หน่วยที่ 4 ไอซี

หนว่ ยท่ี 4 ไอซีเบื้องต้น Basic of IC

ไอซี : IC อนิ ติเกรท เซอร์กติ : Integrated Circuit เป็ นอปุ กรณ์สารกงึ่ ตวั นา ทพ่ี ฒั นาจากการผลติ สารกง่ึ ตวั โดยใช้เทคโนโลยที ท่ี นั สมยั ส่งผลให้อุปกรณ์มขี นาดเลก็ กะทดั รัด สามารถสร้างอปุ กรณ์หลายๆ ชนิด รวมกนั อยู่ในตวั เดยี วกนั ซ่ึงถูก สร้างอยู่บนฐานรองของสารกง่ึ ตวั นาชนิดเดยี วกนั (วธิ ีการผลติ ไอซี แบบโมโนลทิ คิ : Monolithic) ภายในไอซี ประกอบด้วยอปุ กรณ์สารกงึ่ ตวั นาทเี่ ป็ นท้งั ต ต้านทาน ตวั เกบ็ ประจุ ไดโอด ทรานซิสเตอร์ เฟต ฯลฯ

ข้อดขี องไอซี 1. มคี วามเช่ือมน่ั และมคี วามแน่นอนในการทางานสูง 2. มคี วามทนทานและใช้งานได้ยาวนาน 3. ทางานได้รวดเร็ว และมปี ระสิทธิภาพสูง 4. ไม่เกดิ ความร้อนสูง และใช้กาลงั ไฟฟ้าตา่ 5. การใช้งาน การต่อวงจร การออกแบบวงจร ทาได้ง่ายและรวดเร็ว 6. มขี นาดเลก็ กะทดั รัด นา้ หนักเบา 7. ราคาถูกกว่า เม่ือเทยี บกบั อปุ กรณ์สารกงึ่ ตวั นาทเี่ ป็ นตวั ๆ

การผลติ สารกง่ึ ตวั นาซิลกิ อน การผลติ ไอซี เร่ิมต้นจากการผลติ ผลกึ ซิลกิ อน โดยทาการ หลอมละลายธาตซุ ิลกิ อนในสุญญากาศหรือก๊าซเฉื่อย จากน้ันใช้หัว ดงึ ทหี่ มุนตลอดเวลาแล้วทาการเตมิ ธาตเุ จือปนลงไป เพื่อให้เกดิ สาร กงึ่ ตวั นาชนิดพหี รือชนิดเอน็ เมื่อปล่อยให้เยน็ ลง จะได้สารกง่ึ ตวั นา ชนิดพแี ละชนิดเอน็ ทเ่ี ป็ นแท่งซิลกิ อน แล้วนาไปตดั ออกเป็ นท่อนๆ เพ่ือเตรียมพร้อมในขบวนการผลติ ไอซีต่อไป นาแท่งสารกงึ่ ตวั นาชนดิ ซิลกิ อน ไปทาการตดั ออกเป็ นชิ้น บางๆ (เวเฟอร์ : Wafer) มคี วามหนา 0.001 นิว้ นาไปขดั ผวิ ให้ เรียบเป็ นมนั จากน้ันเข้าขบวนการเคลือบผวิ รอบด้านด้วยฉนวน ซิลกิ อนไดออกไซด์ (SiO2) ด้วยขบวนการออกซิเดชั่น

