ເຄມີອົງຄະທາດ ຂັ້ນສູງ

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ ກດີ ຂ້ຶນໃນຊວງໄລຍະເວລາສ້ນັ ໆ ໃນຂ້ັນຕາງໆຂອງ ຕະພນັ . ອນິ ເຕີມີດຽດ ມທີ ັງໂຄງສາງທີມ່ ີໄຟຟາບນັ ຈ ຕິກິລິຍາ ເຊນັ :

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.1. ກນົ ໄກ (ຂນັ້ ຕອນ) ຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ ຄາບານອີ ງົ (carbanions) ຮາກເສລີ (free radicals)

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.1. ກນົ ໄກ (ຂນັ້ ຕອນ) ຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ ຄາບນີ (carbenes)

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.2. ທດິ ສະດຂີ ອງອດັ ຕາການເກດີ ປະຕກິ ລິ ປະຕກິ ລິ ຍິ າອນັ ດບັ ໜງ່ຶ (First order ຫືຼ 1th ord ແມນປະຕິກິລິຍາ ເຊງິ່ ອັດຕາການເກີດປະຕກິ ລິ ິຍາເ ຕົ້ນພຽງຊະນິດດຽວ ປະຕກິ ລິ ຍິ າອນັ ດບັ ສອງ (Second order ຫຼື 2th

ຕກິ ລິ ຍິ າເຄມີ ລຍິ າ der reaction) ເປນອັດຕາສວນກົງກບັ ຄວາມເຂມ້ັ ຂນຂອງທາດຕ້ງັ h order reaction)

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.4. ປະເພດຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າອົງຄະທາດ ປະຕກິ ລິ ິຍາແທນທ່ີ (Substitution reactions ປະຕກິ ິລາແທນທ່ີດວຍນີວຄຣໂີ ອໄຟລ (Nucleoph ປະຕກິ ິລາແທນທ່ີດວຍອີເລັກໂຕຣໄຟລ (Electro

ຕກິ ລິ ຍິ າເຄມີ s) hilic substitution reaction) ophilic substitution reaction)

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.4. ປະເພດຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າອງົ ຄະທາດ ປະຕກິ ລິ ິຍາສມົ ຮວມ (Addition reaction)

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.4. ປະເພດຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າອົງຄະທາດ ປະຕກິ ລິ ິຍາການຈດັ ຕວົ ໃໝ (Rearrangement ປະຕກິ ລິ ິຍາການເກດີ ໂປລແີ ມ (Polymerization

ຕກິ ລິ ຍິ າເຄມີ t) n)

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.5. ທາດປະຕພິ ນັ ນວີ ຄຣໂີ ອໄຟລ ແລະ ອ Electrophilic reagent) Nucleophile = nucleous loving ແປວາມັກນີວ Electrophile = electron loving ແປວາມກັ ເອເລ

ຕກິ ລິ ຍິ າເຄມີ ອເີ ລກັ ໂຕຣໄຟລ (Nucleophilic and ວເຄຣຍ ລກັ ຕຣົງ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.6. ປະຕກິ ລິ ຍິ າການແທນບອນ ນວິ ຄລໂີ

ຕກິ ລິ ຍິ າເຄມີ ໂອຟລກິ ຊະນດິ ມຂີ ວ້ົ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.7. ກນົ ໄກ ແລະ ຜນົ ຂອງສະເຕຣກິ ໃນປ ຈາກການທົດລອງນີ້ ພົບວາເມຕລີ ໂບຣມົວເກດີ ປະຕ ເອຕີລໂບຣມົວເກດີ ປະຕກິ ລິ ຍິ າໄດສາເລັດສົມບນໃນ ປະຕກິ ິລຍິ າໂດຍໃຊເວລາພຽງແຕ 1/30 ເທາົ ຫຼື ພຽ ຂອງຈເມຕີລ ແລະ ຈເອຕີລທີ່ມຜີ ົນຕໍອັດຕາຂອງປະ ເຫດຜົນທ່ເີ ປນແບບນອີ້ ະທິບາຍໄດວາ ທພ່ີ າວະຕຣັງ 5 ຈ ອອມຮອບອາໂຕມກາງກາກບອນ ຈງຶ່ ເຮັດໃຫ ແຊນທເີ່ ປນທາດຕງັ້ ຕົ້ນ. R2 R1 R2 N ucl + C X N ucl C R3 R3

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ ປະຕກິ ລິ ຍິ າ SN2 (Steric Effect) ຕກິ ລິ ຍິ າໄດໄວກວາເອຕີລໂບຣມວົ 30 ເທາົ (ຖາ ນເວລາ 1 ຊົວໂມງ ເມຕລີ ໂບຣມົວຈະເກດີ ຽງ 2 ນາທີເທາົ ນ້ັນ) ເຮົາຈງ່ຶ ສະຫຼບຸ ໄດວາຂະໜາດ ະຕກິ ິລິຍາຫວຼ ງຫາຼ ຍ. ງຊຊີ ງົ ຂອງປະຕິກິລຍິ າ SN2 ນນ້ັ ຈະມຈີ ຕາງໆ ເຖງີ ຫມີ steric crowding ຫຼາຍກວາອາລກີລຮາໂລ R1 N ucl R2 R1 X C +X R3

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.8. ກນົ ໄກ SN1 ຂນັ້ ທີ 1: (ຊາ) ຂນ້ັ ທີ 2: (ໄວ)

