขึน้ ในการใชงาน NVSRAM การ…………………..(เรียกขอ มมูล. เกบ็ ขอมูล) จะเกดิ ขน้ึ โดยอตั โนมัติ โดย SRAM จะก็อปปข อมูลทง้ั หมดจาก EEPROM ไปยงั อาเรยของหนอยความจํา SRAM40 หนวยความจาํ ประเภท……………………………..มศี ักยภาพสูงและมีการใชงานไดกวางขวางใน laptopcomputer41 Flash Memory 28F512 สามารถทาํ การลบขอ มูลไดเมื่อมกี ารปอ นโวลเตจ + 12 v ใหกับขา………………………………..ของIC42 หนว ยความจะประเภท……………………………..(ROM. Flash memory) มีความจุสงู และสามารถเขยี นซ้ําได 316

11.19 Memory Packaging ลกั ษณะรูปรางของหนวยความจําประเภทสารกึง่ ตัวนาํ แสดงดังรูปท่ี 11.16 แบบแรกในรปู ท่ี11.16 (a) เรียกวา DIP (dual inline package) ไอซปี ระเภทน้ีจะมขี อสองแถวขนานกนั เปน แบบไอซีท่วั ๆ ไป สวนมาเปนไอซหี นวยความจาํ ทมี่ ีความจุตาํ่ รูปท่ี 11.16 ลกั ษณะของหนว ยความจํา หนวยความจาํ อกี ประเภทหน่งึ มีลกั ษณะเปน การดหนวยความจํา ท่มี ีความจุสงู สามารถอา นเขียนขอ มลู ซาํ้ ได เรียกวา PCMCIA (Personal Computer Card International Association)โจทยทดสอบ42 หนว ยความจําท่ีลักษณะดังรปู ที่ 11.16 (a) เรียกวาหนว ยความจําแบบใด43 หนว ยความจาํ ทมี่ คี วามจุสูง ทม่ี ีลักษณะดงั รูปที่ 11.16 (d) เรียกวา หนวยความจําแบบใด44 คาํ วา PCMCIA มีชือ่ เตม็ วา อะไร4546.อุปกรณเ กบ็ ขอมลู สาํ รองของคอมพวิ เตอรท่ีอยูภายนอกเครื่องคอมพวิ เตอรแ ละเปน อปุ กณกลไดแกอะไรบาง 317

47.ในรปู ท1่ี 1.17แผน กลมๆเรียกวา อะไร48. หน่งึ กิกะไบต (gigabyte) มีคากี่ไบต49. อุปกรณเกบ็ ขอ มูลในรปู ท่ี 11.17 จะมหี วั อา นเขยี นขอ มลู กห่ี ัว50. ในเคร่ืองคอมพิวเตอรย ุคใหมจะใชอ ปุ กรณเ ก็บขอมูลประเภทใดทเ่ี ก็บขอมูลไดงายและเคลอื่ นยายไดสะดวก51. คาํ วา DVD ยอ มาจากอะไร52. คาํ วา WORM ยอมาจากอะไรสรปุ1. หนว ยความจําแบบเซมิคอนดักเตอรแ บงออกไดห ลายชนดิ ไดแ ก RAM, ROM, PROM, EEPROM และNVRAM2. RAM เปนหนวยความจําแบบ read/write Random Access Memory3. ROM เปนหนว ยความจาํ ที่สามารถเก็บขอมูลไดถ าวร มลี ักษณะเฉพาะคือ read-Only (อา นไดอ ยา งเดยี ว)4. PROM มีการทาํ งานคลายกบั ROM แตส ามารถทําการเขียนขอ มูล (program)ลงไปได แบงแยกเปน EPROM, EEPROM ลแะ NVSRAM ตวั E ทอี่ ยูหนา PROM บอกใหทราบวาสามารถลลขอ มูลที่โปรแกรมลงไปไดโดยใชแสงอัลตราไวโอเลตฉายไปยงั ชองบนตวั IC ได5. กระบวนการเขียนขอมูล คอื การนําขอมลู บันทึกลงในหนวยความจํา สวนกระบวนการอา นขอมลู หรือ“Sense” เปน การเรยี กขอ มูลจากหนว ยความจาํ6. RAM เปน หนวยความจาํ ท่ีสามารถทําโปรแกรมใหมไ ดงาย แตข อมูล RAM สญู หายงาย (volatile)7. หนว ยความจํา 64 x 4 หมายถงึ สามารถเกบ็ ขอมลู