การผลติ อุปกรณ์สารกงึ่ ตวั นาแต่ละชนิด การผลติ อุปกรณ์สารกงึ่ ตวั นาแต่ละชนิดบนแผ่นเวเฟอร์ ทาได้ โดยใช้คุณสมบัตขิ องสารกง่ึ ตวั นาต่างชนิดกนั บนแผ่นเวเฟอร์ เป็ น ตวั กาหนดอุปกรณ์แต่ละตวั เช่น ตวั ต้านทาน ตวั เกบ็ ประจุ ไดโอด และทรานซิสเตอร์ การสร้างทาได้ โดยการเปลยี่ นสภาพของสารกงึ่ ตวั นาบนแผ่น เวเฟอร์กลบั ไปกลบั มา (เปลยี่ นจากสารกง่ึ ตวั นาชนดิ เอน็ ให้เป็ นสาร ชนิดพแี ละเปลยี่ นกลบั เป็ นสารชนิดพอี กี คร้ัง) จะทาให้สามารถสร้าง อปุ กรณ์สารกง่ึ ตวั นาชนิดต่างๆ ได้ อุปกรณ์ทถ่ี ูกสร้างบนเวเฟอร์ เดยี วกนั จะอยู่ใกล้ๆ กนั และถูกแยกออกจากกนั อย่างอสิ ระ นอกจาก จะมกี ารเชื่อมต่อสายจากผวิ ด้านบนของแผ่นเวเฟอร์ ไปยงั อปุ กรณ์ท่ี ต้องการ

ตวั ต้านทานบนไอซี การผลติ ทาได้โดยนาแผ่นเวเฟอร์ทเ่ี ป็ นสารชนดิ P มา สกดั ผวิ ทเ่ี ป็ นฉนวน SiO2 ออกทาการเตมิ ธาตุเจือปน เพื่อเปลยี่ น บางส่วนของเวเฟอร์ให้เป็ นสารกง่ึ ตวั นาชนดิ N และเตมิ ธาตุเจือปนอกี เพื่อเปลย่ี นสารชนิด N บางส่วนกลบั เป็ นสารชนิด P อกี สารชนิด P ตอนบนสุด นามาใช้ผลติ ตวั ต้านทาน โดย ต่อเช่ือมขาออกมาใช้งาน 2 ขา และข้ันด้วยสารชนิด N เพื่อทา หน้าทแี่ ยกตวั ต้านทานออกจากอุปกรณ์สารกง่ึ ตวั นาชนดิ อ่ืนๆ แล้วทา การเคลือบผวิ ด้านบนของเวเฟอร์ด้วยฉนวน SiO2 อกี คร้ัง ทาการสกดั ฉนวน SiO2 ออก เฉพาะส่วนทอ่ี ยู่ในบริเวณสาร ชนิด P ตอนบน เชื่อมรอยต่อของสารชนิด P ด้วยอะลมู เิ นียมทา หน้าทเี่ ป็ นขาตวั ต้านทานและใช้ในการเชื่อมต่อกบั ขาอุปกรณ์สารกงึ่ ตวั นาตวั อื่นๆ

ตวั เกบ็ ประจบุ นไอซี โครงสร้างของการสร้างตวั เกบ็ ประจุลงบนแผ่นเวเฟอร์คล้าย กบั ตวั ต้านทาน คือประกอบด้วยฐานรองทเี่ ป็ นสารชนิด P มชี ้ัน ตอนกลางเป็ นสารชนิด N และมชี ้ันบนสุดเป็ นสารชนิด P ในช้ันสารชนิด N ด้านขวาถูกสร้างให้กว้างและโด๊ปสารเจือ ปนมากกว่าปกติ เพ่ือให้เกดิ เป็ นสารชนิด N+ การต่อขานาไปใช้งาน ทาได้โดยการต่อทส่ี ารชนิด P ตอน บน 1 ขา และต่อทส่ี ารชนิด N+ อกี 1 ขา ค่าความจุของตวั เกบ็ ประจุ กาหนดได้โดยค่าแรงดนั ไบอสั กลบั ระหว่างรอยต่อ PN ของสารกง่ึ ตวั นาบนแผ่นเวเฟอร์หรือพืน้ ท่ี หน้าตดั ระหว่างรอยต่อ PN ของสารกง่ึ ตวั นาทท่ี าเป็ นตวั เกบ็ ประจุ