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ

ບດົ ທີ 6 ປະຕ ອາລກລີ ໂບຣມວົ ອດັ ຕາປະ CH3Br 1.00 CH3CH2Br 1.00 (CH3)2CHBr 11.6 (CH3)3CBr 1.2 x Inductive effect CH 3 < RC - Á»¤¨øÉ Steric effect R R CR X 1090

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ ະຕກິ ລິ ຍິ າ SN1 106 < R 2C H < R 3C CH 2 Á»¤¨øÉÍЩìö¤ -X R CR 1200 R

ບດົ ທີ 6 ປະຕ 6.10. ປະຕກິ ລິ ຍິ າຮາກເສລີ ຂນ້ັ ເລມ້ີ ຕນົ : ຂັ້ນຂະຫຍາຍ: ຂ້ນັ ສ້ນິ ສດ:

ຕກິ ລິ ິຍາເຄມີ

ບດົ ທີ 7 ການຈດັ 7.1. ການຈດັ ແບງປະຕກິ ລິ ຍິ າຕາມທາດແທ ປະຕກິ ລິ ຍິ າຮາກເສລີ ປະຕກິ ລິ ຍິ າອເີ ລກັ ໂຕຣໄຟລ ແລະ ປະຕິກລິ ິຍານວີ

ດແບງປະຕກິ ລິ ິຍາ ທຂອງທາດທເ່ີ ຂາ້ົ ຮວມໃນປະຕກິ ລິ ຍິ າ ວຄຣໂີ ອໄຟລ

ບດົ ທີ 7 ການຈດັ 7.2. ການຈດັ ແບງປະຕກິ ລິ ຍິ າໂດຍອງິ ຕາມ ປະຕກິ ລິ ຍິ າແທນທ່ີ

ດແບງປະຕກິ ລິ ິຍາ ມທດິ ທາງຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ

ບດົ ທີ 7 ການຈດັ 7.2. ການຈດັ ແບງປະຕກິ ລິ ຍິ າໂດຍອງິ ຕາມ ປະຕກິ ລິ ິຍາສມົ ຮວມ - Slow Br (Io Fast CC Br Br + C C Br Br CC Br CC Br

ດແບງປະຕກິ ລິ ິຍາ ມທດິ ທາງຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ on alkenebromoni)

ບດົ ທີ 7 ການຈດັ 7.2. ການຈດັ ແບງປະຕກິ ລິ ຍິ າໂດຍອງິ ຕາມ ປະຕກິ ລິ ຍິ າສມົ ຮວມ

ດແບງປະຕກິ ລິ ິຍາ ມທດິ ທາງຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ

ບດົ ທີ 7 ການຈດັ 7.2. ການຈດັ ແບງປະຕກິ ລິ ຍິ າໂດຍອງິ ຕາມ ປະຕກິ ລິ ິຍາຈາກດັ ປະຕກິ ລິ ຍິ າແຍກສະຫາຼ ຍ

ດແບງປະຕກິ ລິ ິຍາ ມທດິ ທາງຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າ

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ປະຕິກິລິຍາຈາກດັ α ເກດີ ຂ້ນຶ ຍອນ 2 ອາໂຕມທ່ີສ ກາຈດັ ອອກຈາກທາດຕງ້ັ ຕົ້ນ ແລະ ເກດີ ເປນຜະລິດ X Halogen Methyl Z H Halogen

ຕກິ ລິ ຍິ າກາຈດັ ສາງພນັ ທະຢກັບອາໂຕມຄາບອນໂຕດຽວກັນຖືກ ດຕະພັນທີຂ່ າດເອເລກັ ຕຣົງ. halogen H halogen

ບດົ ທີ 8 ປະຕ E1 (Elimination unimolecular)

ຕກິ ລິ ິຍາກາຈດັ

ບດົ ທີ 8 ປະຕ E2 (Elimination bimolecular)

ຕກິ ລິ ິຍາກາຈດັ

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ຜະລດິ ຕະພນັ : Zaitsev-Hoffman

ຕກິ ລິ ິຍາກາຈດັ

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ຜະລດິ ຕະພນັ : Zaitsev-Hoffman ຜນົ ຂອງໂຄງສາງກາງຫາວຂອງທາດຕງ້ັ ຕນ້ົ ຕທໍ ດິ ທາງຂອງ

ຕກິ ລິ ຍິ າກາຈດັ ງປະຕກິ ລິ ຍິ າກາຈດັ E2

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ຜະລດິ ຕະພນັ : Zaitsev-Hoffman ຜນົ ຂອງຂະໜາດຂອງກມອາໂຕມທຖີ່ ກື ກາຈດັ ຕທໍ ດິ X= F Cl B

ຕກິ ລິ ຍິ າກາຈດັ ດທາງຂອງປະຕກິ ລິ ຍິ າກາຈດັ E2 Br I

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ຜະລດິ ຕະພນັ : Zaitsev-Hoffman ຜນົ ຂອງຂະໜາດຂອງບາເຊຕີ ທໍ ດິ ທາງຂອງປະຕິກລິ

ຕກິ ລິ ິຍາກາຈດັ ລຍິ າກາຈດັ E2

ບດົ ທີ 8 ປະຕ ຜະລດິ ຕະພນັ : Zaitsev-Hoffman ຜນົ ຂອງຂະໜາດຂອງບາເຊຕີ ທໍ ດິ ທາງຂອງປະຕິກລິ