ได 64 word มี 4 บิต รวมทงั้ หมดเปน 256 บิต8. NVRAM หรือ nonvolatile RAM โครงสรา งภายในประกอบดว ย RAM และ EEPAOM ใชร วมกับRAM ทีม่ ีแบตเตอร่ี back up ในไมโครคอมพวิ เตอร9. Flash Memory เปน EEPROM มรี าคาถูกสามารถลบขอมลู แลวโปรแกรมลงไปใหมไ ดโดยไมตอ งถอดออกมาจากคัวบอรด วงจร นอกจากน้ี flashMemory ทีอ่ ยใู นรปู ของ disk เรียกวา “Flash disk”10. หนว ยความจาํ แบบแกนแมเหล็กใชคุณสมบัติของความเปนแมเ หล็กของแกนแมเหลก็ ในการเก็บคาขอมลู 0 และ 111. อุปกรณเ กบ็ ขอ มลู ภายนอกคอมพิวเตอรม ีหลายชนิด เชน เทป แมเ หล็กดสิ ก drum การด และเทปแบบเจาะรูแทนขอมูล optical disk เปน ตน12. หนว ยความจาํ หลกั ในคอมพิวเตอรม ีท้ังแบบ RAM และ ROM อุปกรณท่นี ิยมใชคือ ฮอรดดกิ ส และฟลอบปดิกส13. คาํ วา DIP, SIP, ZIP, SIMM , DIMM และ RIMM เปนลกั ษณะของ packages ของหนว ยความจําสวนหนว ยความจาํ ทเ่ี ปนการด ไดแ ก PCMCIA ซง่ึ ยอ มาจากคําวา Personal Computer Memory CardInternational Association 318

14. ตัวแปรในการบอกประสทิ ธิภาพการทาํ งานของหนว ยความจําคอื access time คา access time ท่ีมีคานอย หมายความวา สามารถทาํ งานไดเรว็15. ในไมโครคอมพวิ เตอรคา 1 KB หมายความวา มี 1024 ไบต และแตล ะไบตม ี 8 บติคาํ ถามทายบท11.1 การเกบ็ ขอ มลู แบบดิจิตอลมีขอ ดกี วาการเก็บขอมูลแบบอนาลอกอยางไร11.2 CD-ROM เปนอุปกรณเกบ็ ขอ มูลทีใ่ ชส ่อื แบบใด11.3 ในระบบคอมพวิ เตอรน ้นั อปุ กรณืประเภทใดท่ีโครงสรางภายในประกอบดวยประมวลผลทางคณิตศาสตรแ ละลอจิก หนว ยควบคมุ แลวทาํ หนา ทีในการยา ยขอ มลู ตา งๆ11.4 หนวยความจาํ แบบสารกงึ่ ตัวนําที่เรียกวา RAM เปน หนวยความจาํ ประเภท ( read-only,read/write)11.5 หนวยความจําแบบสารกงึ ตวั นําทีเ่ รยี กวา ROMเปนหนวยความจําประเภทใด11.6 หนว ยความจําแบบ NVRAM เปนหนว ยความจาํ ประเภทใด ( read-only,read/write)11.7 ขาสัญญาณทีใ่ ชในการอา งตาํ แหนงหนวยความจาํ ในระบบคอมพวิ เตอร PC เรียกวาขาอะไร11.8 ทุกวันน้ใี นคอมพิวเตอร PCใชแผน ดิสกประเภทใด11.9 แผน CD-ROMทใ่ี ชกนั ในปจ จบุ นั มีความจุมากกวา…………..(30 Mpyte’ 650 Mbyte)11.10 เมอ่ื กดคยี  “store”ในเคร่ืองคํานวณ เปน การ…………(อา น,เขียน) ขอ มลู ในหนวยความจํา11.11 เม่ือกดคีย RECALLในเคร่ืองคาํ นวณการ………….(อาน,เขียน) ขอ มลู ในความจํา11.12 คําตอไปน้ีมาจากชอ่ื เดมิ วา อยางไร ก.RAM ง.EPROM ข.ROM จ.EEPROM ค. PROM ฉ.NVRAM11.13 หนวยความจําประเภท………………….(RAM, ROM)เปน หนว ยความจาํ ประเภท Volatile11.14 หนวยความจําประเภท………………….(RAM, ROM)สามารถอาน/เขียนขอมูลได11.15 หนวยความจาํ ประเภท………………….