ทรานซิสเตอร์บนไอซี การสร้างทรานซิสเตอร์ลงบนเวเฟอร์ คล้ายกบั การสร้าง ทรานซิสเตอร์แบบแพร่กระจาย โดยทาการเปล่ยี นสารชนิด P ทเ่ี ป็ นฐานรองบางส่วนให้เป็ นสารชนิด N และเปลย่ี นสารชนิด N บางส่วนกลบั มาเป็ นสารชนิด P อกี คร้ัง เป็ นลาดบั ช้ัน ส่วนสารชนิด P ตอนบนสุด ทาการโดปให้เป็ นสารชนิด N+ บางส่วน เพื่อต่อออกเป็ นขาอมิ ติ เตอร์ และโด๊ปสารให้เป็ น สารชนิด P+ เพื่อลดค่าความต้านทานลงและต่อออกเป็ นขาเบส ส่วนสารชนิด N ตอนกลาง ทาการโด๊ปสารให้เป็ นสาร ชนิด N+ บางส่วน เพื่อใช้ต่อออกเป็ นขาคอลเลค็ เตอร์

ไดโอดบนไอซี การสร้างไดโอดลงบนแผ่นเวเฟอร์ ทาลกั ษณะเดยี วกบั การสร้างทรานซิสเตอร์ เพราะทรานซิสเตอร์มคี ุณสมบัตเิ หมือน กบั ไดโอด 2 ตวั โครงสร้างของทรานซิสเตอร์ สามารถสร้างไดโอดได้ 2 ลกั ษณะ คือ 1. ปล่อยขา C ลอยไว้ ใช้งานเฉพาะขา B กบั E C 2. ช็อทขา C กบั B เข้าด้วยกนั B E

ประเภทของไอซี ไอซี มีหลายประเภทตามแต่การใชง้ าน เช่น ไอซีทีทีแอล ไอซี ซีมอส ไอซีพีมอส ไอซีเพาเวอร์แอมป์ ไอซีเร็กกเู ลเตอร์ ไอซีไฮโวลท์ ไอซีออปแอมป์ ไอซีต้งั เวลาหรือไอซีทามมม์ ่ิง ไอซีไมโครโปรเซสเซอร์ ประเภทของไอซี แบ่งตามลกั ษณะของสญั ญาณในการทางาน สามารถแบ่งออกได้ 2 ประเภท คือ 1. ลิเนียร์ไอซี (Linear IC) หรืออะนาลอ็ กไอซี (Analog IC) 2. ดิจิตอลไอซี (Digital IC)

ลิเนียร์ไอซี (Linear IC) หรืออะนาลอ็ กไอซี (Analog IC) การทางานของลิเนียร์ไอซี จะทางานในลกั ษณะเชิงเสน้ หรือ สญั ญาณอะนาลอ็ ก ส่วนใหญ่วงจรจะถูกจดั ใหม้ ีการทางานท่ีต่อเน่ือง สามารถ ใหก้ าลงั แก่สญั ญาณได้ นิยมใชส้ าหรับวงจรขยายต่างๆ วงจรควบคุมที่ตอ้ งการกาลงั วงจรส่ือสารและวงจรท่ีใชใ้ นเครื่องรับวิทย-ุ โทรทศั น์

ดิจิตอลไอซี (Digital IC) ดิจิตอล คือการทางานในลกั ษณะคลา้ ยกบั สวทิ ซ์ ดงั น้นั จึงมี สถานะการทางาน 2 สถานะ คือสถานะนากระแส (ON) กบั สถานะ หยดุ นากระแส (OFF) ตรรกะหรือลอจิก (Logic) คือการทางานที่สอดคลอ้ งกบั เงื่อนไข - ถา้ เง่ือนไขเป็นจริงหรือเป็นไปตามเงื่อนไข วงจรสามารถ ทางาน แทนดว้ ยลอจิก 1 นนั่ หมายถึงสวิทซ์ ON ทาใหเ้ อา้ ทพ์ ทุ มีแรงดนั ไฟฟ้าเกิดข้ึน บางคร้ัง ลอจิก 1 แทนเป็นไฟสูง (H : High)

ไอซีเร็กกเู ลเตอร์ : Regulator IC และ ไอซีต้งั เวลา : Timing IC

ไอซเี ร็กกเู ลเตอร์ : Regulator IC คือไอซี ทีท่ ำหน้ำทรี่ ักษำระดับแรงดนั ทำงด้ำนเอ้ำท์พุทของ แหล่งจำ่ ยไฟใหค้ งที่ วงจรเร็กกเู ลเตอร์ สำมำรถแบ่งออกได้ 3 แบบ คอื 1. วงจรเรก็ กูเลเตอรแ์ บบอนกุ รม 2. วงจรเรก็ กูเลเตอร์แบบขนำน 3. วงจรเรก็ กเู ลเตอรแ์ บบสวิทชงิ่

ไอซเี ร็กกเู ลเตอร์ มีหลำยแบบ เชน่ ไอซเี ร็กกเู ลเตอรแ์ รงดนั ค่ำคงท่ี ไอซเี ร็กกเู ลเตอร์แรงดันเปลีย่ นคำ่ ได้ ไอซีเร็กกเู ลเตอร์ไฟบวกและไฟลบ วงจรเรก็ กเู ลเตอรแ์ บบอนกุ รม (Series Regulator) Iin Io Vin Rp Vo

แรงดันทำงอินพุท เปน็ แรงดนั ทยี่ ังไมผ่ ่ำนกำรเรก็ กเู ลท จำ่ ยไปยงั Rp โดย Rp จะปรบั ค่ำควำมต้ำนทำนโดยอตั โนมตั ิ ทำใหเ้ กดิ แรงดนั ตกคร่อมที่ Rp คำ่ หนง่ึ จะไดแ้ รงดันเอำ้ ท์พทุ เทำ่ กับแรงดนั อินพุทลบดว้ ยแรงดันตกคร่อมในตวั เรก็ กูเลเตอร์ ผลของกำรปรับคำ่ Rp จะทำให้ไดแ้ รงดันเอ้ำทพ์ ุทตำม ต้องกำร จำกหลักกำรของวงจรเร็กกูเลเตอร์แบบอนุกรม สำมำรถ ประยุกต์ทำเป็นไอซีเรก็ กูเลเตอรแ์ บบค่ำคงทเี่ บอรต์ ่ำงๆ

วงจรพ้นื ฐำนของวงจรเร็กกเู ลเตอรแ์ บบอนุกรม ประกอบดว้ ยวงจร 3 ภำค คือ 1. วงจรแรงดนั อำ้ งองิ (Voltage Referent) เป็นแรงดันอสิ ระที่ ไม่มีผลตอ่ อณุ หภมู แิ ละแรงดันทีจ่ ำ่ ยให้กบั วงจรเร็กกูเลเตอร์ 2. วงจรขยำยควำมผดิ พลำด (Error Amplifier) ทำหนำ้ ที่เปรยี บ เทียบแรงดนั ระหวำ่ งแรงดันอ้ำงองิ และสดั สว่ นของแรงดันเอ้ำทพ์ ทุ ท่ปี ้อนกลับมำทขี่ ำอนิ เวอร์ติ้งของออปแอมป์ 3. ซรี ส่ี ์พำสทรำนซสิ เตอร์ (Series Pass Transister) ทำหน้ำท จ่ำยกระแสเอ้ำท์พทุ ให้เพยี งพอกับควำมต้องกำรของโหลด

ผงั วงจรพืน้ ฐานของวงจรเร็กกูเลเตอร์แบบอนุกรม +V +V +V ซรี สี่ ์พำส ทรำนซิสเตอร์ แรงดัน วงจร Io อ้ำงองิ ขยำยควำมผดิ พลำด R1 Vref R2 Vo