(RAM, ROM) เปนหนวยความจาํ ท่เี ปน ขอ มูลไดถาวร11.16 หนวยความจาํ ประเภท………………….(RAM, ROM)เปนหนว ยความจาํ แบบnonvolatile11.17 หนว ยความจําประเภท………………….(RAM, ROM)เปน อุปกรณที่ตองควบคมุ ขาอินพตุ ใหทาํ การRead หรอื write ขอ มูล11.18 หนวยความจําประเภท……………………(RAM, ROM) มีขาขอมูลอนิ พุต11.19 RAMเชน IC เบอร7 489สามารถเรียกอีกอยา งห่ึงวา อะไร11.20 หนว ยความจาํ ขนาด 32+8 สามารถจุขอมลู ได… ...เวิรด แตละเวิรดมี…...บติ11.21 จงบอกขอ ดขี องหนว ยความจําเซมคิ อนดกั เตอร มาอยา งนอย 3 ขอ11.22 หนวยความจาํ ประเภท………………….(RAM, ROM) สามารถทาํ การลบขอ มูลออกไดงา ย11.23 หนว ยความจาํ ประเภท………………….(flash memory, ROM) สามารถลบโปรแกรมขอ มูลใหมไ ด 319

11.24 หนวยความจําประเภท………………….(flash memory, NVSRAM) ประกอบดวยramและshadow EEPROM11.25 หนว ยความจาํ ประเภท………………….(flash memory, UVEPROA) สามารถลบขอมูลโดโยใชว ธิ ีทางไฟฟา ไดภ ายในเวลาอนั สน้ั11.26 หนว ยความจําประเภท………………….(flash memory, ROM)เปน หนว ยความจําอาน/เขยี นขอมลูได แบบ nonvolatile11.27 หนวยความจําประเภท………………….(EEPROM, UVEPROM) สามารถทําการลบโปรแกรมขอมูลลงไปใหมไ ดไบตต อ ไบตโดยไมต องแยกออกมาจากวงจร11.28 หนว ยความจาํ ประเภท………………….(EEPROM flash memory)ถกู ลบโปรแกรมขอมูลลงไปใหมโดยใชวธิ กี ารทางไฟฟา ซึ่งไมจ าํ เปน ตองแยกออกวงจร แตไมส ามารถทําการลบขอมูลและดปรแกรมในระดับบิตได11.29 หนวยความจําประเภท………………….(DRAM,SRAM มแี บตเตอรb่ี ack up) เปน หนวยความจําอา น/เขยี นขอ มลู ประเภท nonvolatile11.30 การลบขอ มูลออกจาก EPROM ทําได2วิธี คอื อะไรบา ง11.31 หนว ยความจาํ หรอื หนวยเกบ็ ขอ มูลสามารถนํามาใชป ระโยชนในวงจรไฟฟา แบบ……….(analog,digital)ได11.32 ไอซีเบอร2 114 เปน ………..(dynamic, static) RAM11.33 คา access time ของ RAM TTL7489………….(มากกวา นอยกวา)11.34 จากรปู ที่ 11.8 (b) ถาคาอนิ พุต DECODER ROM เปน 01410 เอาตพ ุตทีอ่ อกจาก ROM จะเปนคารหัสเกรยโคดเทากับ………….11.35 โปรแกรมคอมพิวเตอรอ ยูใน ROM อยางถาวร เรยี กวาอะไร11.36 จากตารางที่11.4 EPROM อนกุ รม 27xxx`สามารถนํามาใชกบั ROM สมารถนํามาใชกับ ROM16k ในไมโครคอมพิวเตอรไดหรอื ไม11.37 หนว ยความจาํ ประเภท………………….( flash memory, RAM)` เปน อปุ กรณ อา น/เขียน ขอ มูลแบบnonvolatile ท่ีมีราคาถูกและนาํ มาใชงานไดกวา งขวาง11.3 8 จากรปู ท่ี 11.415 สายสงคา แอดเดรสทั้ง 16 เสนซง่ึ อินพุตใหคา ไอซี flash memory 28F512สามารถ สง คา ตําแหนงขอมูลได ……...wordโดยแตล ะ.wordม8ี บิต11.39 จากรปู ท่ี 11.15 การลบหรอื โปรแกรมใหกับ IC flash memoryอินพตุ (CE,Vpp) จะตองเปนคาHigh คือมีคา (+5+12volt)11.40 แกนเหลก็ เปน memory cell ในหนว ยความจําแบบใด11.41 สายเขียนขอมลู ท่ีสอดผานแกนเหล็กใชป ระโยชนใ นการ…...