กำรทำงำน เมื่อปอ้ นแรงดันอินพุทใหก้ บั ไอซเี รก็ กูเลเตอร์ แรงดันเอำ้ ท์พทุ จะถกู ปอ้ นกลบั มำยงั อินพุทของออปแอมป์ (วงจรขยำยควำมผดิ พลำด) โดย R1 และ R2 ทำหนำ้ ที่เปน็ วงจรแบ่งแรงดนั ซ่งึ แรงดนั ตกครอ่ ม R2 จะเปน็ สดั ส่วนกบั แรงดันเอ้ำทพ์ ุท วงจรขยำยควำมผดิ พลำด จะทำหน้ำที่รกั ษำสัดสว่ นของ แรงดนั อำ้ งองิ กับแรงดนั ทตี่ กคร่อม R2 ให้เท่ำกัน

ถ้ำแรงดัน VR2 มำกกว่ำ Vref วงจรขยำยควำมผิดพลำด จะลดระดบั กำรขยำยสัญญำณเอ้ำทพ์ ุท ทำใหท้ รำนซิสเตอร์จ่ำย กระแสน้อยลง เป็นผลใหแ้ รงดนั เอำ้ ท์พทุ ทจ่ี ่ำยใหโ้ หลดลดลง ถำ้ แรงดนั VR2 น้อยกว่ำ Vref วงจรขยำยควำมผดิ พลำด จะเพิม่ ระดับกำรขยำยสัญญำณเอ้ำทพ์ ุท ทำใหท้ รำนซิสเตอรจ์ ำ่ ย กระแสมำกขึ้น เปน็ ผลให้แรงดันเอ้ำท์พุททีจ่ ำ่ ยใหโ้ หลดเพ่ิมข้นึ

วงจรเร็กกูเลเตอร์แบบขนำน (Shunt Regulator) Iin Io Vin Rs Ip Rp Vo แรงดนั Vin เป็นแรงดนั ทจ่ี ่ำยให้กบั วงจร มี Rs ทำหนำ้ ท่ี จำกัดปรมิ ำณกระแสทไ่ี หลในวงจร โดย Rp เป็นตัวตำ้ นทำน ปรบั คำ่ ได้ จะทำกำรปรบั ค่ำควำมตำ้ นทำนอตั โนมตั ิ เพอ่ื ใหเ้ กิด แรงดนั ท่เี อำ้ ท์พทุ คงทตี่ ลอดเวลำ กำรต่อวงจรเร็กกูเลเตอร์แบบขนำนน้ี จะใชต้ ัวตำ้ นทำนตอ่ กบั ซีเนอร์ไดโอด (Rp คอื ซเี นอรไ์ ดโอด)

ไอซีเร็กกูเลเตอร์ สำมขำชนดิ แรงดันคงท่ี ไอซเี รก็ กูเลเตอร์ชนดิ ค่ำแรงดนั คงที่ มีเบอร์ใหเ้ ลอื กคำ่ แรงดนั หลำยเบอร์ เช่น 7805 7812 7810 (78xx) 7905 7915 (79xx) ภำยในไอซปี ระกอบด้วยวงจรเร็กกเู ลเตอรแ์ บบอนุกรม ขำใช้ งำน 3 ขำ ประกอบด้วยขำอนิ พทุ (IN) ขำเอำ้ ทพ์ ทุ (OUT) และ ขำกรำวด์ (GND) IN IC OUT Cin Regulator Cout GND

จุดเดน่ คอื สำมำรถตอ่ วงจรได้ง่ำย ไมต่ ้องใช้อุปกรณม์ ำก อำจต่อ ตัวเก็บประจุทำงด้ำนอนิ พุท เพอื่ ปอ้ งกันกำรออสซิเลททคี่ วำมถ่สี งู ซงึ่ จะให้วงจรมีเสถยี รภำพ และตอ่ ตัวเกบ็ ประจทุ ำงดำ้ นเอ้ำทพ์ ทุ เพือ่ ปรับปรงุ แรงดันใหเ้ รยี บ 7806 7906 IN OUT INOUTGND GND แรงดนั ทำงเอำ้ ท์พุทเป็นศกั ย์ลบ แรงดนั ทำงเอ้ำท์พทุ เปน็ ศกั ยบ์ วก