และอา นขอมลู11.42 “sense wire” ท่สี อดผานแกนเหล็กท่ใี ชสาํ หรบั กระบวนการ (อา น,เขยี น)ขอมลู11.43 หนว ยความจาํ ประเภท...…(แกนเเมเหล็ก,Ram)เปน หนว ยความจําประเภท nonvolatil11.44 อปุ กรณเก็บขอ มูลภายนอกความพวิ เตอรมอี ะไรบา ง บอกมา 5 ชนดิ 320

11.45 จานแมเหล็ก (Magnetic disk) มีคา access time…… (นอยกวา,มากกวา ) คา access time ของเทปแมเหล็ก11.46 จากรปู 11.20 หนวยความจําประเภท…… (ฟลอบป,magneto optical)ดสิ ก มีคา ความจุขอมลูมาก11.47 จากรปู 11.20 ……(ฟลอบป,ฮารดดิสก) มีขอดีคือคา access time นอยกวา และมคี วามสามารถบรรจุไดม ากกวา11.48 จากรูป 11.20 อปุ กรณที่สามารถเกบ็ ขอมลู ไดมาก มีราคาถกู และมักถูกใช back up ขอ มูลคอื …… (เทปแมเ หลก็ ,การดตัดกระดาษแบบเเจะรู)11.49 จากรปู 11.20….… (Flash,Floppy) disk เปนอุปกรณทม่ี ีราคาแพง แตมปี ระสิทธิภาพในการทํางานสงู คือทํางานไดเรว็11.50 …….(flash ,hard) ดสิ ก เปน อปุ กรณทน่ี ิยมใชใ นคอมพิวเตอรป จจุบนั มากที่สดุ11.51 คา access time นอ ยๆหมายความวาอุปกรณน ั้นๆมีประสิทธภิ าพการทาํ งาน……(ชา ,เรว็ )11.52 ….…(ฟลอบปดิสก, Ram) มีคา access time นอ ย11.53 ไมโครคอมพวิ เตอรทีม่ หี นวยความจาํ 4 KB มคี าความจขุ อมูล 4096……. (บิต,ไบต) คําตอบโจทยทดสอบ1. CPUหรอื Central Processing Unit2. แอดเดรสบสั ,บสั ควบคุม3. ก. random-access memoryข. red- only memoryค. electrically programmable read-only memoryง. electrically erasable programmable read-only memoryจ. static RAMฉ. dynamic RAM4. จริง5. CD-R, CD-RW6. random-access memory7. writing8. reading 47. Platters9. 16x4 บิต 48. Onebit10. ตองมไี ฟเล้ียง, off 49. 811. DRAM 50. opicaldisc12. RAM 51. digital versatile disc13. 16,4 52. write-once read-many14. write ,written into ,15 321

15. dynamic16. 409617. binary-to-Gray18. 1100,Gray,100019. ขอ มูลหาย20. read-only memory21. nonvolatile22. firmware23. โรงงาน24. ไมค วร25. 001026. 110127. ยังอยู28. 17729. 1430. โรงงานผูผลติ31. programmable read-only memory32. erasable programmable read-only memory33. electrically erasable programmable read-only memory34. ultraviolet35. 524,288,65,53636. nonvolatile RAM37. ลเิ ทียม38. EEPROM39. เรยี กขอ มูล40. flash41. Vpp42. Flash memory43. DIP44. DIMM45. Personal Computer Memory Card International Association46. Magnetic ,optical ,semiconductor 322