ไอซีต้ังเวลา : Timing IC เป็นไอซี ท่ีทำหน้ำท่กี ำเนิดสัญญำณตำมเวลำทีอ่ อกแบบ โดยสำมำรถกำหนดจำกอปุ กรณภ์ ำยนอก วงจรตัง้ เวลำ ทมี่ คี วำมเที่ยงตรงคอ่ นขำ้ งสงู จะใช้วงจรโมโน สเตเบลิ้ ส่วนมำกเป็นไอซตี ระกูล 74 แต่ควบคมุ กำรจุดชนวน (Trigger) ไดย้ ำก และมีเงือ่ นไขมำก ไอซีทน่ี ยิ มนำมำสรำ้ งเปน็ วงจรตัง้ เวลำได้ดีทีส่ ดุ คอื ไอซี เบอร์ 555 เพรำะมคี ณุ สมบตั ใิ นกำรหนว่ งเวลำได้ดีและนำนพอสมควร ไอซตี งั้ เวลำ เบอร์ 555 สำมำรถกำเนดิ สญั ญำณอะสเตเบิ้ล (Astable) โมโนสเตเบิ้ล (MonoStable) และสำมำรถประยกุ ต์ใช้ งำนเก่ียวกับกำรตั้งเวลำไดด้ ี

โครงสร้ำงของไอซีเบอร์ 555 (8) +Vcc Comtr(o5)l Voltage (2) (6) Comparator 2/3V R Comparator Trigger Threshold R 1/3V R (4) Set-Reset (7) Reset Flip-Flop Discharge (1) Ground Buffer (3) Output

ขำใชง้ ำนของไอซี เบอร์ 555 (7) (4) (8) (3) (2) 555 (5) (6) (1) ขำ 1 กรำวด์ (Ground) ขำไฟเลยี้ งทมี่ ศี กั ยเ์ ป็นลบ ขำ 2 ทริกเกอร์ (Trigger) เปน็ ขำท่ีมคี วำมไวหรือตรวจสอบ แรงดนั ที่มคี ำ่ 1/3 ของแหล่งจ่ำย +Vcc และจะเกิดกำรจุดชนวน ของอนิ พทุ (Input) ทำใหเ้ อำ้ ท์พทุ (Output) เปล่ยี นจำกระดบั แรงดนั ต่ำเปน็ สงู

ขำ 3 เอ้ำท์พุท (Output) แรงดนั เอำ้ ท์พุทท่มี รี ะดบั สงู จะมีคำ่ แรงดันต่ำกว่ำ +Vcc ประมำณ 1.7 V สำหรบั เอำ้ ท์พุทระดับตำ่ (ขน้ึ กับแหล่งจำ่ ย ถ้ำแหลง่ จ่ำย 5 V แรงดนั ระดับตำ่ จะมคี ่ำ ประมำณ 0.25 V ถำ้ แหลง่ จำ่ ย 15 V แรงดนั ระดับต่ำจะมีค่ำ ประมำณ 2 V ขำ 4 รีเซต (Reset) เม่ือตอ้ งกำรให้เอำ้ ทพ์ ทุ อย่ใู นระดบั ต่ำ ต้องป้อนไฟประมำณ 0.7 V แตถ่ ้ำไมต่ อ้ งกำรใช้งำนขำน้ี จะ ตอ้ งตอ่ เข้ำกบั +Vcc ขำ 5 กระแสซิงก์ (Sink Current) กรณไี มใ่ ช้งำน จะต้องตอ่ กบั ตัวเก็บประจคุ ่ำ 0.01 uF ลงกรำวด์ เพอ่ื ไมใ่ ห้ถกู รบกวนจำก สัญญำณรบกวนขณะทำงำน

ขำ 6 เทรสโฮล (Threshold) ถ้ำขำน้มี แี รงดันไฟฟ้ำถึง 2/3 ของ +Vcc จะเปน็ ระดับทีม่ ีควำมไวตอ่ กำรเปล่ียนแปลง จะทำ ให้สภำวะเอ้ำท์พทุ เปลยี่ นแปลงจำกระดับสงู เปน็ ระดบั ตำ่ ขำ 7 ดิสชำร์จ (Discharge) ทำหน้ำที่กำหนดเวลำของระดบั เอำ้ ท์พทุ ถำ้ เอำ้ ท์พุทอยู่ในระดบั ตำ่ ทรำนซิสเตอรภ์ ำยในไอซีทต่ี ่อ กบั ขำ 7 จะมีควำมต้ำนทำนตำ่ จะสง่ ผลใหต้ วั เกบ็ ประจสุ ำมำรถ คำยประจุ ผ่ำนทรำนซิสเตอร์ได้ ขำ 8 ไฟเล้ียง (+Vcc) ต้องกำรไฟตรงท่ีมีศกั ยเ์ ปน็ บวก มีคำ่ อยู่ ระหวำ่ ง 5 - 15 V

ออปโต้คปั เปลอร์ : Opto Coupler หรือ อปุ กรณ์เช่อื มตอ่ ทำงแสง เปน็ อปุ กรณอ์ เิ ล็กทรอนกิ ส์ ท่ีใชก้ ำรเช่อื มต่อกัน ทำงแสงโดยใช้หลกั กำรเปลี่ยนสญั ญำณไฟฟ้ำเปน็ แสงและ เปลย่ี นกลับจำกแสงเป็นสญั ญำณไฟฟ้ำตำมเดมิ ใช้สำหรบั กำรเชื่อมต่อสญั ญำณระหวำ่ ง 2 วงจร ท่แี ยกกนั ทำงไฟฟำ้ เพ่ือป้องกนั กำรรบกวน

ส่วนอนิ พุท สว่ นเอ้ำท์พทุ โครงสร้ำงของออปโต้คัปเปลอร์ ประกอบด้วยอุปกรณ์สำรกง่ึ ตัวนำ 2 ส่วน คอื สว่ นอนิ พทุ กบั ส่วนเอำ้ ท์พทุ ที่แยกออกจำกกนั ซง่ึ อยูภ่ ำยในตัวถังไอซี เดยี วกัน มีขำใช้งำน 6 ขำ สว่ นอินพุท จะเป็นแอลอดี ีอนิ ฟำเรด สว่ นเอ้ำทพ์ ุท จะเปน็ อุปกรณโ์ ฟโตต้ ำ่ งๆ

สญั ลกั ษณข์ องออปโต้คัปเปลอร์ ออปโต้ทรำนซิสเตอร์ ออปโตไ้ ดโอด ออปโตไ้ ทรแอค ออปโตไ้ ดแอค

กำรวัดและทดสอบออปโตท้ รำนซิสเตอร์ +R + ด้ำนอินพทุ ใชม้ เิ ตอร์ ตง้ั ยำ่ น Rx10k ทำกำรวดั 2 ครง้ั ผลกำรวดั เขม็ จะข้ึน (ค.ต.ท. ต่ำ) 1 คร้ัง และเข็มจะไม่ข้นึ (ค.ต.ท. สูง) 1 คร้งั ถำ้ ขน้ึ 2 คร้งั แสดงวำ่ ช็อท (Short)

ด้ำนเอำ้ ทพ์ ทุ ต้องจำ่ ยไบอสั ตรงทำงดำ้ นอนิ พุท โดยผำ่ นตัวตำ้ นทำน และใชม้ ิเตอร์ ต้ังยำ่ น Rx10k โดยสำยดำ (ไฟบวก) จบั ทข่ี ำ คอลเล็คเตอร์ ส่วนสำยแดง (ไฟลบ) จบั ที่ขำอมิ ติ เตอร์ * ผลกำรวัดคือเขม็ มิเตอรจ์ ะข้ึน (ค.ต.ท. ต่ำ) ถ้ำเขม็ ไม่ขึน้ (ค.ต.ท. สูง) แสดงว่ำเสีย * เม่อื ปลดไบอัสทำงดำ้ นอินพทุ เขม็ จะลงกลับที่เดิม (ค.ต.ท. เปน็ อินฟินติ ี้)